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公开(公告)号:CN117572288A
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202410050334.3
申请日:2024-01-15
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/52
Abstract: 本发明提供一种短路故障检测电路与检测方法,检测电路包括:差分信号采集单元,对栅极电阻上的电压信号进行差分采样;短路状态判断单元,其输入端与差分信号采集单元的输出端相连接,用于将检测信号与参考电压进行比较,超过设定阈值时输出故障信号;短路信号保持单元,其输入端与短路状态判断单元的输出端相连,用于对故障信号的保持并传输短路信号给短路处理单元;短路处理单元,其输入端与所述故障保持单元的输出端相连,用于故障信号的处理,判定短路工况。本发明解决了传统SiC MOSFET在高压端口采集故障信号导致的噪声干扰、信号失真以及绝缘耐压和安全等问题,具有检测速度快、精准度高、可靠性高的优点。
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公开(公告)号:CN116990655B
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202311244635.1
申请日:2023-09-26
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种基于漏‑源电压变化率的晶体管短路检测电路和方法,包括:RC缓冲电路、峰值检测电路和短路判断电路;RC缓冲电路检测所述晶体管的漏‑源电压变化率后输出一与漏‑源电压变化率成正比的监测电压信号至峰值检测电路;峰值检测电路检测并输出监测电压信号至短路判断电路;短路判断电路将监测电压信号进行放大后与一参考电压进行对比,根据比较结果判断晶体管是否发生短路。本发明通过检测晶体管的漏‑源电压变化率来判断晶体管是否短路,无需外接多余的积分电路和高压二极管,也无需考虑多余的消隐时间,减少了短路检测的响应时
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公开(公告)号:CN116990655A
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202311244635.1
申请日:2023-09-26
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种基于漏‑源电压变化率的晶体管短路检测电路和方法,包括:RC缓冲电路、峰值检测电路和短路判断电路;RC缓冲电路检测所述晶体管的漏‑源电压变化率后输出一与漏‑源电压变化率成正比的监测电压信号至峰值检测电路;峰值检测电路检测并输出监测电压信号至短路判断电路;短路判断电路将监测电压信号进行放大后与一参考电压进行对比,根据比较结果判断晶体管是否发生短路。本发明通过检测晶体管的漏‑源电压变化率来判断晶体管是否短路,无需外接多余的积分电路和高压二极管,也无需考虑多余的消隐时间,减少了短路检测的响应时间且电路结构简单,设计成本低。
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公开(公告)号:CN117572288B
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202410050334.3
申请日:2024-01-15
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/52
Abstract: 本发明提供一种短路故障检测电路与检测方法,检测电路包括:差分信号采集单元,对栅极电阻上的电压信号进行差分采样;短路状态判断单元,其输入端与差分信号采集单元的输出端相连接,用于将检测信号与参考电压进行比较,超过设定阈值时输出故障信号;短路信号保持单元,其输入端与短路状态判断单元的输出端相连,用于对故障信号的保持并传输短路信号给短路处理单元;短路处理单元,其输入端与所述故障保持单元的输出端相连,用于故障信号的处理,判定短路工况。本发明解决了传统SiC MOSFET在高压端口采集故障信号导致的噪声干扰、信号失真以及绝缘耐压和安全等问题,具有检测速度快、精准度高、可靠性高的优点。
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