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公开(公告)号：CN118275850A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410704907.X
申请日：2024-06-03
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种消除负载干扰的功率半导体器件结温监测模型建立方法，该方法采用多元线性回归与矩阵运算相结合的方式，建立一个仅反映温敏电参数与结温之间映射关系的数学模型，消除了负载条件对结温测量的影响，避免了传统方法中因负载变化带来的测量误差。此外，本发明提供的结温模型结合了多个温敏电参数实现对于结温的监测，多个参数综合反应了功率半导体器件在不同工作条件下的热特性，进一步提高了结温监测的准确性。
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公开(公告)号：CN117849569B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410251482.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明揭示了一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法，所述纳秒量级延时的功率器件测试电路包括双脉冲测试电路，应力时长控制电路和接口控制电路；应力时长控制电路用于控制待测晶体管的漏极电压应力时长，并在时长内实现双脉冲测试电路产生既定的电流；双脉冲测试电路用于在待测晶体管导通时向待测晶体管施加电流，测试待测晶体管的特性；接口控制电路用于控制待测晶体管漏极的连接位置。本发明能够在任意设定的待测晶体管的漏极电压应力时长内产生既定的电流，从而进行测试时无需等待额外的充电时间，并且能够在任意漏极电压应力时长、漏极电压应力和负载电流下迅速检测待测晶体管的开关特性和导通电阻等状态。
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公开(公告)号：CN118039690A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410430808.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , G01R31/26 , G01R19/00
Abstract: 本发明提供半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法，在同一异质结上制备了物理化学性能稳定的肖特基型p‑GaN HEMTs器件和欧姆型p‑GaN HEMTs器件，实现了集成化设计，提高了后续性能测试以及标定测算的可操作性和效率。在具体测试过程中，测试两种器件的正向栅极电压电流（I‑V）特性，基于欧姆型p‑GaN HEMTs栅极的单PIN结I‑V特性，得出等量栅极电流下肖特基型p‑GaN HEMTs栅极异质结中PIN结的电压，随后根据双结串联分压特性得到MS结电压，实现对于p‑GaN HEMTs器件栅极异质结内部双结分压的标定计算。
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公开(公告)号：CN117572288B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410050334.3
申请日：2024-01-15
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/52
Abstract: 本发明提供一种短路故障检测电路与检测方法，检测电路包括：差分信号采集单元，对栅极电阻上的电压信号进行差分采样；短路状态判断单元，其输入端与差分信号采集单元的输出端相连接，用于将检测信号与参考电压进行比较，超过设定阈值时输出故障信号；短路信号保持单元，其输入端与短路状态判断单元的输出端相连，用于对故障信号的保持并传输短路信号给短路处理单元；短路处理单元，其输入端与所述故障保持单元的输出端相连，用于故障信号的处理，判定短路工况。本发明解决了传统SiC MOSFET在高压端口采集故障信号导致的噪声干扰、信号失真以及绝缘耐压和安全等问题，具有检测速度快、精准度高、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN117849569A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410251482.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明揭示了一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法，所述纳秒量级延时的功率器件测试电路包括双脉冲测试电路，应力时长控制电路和接口控制电路；应力时长控制电路用于控制待测晶体管的漏极电压应力时长，并在时长内实现双脉冲测试电路产生既定的电流；双脉冲测试电路用于在待测晶体管导通时向待测晶体管施加电流，测试待测晶体管的特性；接口控制电路用于控制待测晶体管漏极的连接位置。本发明能够在任意设定的待测晶体管的漏极电压应力时长内产生既定的电流，从而进行测试时无需等待额外的充电时间，并且能够在任意漏极电压应力时长、漏极电压应力和负载电流下迅速检测待测晶体管的开关特性和导通电阻等状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114759767B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210394656.0
申请日：2022-04-15
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种用于碳化硅功率模块的智能门级驱动器，属于电力电子技术领域。该用于碳化硅功率模块的智能数字门驱动器核心是基于受控电压源的门级驱动器，该基于受控电压源的门级驱动器根据模块不同的工作状态动态调节功率模块的开关性能，其通过对其门级驱动电路的数字化和智能化的升级，实现对碳化硅功率模块的动态和静态性能达到精准和可编程控制的目的，从而提升了碳化硅功率模块的开关性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN116760302B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311013642.0
申请日：2023-08-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种同步整流控制系统与方法，采样电路用于采集所述变换器的输出电流信号和输出电压信号；根据输出电流信号和输出电压信号计算出变换器中储存的电荷值和负载的阻值；输出电压信号与比较模块内的参考电压进行比较，得到一误差信号；误差信号经过比例‑积分控制器计算后得到一脉冲频率调制信号；根据脉冲频率调制信号、电荷值和负载的阻值计算出所述同步整流导通时间。算法简单且计算时间更短，缩短了同步整流流过MOSFET二极管的时间，降低了导通损耗，提高了转换器的效率。
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公开(公告)号：CN116435417B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310692124.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种具有栅极自发光功能的氮化镓器件和制备方法，氮化镓器件的栅极结构自上而下包括：半透明金属层，P型层，势垒层和沟道层。当对栅极施加正向驱动电压时，电子与空穴分别从沟道和栅极金属双向注入到异质结中，部分电子与空穴发生复合并产生光子，并穿过半透明金属电极发射出栅极。器件栅极结构在制备过程中采用半透明栅极金属技术，利用耐等离子体刻蚀的金属层保护栅极结构不受等离子体的刻蚀，并且保持良好的透光性。本发明使得相关测试仪器能够捕捉分析透过半透明栅极产生的电致发光，从而实现光学测试与电学测试同步分析。
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公开(公告)号：CN116455254A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310295446.0
申请日：2023-03-24
Applicant: 安徽大学
IPC: H02M7/5387 , H02M7/483 , H02M1/00 , H02M1/12
Abstract: 本发明公开了一种基于模块分组的全桥MMC简化空间矢量调制方法，具体为：首先将MMC系统划分为若干个虚拟子单元，从每相不同侧桥臂中各选择一个子模块，子模块位置任意，所选出的六个子模块构成一个虚拟子单元；针对虚拟子单元，根据相参考电压矢量的运行区间和相电流方向，选择合适的作用电压矢量及其冗余开关状态；相邻子单元的矢量选择方式相同，但其载波需相互移相2π/n角度。本发明无需复杂的计算过程，在保障系统良好的输出性能的同时，降低了器件开关频率，提高了系统运行效率。
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公开(公告)号：CN116365855A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310021462.0
申请日：2023-01-07
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种三相电压型PWM整流器启动控制方法，包括以下步骤：S1.不控整流阶段，通过两相串联限流电阻给直流母线电容充电；S2.软启动控制阶段，切除电阻，dq轴控制信号以线性规律变化，使用载波等效SVM产生功率器件控制信号；S3.电压电流双闭环控制阶段。本发明在三相整流器软启动阶段，直接给定线性调制信号，结合载波PWM方法，增加整流器交流侧电压，减小电网电压和整流器交流侧电压差，有效解决了整流器启动过程中的电流冲击或过流问题，提高了整流器的可靠性，适用于两电平或三电平电压型PWM整流器。
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