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公开(公告)号:CN117892690B
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410058396.9
申请日:2024-01-15
Applicant: 广东工业大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F30/373
Abstract: 本发明适用于集成电路技术领域,尤其涉及一种FPGA Die级系统的布线优化方法。本发明通过获取系统数据信息;根据系统数据信息通过A*算法进行布线,得到初始布线结果;根据初始布线结果通过第一预设方法进行二次布线,得到二次布线结果;对二次布线结果中的物理连线的网络通过时分复用方法进行平均分配并计算;通过基于网络的第一时分复用重分配方法对初始目标值进行分配优化;通过基于路径的第二时分复用重分配方法对分配结果中的每一网络进行优化处理;对最终分配结果是否满足预设条件进行检验。这样本发明满足FPGA Die级系统布线的高效率和高性能需求,节约设计开发成本。
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公开(公告)号:CN117892690A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202410058396.9
申请日:2024-01-15
Applicant: 广东工业大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F30/373
Abstract: 本发明适用于集成电路技术领域,尤其涉及一种FPGA Die级系统的布线优化方法。本发明通过获取系统数据信息;根据系统数据信息通过A*算法进行布线,得到初始布线结果;根据初始布线结果通过第一预设方法进行二次布线,得到二次布线结果;对二次布线结果中的物理连线的网络通过时分复用方法进行平均分配并计算;通过基于网络的第一时分复用重分配方法对初始目标值进行分配优化;通过基于路径的第二时分复用重分配方法对分配结果中的每一网络进行优化处理;对最终分配结果是否满足预设条件进行检验。这样本发明满足FPGA Die级系统布线的高效率和高性能需求,节约设计开发成本。
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公开(公告)号:CN117324753B
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202311356028.4
申请日:2023-10-18
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导银掺杂石墨烯的通讯装置的加工方法及通讯装置,加工方法包括下述步骤:绘制热捕获结构的图案文件,绘制热学信号密码结构的图案文件;将热捕获结构的图案文件导入激光器的控制端,提取热捕获结构的图案文件中的图案,对图案进行图案参数设置;对图案中待加工区域进行激光参数设置;设置完激光参数后,使用聚酰亚胺薄膜作为石墨烯的前驱体,对聚酰亚胺前驱体进行定位;完成定位后,对聚酰亚胺前驱体进行离焦操作;将离焦的聚酰亚胺前驱体移动至激光器的激光束镜头中心,进行激光加工获得热捕获结构;本发明旨在提供一种激光诱导银掺杂石墨烯的通讯装置的加工方法及通讯装置,有效地解决现存的电信号传输的信息安全问题。
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公开(公告)号:CN116894513B
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202310853193.4
申请日:2023-07-12
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 一种划分区域的皮革二维不规则排样方法,包括如下步骤:获取皮革的面积信息、皮革区域划分信息、裁片的尺寸信息以及每一个裁片的等级信息,根据裁片的尺寸信息获取裁片的面积;对同一等级的裁片进行面积从大到小的排序;根据裁片的等级信息,按照排序的顺序将裁片依次放入到对应的皮革区域中,获取每一个区域的初始排布方案,并将未能成功排样的裁片放入裁片集合中;若裁片集合不存在有裁片,则以每一个区域的初始排布方案作为每一个区域的最终排布方案,若裁片集合内存在有裁片,则再使用裁片集合中的裁片放入至更高等级的皮革区域内,对初始排布方案进行更新,直至每一个皮革区域都不能放入裁片,得到每一个区域的最终排布方案。
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公开(公告)号:CN117116838B
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202310992493.0
申请日:2023-08-08
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L33/00 , H01L21/67
Abstract: 一种阵列水射流刺晶式Mini‑LED巨量转移装置及方法。本发明的有益效果在于:阵列水射流刺晶方法相比于传统刺晶,水射流刺晶降低了对蓝膜和Mini‑LED芯片的冲击,简化了针头向下冲击的过程,使得刺晶转移良率更高,阵列刺晶方式使得转移效率更好;阵列刺晶使得同一组Mini‑LED芯片刺晶转移的工况一致,相较于传统刺晶降低了芯片刺晶转移时发生位置偏差的可能。水射流通道可以微调以解决芯片在蓝膜上的位姿偏差带来的转移误差。
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公开(公告)号:CN117324753A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202311356028.4
申请日:2023-10-18
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导银掺杂石墨烯的通讯装置的加工方法及通讯装置,加工方法包括下述步骤:绘制热捕获结构的图案文件,绘制热学信号密码结构的图案文件;将热捕获结构的图案文件导入激光器的控制端,提取热捕获结构的图案文件中的图案,对图案进行图案参数设置;对图案中待加工区域进行激光参数设置;设置完激光参数后,使用聚酰亚胺薄膜作为石墨烯的前驱体,对聚酰亚胺前驱体进行定位;完成定位后,对聚酰亚胺前驱体进行离焦操作;将离焦的聚酰亚胺前驱体移动至激光器的激光束镜头中心,进行激光加工获得热捕获结构;本发明旨在提供一种激光诱导银掺杂石墨烯的通讯装置的加工方法及通讯装置,有效地解决现存的电信号传输的信息安全问题。
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公开(公告)号:CN117283063A
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN202210683542.8
申请日:2022-06-16
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及掩模微细电化学加工领域,公开了复合电化学加工装置及加工方法;复合电化学加工装置包括掩模单元、同步亲水化单元及电化学单元,掩模单元贴合在工件表面。同步等离子体亲水化装置对掩模以及掩模图案所显露的工件待加工区域进行实时亲水化处理,使复合电化学加工过程和亲水化效应同步进行,从而加工区域具备优异的工作液传质及更新能力;实时的亲水化处理效应,使得电化学加工过程中的工作液在加工区域内始终具有优异的更新和传质能力。保证电化学加工过程的稳定性和连续性,利于突破现有掩模电化学加工在微加工尺度上的制造瓶颈,实现高深径比等微结构的制备,提升掩模电化学加工的性能。
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公开(公告)号:CN117116838A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202310992493.0
申请日:2023-08-08
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L33/00 , H01L21/67
Abstract: 一种阵列水射流刺晶式Mini‑LED巨量转移装置及方法。本发明的有益效果在于:阵列水射流刺晶方法相比于传统刺晶,水射流刺晶降低了对蓝膜和Mini‑LED芯片的冲击,简化了针头向下冲击的过程,使得刺晶转移良率更高,阵列刺晶方式使得转移效率更好;阵列刺晶使得同一组Mini‑LED芯片刺晶转移的工况一致,相较于传统刺晶降低了芯片刺晶转移时发生位置偏差的可能。水射流通道可以微调以解决芯片在蓝膜上的位姿偏差带来的转移误差。
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公开(公告)号:CN116224829B
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202310076638.2
申请日:2023-02-03
Applicant: 广东工业大学
IPC: G05B17/02
Abstract: 本发明适用于手术机器人技术领域,尤其涉及一种基于数字孪生的手术机器人穿刺取样手术半实物仿真方法,所述方法包括以下步骤:S1、基于数字孪生技术,构建穿刺取样手术环境的数字孪生体模型;S2、基于所述数字孪生体模型构建半实物仿真测试平台,并建立所述半实物仿真测试平台与手术机器人控制系统的通讯连接;S3、通过所述手术机器人控制系统进行控制,在所述半实物仿真测试平台进行穿刺取样手术的半实物仿真。本发明通过引入数字孪生技术建立的虚拟测试环境,能够快速地、安全地、可重复地、高精度地获取不同情况下的穿刺测试数据,且通过多个不同的测试项,测试手术机器人系统的安全性和有效性。
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公开(公告)号:CN116884906A
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202310998647.7
申请日:2023-08-08
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L33/00 , H01L21/67
Abstract: 一种划膜刺晶式Mini‑LED巨量转移装置及其使用方法。巨量转移装置包括:龙门横梁;龙门横梁上设有可沿龙门横梁移动的刺晶座;刺晶座上固定有视觉相机以及刺针;在龙门横梁靠近刺针的一侧间隔设置有水平放置的蓝膜,蓝膜远离龙门横梁的一侧表面粘有多个均匀排布的Mini‑LED芯片;在蓝膜靠近Mini‑LED芯片的一侧间隔设置有水平放置的转移基板。本发明的有益效果在于:划膜刺晶方法相比于传统刺晶,刺晶时刺晶座横向匀速运动避免了运动平台频繁间歇式停顿,减少运动平台损耗;划膜刺晶的剥离方式相较于飞行刺晶接触蓝膜上表面时间更长,有利于芯片和蓝膜之间的胶层发生撕裂并扩展裂纹,提高了刺晶剥离的效率和转移质量。
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