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公开(公告)号：CN117524927B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311467578.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及芯片转移封装技术领域，提供了一种LED芯片刺晶转移过程的检测装置，其包括刺晶拍摄平台、计算机和气压控制器；其中，所述刺晶拍摄平台包括固定架、可滑动连接于所述固定架上的相机和三轴微调滑台、设置于所述三轴微调滑台上的夹具、设置于所述夹具上的光源支架、设置于所述光源支架上的光源、设置于所述固定架一侧的Z轴微调滑台、设置于所述Z轴微调滑台上的剥离基板支架、龙门架、设置于所述龙门架的一侧的刺晶座以及设置于所述刺晶座上且位于所述剥离基板支架的顶部的刺针。本发明中的LED芯片刺晶转移过程的检测装置可以检测刺晶过程中刺针的运动路径以及刺晶转移效果，以减少刺晶工艺参数调节的成本且提升效率。
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公开(公告)号：CN119028888A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411029571.8
申请日：2024-07-30
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种多刺晶头的Mini‑LED巨量转移装置及方法，涉及Mini‑LED晶圆巨量转移技术领域。本发明的Mini‑LED巨量转移装置，包括基板运输单元、晶圆运输单元和刺晶单元；基板运输单元用于运输基板，使基板可作X轴向和Y轴向运动；晶圆运输单元用于运输晶圆，使晶圆作X轴向和Y轴向运动；刺晶单元包括刺晶头Z轴向移动机构、刺晶头调距机构和多个刺晶头；刺晶头Z轴向移动机构用于调节刺晶头在Z轴向的位置，刺晶头调距机构用于调节相邻刺晶头的间距，刺晶头用于将晶圆上的Mini‑LED芯片刺到基板上。本发的Mini‑LED巨量转移装置可使基板和晶圆在持续运动下完成Mini‑LED芯片转移，并可由多个刺晶头同时作业，具有转移效率高、可避免高频启停和运输机构振动小等优点，可实现飞行刺晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116532784B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310477907.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 广东工业大学
IPC: B23K26/00 , H05K7/20 , B23K26/402 , B23K26/60
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导石墨烯的热集中器件加工方法及系统，该方法包括基于坐标变换热力学理论对热集中器件进行结构预设计，得到热集中器件各向异性热导率参数；构建热集中器件的设计草图；将热集中器件的设计草图中激光诱导石墨烯层的区域用颜色高亮填充，得到高亮填充后热集中器件的设计草图；使用聚酰亚胺薄膜作为加工需要的基板，并对聚酰亚胺薄膜进行定位；设置激光器的激光参数；调节激光器的CCD摄像头的焦距；调节激光器的移动平台；调节激光器的CCD摄像头垂直于聚酰亚胺薄膜的中心向下移动5‑5.5mm；基于高亮填充后热集中器件的设计草图，对聚酰亚胺薄膜进行激光加工处理，得到热集中器件。本发明解决了现存的电子设备表面热能堆积的问题。
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公开(公告)号：CN116532784A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310477907.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 广东工业大学
IPC: B23K26/00 , H05K7/20 , B23K26/402 , B23K26/60
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导石墨烯的热集中器件加工方法及系统，该方法包括基于坐标变换热力学理论对热集中器件进行结构预设计，得到热集中器件各向异性热导率参数；构建热集中器件的设计草图；将热集中器件的设计草图中激光诱导石墨烯层的区域用颜色高亮填充，得到高亮填充后热集中器件的设计草图；使用聚酰亚胺薄膜作为加工需要的基板，并对聚酰亚胺薄膜进行定位；设置激光器的激光参数；调节激光器的CCD摄像头的焦距；调节激光器的移动平台；调节激光器的CCD摄像头垂直于聚酰亚胺薄膜的中心向下移动5‑5.5mm；基于高亮填充后热集中器件的设计草图，对聚酰亚胺薄膜进行激光加工处理，得到热集中器件。本发明解决了现存的电子设备表面热能堆积的问题。
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公开(公告)号：CN117524927A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311467578.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及芯片转移封装技术领域，提供了一种LED芯片刺晶转移过程的检测装置，其包括刺晶拍摄平台、计算机和气压控制器；其中，所述刺晶拍摄平台包括固定架、可滑动连接于所述固定架上的相机和三轴微调滑台、设置于所述三轴微调滑台上的夹具、设置于所述夹具上的光源支架、设置于所述光源支架上的光源、设置于所述固定架一侧的Z轴微调滑台、设置于所述Z轴微调滑台上的剥离基板支架、龙门架、设置于所述龙门架的一侧的刺晶座以及设置于所述刺晶座上且位于所述剥离基板支架的顶部的刺针。本发明中的LED芯片刺晶转移过程的检测装置可以检测刺晶过程中刺针的运动路径以及刺晶转移效果，以减少刺晶工艺参数调节的成本且提升效率。
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公开(公告)号：CN117116838B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310992493.0
申请日：2023-08-08
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L33/00 , H01L21/67
Abstract: 一种阵列水射流刺晶式Mini‑LED巨量转移装置及方法。本发明的有益效果在于：阵列水射流刺晶方法相比于传统刺晶，水射流刺晶降低了对蓝膜和Mini‑LED芯片的冲击，简化了针头向下冲击的过程，使得刺晶转移良率更高，阵列刺晶方式使得转移效率更好；阵列刺晶使得同一组Mini‑LED芯片刺晶转移的工况一致，相较于传统刺晶降低了芯片刺晶转移时发生位置偏差的可能。水射流通道可以微调以解决芯片在蓝膜上的位姿偏差带来的转移误差。
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公开(公告)号：CN117116838A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310992493.0
申请日：2023-08-08
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L33/00 , H01L21/67
Abstract: 一种阵列水射流刺晶式Mini‑LED巨量转移装置及方法。本发明的有益效果在于：阵列水射流刺晶方法相比于传统刺晶，水射流刺晶降低了对蓝膜和Mini‑LED芯片的冲击，简化了针头向下冲击的过程，使得刺晶转移良率更高，阵列刺晶方式使得转移效率更好；阵列刺晶使得同一组Mini‑LED芯片刺晶转移的工况一致，相较于传统刺晶降低了芯片刺晶转移时发生位置偏差的可能。水射流通道可以微调以解决芯片在蓝膜上的位姿偏差带来的转移误差。
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