公开(公告)号：CN1941442A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610159353.1

申请日：2006-09-27

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 新井优洋 ,  今野泰一郎 ,  饭塚和幸 ,  秋元克弥

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件，在衬底上形成至少由n型包覆层、活性层、p型包覆层形成的发光部；发光部的上部中的p型掺杂剂浓度为大于等于1×1019/cm3；形成薄膜的As系p型接触层，其中添加的掺杂剂不同于在所述p型包覆层中添加的掺杂剂；在p型接触层的上部形成由金属氧化物材料构成的电流扩展层；在p型包覆层和p型接触层之间，具有由III/V族半导体构成的缓冲层；缓冲层为p型导电性，同时含有故意的或者不可避免的H(氢)或C(碳)；所述缓冲层的膜厚大于等于p型接触层中添加的掺杂剂的扩散深度L。

公开(公告)号：CN1825642A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610001106.9

申请日：2006-01-11

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 加古学 ,  谷毅彦 ,  今野泰一郎 ,  新井优洋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明提供把在分布布拉格反射器的近红外光的发光减少到可忽视的水平，进而降低在分布布拉格反射器的光的吸收率的高亮度发光二极管。为了达到该目的，通过对AlGaInP系发光二极管的分布布拉格反射器使用AlGaAs层和AlInP层的组合，并将其膜厚规定为下述(1)、(2)、(3)式的关系。(AlGaAs层的膜厚[nm])＝{λ0/(4×n1)}×α…(1)，(AlInP层的膜厚[nm])＝{λ0/(4×n2)}×(2－α)…(2)，λ0：需要反射的光的波长[nm]，n1：对需要反射的光的波长的AlGaAs层的折射率，n2：对需要反射的光的波长的AlInP层的折射率，0.5＜α＜0.9…(3)。

公开(公告)号：CN1534804A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410030617.4

申请日：2004-03-30

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 今野泰一郎 ,  新井优洋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/02

Abstract: 本发明提供一种不会发生透明导电膜剥离、能以低工作电压发光而且可实现高亮度的发光二极管。发光二极管包括：半导体基板；在层叠于上述半导体基板上的第1导电型复合层与第2导电型复合层之间设活性层的发光部；设在该发光部的上部，由金属氧化物构成的透明导电膜；形成于上述透明导电膜的表面一侧的第1电极；和形成于上述半导基板的背面全面或背面的一部分的第2电极；其中，在上述发光部与上述透明导电膜之间还具有由至少含铝的化合物半导体构成的透明导电膜剥离防止层。