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公开(公告)号：CN110809914B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201880039218.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 电磁波吸收体(1a)具备第1层(10)和导电层(20)。第1层(10)为电介质层或磁性体层。导电层(20)设置在第1层的至少一侧。第1层(10)的杨氏模量与第1层(10)的厚度的乘积为0.1～1000MPa·mm。第1层(10)的相对介电常数为1～10。
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公开(公告)号：CN109311262B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201780038483.6
申请日：2017-06-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造成本低廉且制造容易、兼备金属光泽和电磁波透过性的电磁波透过性金属部件、使用该部件的物品、以及电磁波透过性金属膜的制造方法。电磁波透过性金属部件包含金属层和裂缝层，金属层和裂缝层在各自的各面内具有实质上相互平行的多条直线状裂缝。金属层的直线状裂缝与裂缝层的直线状裂缝在厚度方向上贯通各自的层且在厚度方向上连续。
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公开(公告)号：CN111587179A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201980007970.5
申请日：2019-01-11
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供不仅铬(Cr)或铟(In)、例如铝(Al)等其它金属也以金属层的形式形成于由各种各样的材料制成的连续面的容易制造的电波透过性金属光泽构件、及使用该构件的物品。另外，目的在于，不仅可以将铬或铟、也可以将例如铝等其它金属以金属层的形式容易地形成于由各种各样的材料制成的连续面的、电波透过性金属光泽构件或使用了该电波透过性金属光泽构件的物品的制造方法。该构件具备具有电波透过性的基体、和直接形成于基体的连续面的铝层。铝层具有包含相互不连续的多个分离区段的不连续区域。
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公开(公告)号：CN110753818A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201880039510.6
申请日：2018-06-12
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: F21V7/00 , F21V7/24 , H01Q17/00 , F21W102/00 , F21W111/02 , F21Y101/00 , F21Y115/10
Abstract: 灯具用反射镜(10a)具备镜面(11)和层叠体(12a)。镜面(11)为用于反射来自光源(30)的光并引导至规定的方向的面。层叠体(12a)覆盖镜面(11)的至少一部分，用于吸收具有20GHz～90GHz中的特定的频率的电磁波。层叠体(12a)使来自光源(30)的光向镜面(11)透射。
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公开(公告)号：CN110462860A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020923.X
申请日：2018-03-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L41/319 , H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 提供一种包括具有弯曲性的塑料层、具备良好的压电特性、且抑制了裂纹或裂痕的压电装置及其制造方法。所述压电装置至少叠层有第一电极、塑料层、取向控制层、压电体层、以及第二电极，其中，所述取向控制层为非晶质，在所述取向控制层上形成有具有纤维锌矿型的晶体结构的厚度为20nm～250nm的压电体层，所述取向控制层和所述压电体层被配置在所述第一电极与所述第二电极之间。
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公开(公告)号：CN108353521A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680062050.X
申请日：2016-12-14
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够长期保持优异的性能的电磁波吸收体，该电磁波吸收体具有：由高分子薄膜构成的电介质层B、在电介质层B的第1面的以氧化铟锡为主成分的电阻层A、和在电介质层B的第2面的具有比所述电阻层A低的薄层电阻的导电层C，上述电阻层A的氧化铟锡中含有的氧化锡为氧化铟锡重量的20～40重量％。
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公开(公告)号：CN104937678B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201480005118.1
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/354 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3407 , C23C14/542 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01J37/3277 , H01J37/3402 , H01J37/3429 , H01J37/3444 , H01J37/3464 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜的制造方法具有形成透明导电膜的工序(A)，该工序(A)为：在有机高分子薄膜基材的至少一个面上，利用辊对辊的装置，使用{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的靶，在该靶表面的水平磁场为85～200mT的高磁场下、在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法形成透明导电膜，并且，前述透明导电膜为前述铟系复合氧化物的结晶质膜，前述透明导电膜的膜厚为10nm～40nm的范围，前述透明导电膜的电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm。根据本发明的制造方法得到的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN106460153A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580022929.7
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。
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公开(公告)号：CN102985585B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201180033556.5
申请日：2011-07-06
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , C08J7/045 , C08J7/08 , C08J2323/06 , C08J2483/04 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C14/5806
Abstract: 本发明的目的在于，制造在透明薄膜基材上形成有结晶的铟系复合氧化物膜的长条状的透明导电性薄膜。本发明的制造方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至170℃~220℃的加热炉内，所述非晶膜被结晶化。前述结晶化工序中的加热炉内的温度优选为170℃~220℃。另外，前述结晶化工序中的薄膜长度的变化率优选为+2.5%以下。
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