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公开(公告)号：CN1329887C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200510059498.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在衬底上形成包含基本上选自Cu、Ni、Rh和Pt中的金属晶粒的晶粒直径控制结晶层。然后，在上述晶粒直径控制层的表面上形成选自氧和碳中的至少一种元素的淀积原子层。在淀积原子的晶粒直径控制结晶层上淀积磁记录层。从而，得到其中磁性晶粒具有较小的晶粒直径和较小的晶粒直径分布的磁记录媒体，且该磁记录媒体在高记录密度的条件下表现出改进的信噪比特性。
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公开(公告)号：CN1674106A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059498.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在衬底上形成包含基本上选自Cu、Ni、Rh和Pt中的金属晶粒的晶粒直径控制结晶层。然后，在上述晶粒直径控制层的表面上形成选自氧和碳中的至少一种元素的淀积原子层。在淀积原子的晶粒直径控制结晶层上淀积磁记录层。从而，得到其中磁性晶粒具有较小的晶粒直径和较小的晶粒直径分布的磁记录媒体，且该磁记录媒体在高记录密度的条件下表现出改进的信噪比特性。
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公开(公告)号：CN1674104A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059472.5
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/656 , G11B5/667 , G11B5/7325 , H01F10/007 , Y10T428/25
Abstract: 获得适于达到低噪声高磁记录密度的垂直磁记录介质。该介质具有小平均磁颗粒直径，小磁颗粒直径分布，高垂直结晶磁颗粒取向和高规则性磁颗粒排列。垂直磁记录介质包括衬底上的软磁层，颗粒底层和垂直磁记录层。在金属底层上形成颗粒底层。颗粒层中的金属颗粒被非磁性颗粒间材料分隔，并且部分穿入到金属底层中。在颗粒层上形成垂直磁记录层。于是垂直磁记录介质表现出高信噪比和极好的高密度记录特性。
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公开(公告)号：CN1674101A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059290.8
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁记录设备。在衬底上形成一个大粒径底层，其包括选自Cu、Ni或者Rh中的至少一种，具有大于或等于50nm的较大的平均直径的晶粒，(100)晶面的取向平行于衬底表面。然后，在该底层上淀积磁记录层。带有这种结构的磁记录介质在磁性层中表现出了非常小的磁性晶粒，在高纪录密度下具有优良的重写性能和信噪比。
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公开(公告)号：CN104465817A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410478173.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L27/14601 , H01L27/14643 , H01L31/028 , H01L31/03044 , H01L31/035209 , H01L31/035227 , H01L31/06 , Y02E10/547
Abstract: 本公开提供了含有半导体和分散于其中的多个含金属微小结构的光电转换层。所述微小结构是包含金属材料(α)的微小结构(A)或否则包含金属材料(α)和材料(β)的微小结构(B)，所述材料(β)选自由不同于所述金属材料(α)和所述半导体中的任一个的物质的氧化物、氮化物和氧氮化物组成的组。在所述微小结构(B)中，所述材料(β)在所述金属材料(α)的表面上。所述微小结构中的每一个都具有基于当从特定方向观察时的投影面积的1nm到10nm且包括端值的等圆直径。在该方向上，所述微小结构具有最小总投影面积。相邻两个所述微小结构之间的最近距离是3nm到50nm且包括端值的。本公开还提供了所述光电转换层于太阳能电池、光电二极管和图象传感器的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105321536A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410742709.9
申请日：2014-12-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/732
Abstract: 本发明提供可获得磁性微粒的良好的晶体取向性和低粒径分散、具有良好的记录再现特性且可以实现高密度记录的磁记录介质以及磁记录再现装置。实施方式的磁记录介质在非磁性基板上具有；取向控制层，其包含具有fcc结构的Ni合金或者Ag合金；非磁性种子层，其包含Ag、Ge和选自包括Al、Mg、Au及Ti的组中的金属X；非磁性中间层，其包含Ru或者Ru合金；以及磁记录层。取向控制层与非磁性种子层接触。
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公开(公告)号：CN105280200A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410720604.3
申请日：2014-12-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/84 , G11B5/7305 , G11B5/733 , G11B5/855
Abstract: 本发明的实施方式提供能够得到基板与粒子之间的良好密合性的磁记录介质的制造方法。实施方式涉及的磁记录介质的制造方法包括：在基板上形成熔敷层，在熔敷层上形成含有硅的保持层，使用含有能够与熔敷层熔敷的金属的粒子在保持层上形成单粒子层，使用含有氢氟酸和过氧化氢的蚀刻溶液对保持层中的二氧化硅进行蚀刻，将粒子埋入保持层内直到与熔敷层接触，通过加热使粒子与熔敷层熔敷，以及在单粒子层上形成磁记录层。
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公开(公告)号：CN104732987A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410165545.8
申请日：2014-04-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/8408 , C25D1/10 , G03F1/00 , G03F7/00 , G11B5/855 , H01L21/263 , H01L21/2633 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/31116
Abstract: 本发明的目的在于得到图案尺寸精度良好的图案形成方法。根据实施方式，可得到一种图案形成方法，其中，包含：在基板上形成被加工层的工序；将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上以形成金属微粒层的工序；通过第1蚀刻降低金属微粒周围的保护基量的工序；暴露于包含C与F的气体中并使气体吸附于金属微粒周围而形成保护层的工序；以及通过第2蚀刻将凸图案向该被加工层复制的工序。
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公开(公告)号：CN104700849A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410068180.7
申请日：2014-02-27
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 岩崎刚之
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/732 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供能得到磁性粒子的良好结晶取向性和低粒径分散、且具有良好的记录再现特性、并能进行高密度记录的垂直磁记录介质及使用其的磁记录再现装置。该装置具备：取向控制层，其由具有fcc结构的镍合金所构成；非磁性缓冲层，其包括具有fcc结构的银；非磁性种子层，其由具有fcc结构的银粒子和设置于银粒子间的非晶质的锗晶界所构成；非磁性中间层，其且由钌或钌合金所构成；以及垂直磁记录层，取向控制层和非磁性缓冲层、非磁性缓冲层和非磁性种子层接触地形成。
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公开(公告)号：CN100343903C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510059497.5
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本发明公开了一种垂直磁记录媒体，该垂直磁记录媒体包括：非磁性衬底；第一垫层，形成在该非磁性衬底上，主要由从包括Fe2O3、Co3O4、MgO、MoO3、Mn3O4、SiO2、Al2O3、TiO2以及ZrO2的组中选择的至少两种构成，而且具有以柱形生长的晶粒和包围该晶粒的晶粒边界；非磁性第二垫层，形成在第一垫层上，而且具有生长在第一垫层的晶粒上、具有面心立方晶格结构和六方紧密堆积结构之一的晶粒；磁性层，形成在第二垫层上；以及保护层，形成在该磁性层上。
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