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公开(公告)号：CN111093347A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911379925.0
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种自循环高效散热器，采用封闭式管道，无需外连冷却水进行外循环，有利于降低冷却成本，操作方便；通过采用TiO2-水纳米流体作为冷却剂，在TiO2-水纳米流体中，TiO2的浓度在0.2%-0.5%范围内最佳，相较于常规散热器采用的自来水冷却剂可将换热系数提高25%左右；同时，散热基板内设有可自旋转的螺旋形旋转轴，螺旋形旋转轴的持续自旋转加强了管路内TiO2-水纳米流体的扰动，将TiO2-水纳米流体由层流变成紊流，将很大程度上提高散热能力，换热系数将提高50%。
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公开(公告)号：CN118565697B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411014423.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于半导体加工的技术领域，公开了一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该电容薄膜真空计传感器包括：核心陶瓷元件、密封腔体、压紧元件和顶盖组件，核心陶瓷元件包括从上到下依次叠置的下表面中部镀有上陶瓷片导电层的上陶瓷片、间隙垫圈和上表面中部镀有下陶瓷膜片导电层的下陶瓷膜片，下陶瓷膜片导电层和上陶瓷片导电层设置在间隙垫圈中间，且间隙垫圈的厚度大于下陶瓷膜片导电层和上陶瓷片导电层的厚度之和；密封腔体内壁设置有螺纹，螺纹与压紧元件对应；通过在密封腔体内部设置核心陶瓷元件和压紧元件，并在密封腔体顶部焊接顶盖组件，制作得到电容薄膜真空计传感器，提高了电容薄膜真空计传感器的使用效率。
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公开(公告)号：CN111884607B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010597111.0
申请日：2020-06-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开全桥D类放大电路、级联功率模块及大功率射频电源。该全桥D类放大电路包括：左侧半桥，包括左上MOS管和左下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；右侧半桥，包括右上MOS管和右下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；变压器，所述变压器的原边的两端分别耦合于所述左侧半桥的居中点和右侧半桥的居中点。该电路使得从电源节点与地节点之间引入的电能被转换为方波电压波形后经变压器的副边输出，其中，所述方波电压波形具有预先设定的射频频率。该全桥D类放大电路的反向电压低，效率高，可靠性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114486062B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210332796.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于真空计技术领域，公开一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计，包括壳体、感压薄膜及固定电极，还包括第一加热件；壳体具有容置腔，感压薄膜设置在容置腔内，感压薄膜将容置腔分为第一腔及第二腔；固定电极设置在第一腔内，并与感压薄膜平行，固定电极与感压薄膜组成平行板电容器传感组件；第一加热件设置在第二腔内，并面向壳体的进气口。本申请通过在第二腔内设置第一加热件的设计，使得第一加热件能够对进入第二腔内的待测气体进行加热，使得进入第二腔内的待测气体的温度与第二腔内的温度保持一致，减小第二腔内的温度变化，从而减少温度变化对感压薄膜的应力的影响，进而提高电容薄膜真空计的测量精度。
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公开(公告)号：CN114486062A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210332796.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于真空计技术领域，公开一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计，包括壳体、感压薄膜及固定电极，还包括第一加热件；壳体具有容置腔，感压薄膜设置在容置腔内，感压薄膜将容置腔分为第一腔及第二腔；固定电极设置在第一腔内，并与感压薄膜平行，固定电极与感压薄膜组成平行板电容器传感组件；第一加热件设置在第二腔内，并面向壳体的进气口。本申请通过在第二腔内设置第一加热件的设计，使得第一加热件能够对进入第二腔内的待测气体进行加热，使得进入第二腔内的待测气体的温度与第二腔内的温度保持一致，减小第二腔内的温度变化，从而减少温度变化对感压薄膜的应力的影响，进而提高电容薄膜真空计的测量精度。
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公开(公告)号：CN113442459B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202111000257.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种电容薄膜真空计膜片张紧机构、系统、方法及装置，其中，张紧机构包括：压紧机构，用于压紧中心膜片外周以固定中心膜片；多点顶出机构，设置在所述压紧机构下方，其设有通过顶出而张紧固定在所述压紧机构上的中心膜片的顶杆组；对位机构，安装在所述压紧机构与多点顶出机构之间，用于对位调节压紧机构和多点顶出机构，所述顶杆组包括若干通过液压驱动伸缩的顶杆；该张紧机构通过多点顶出机构的顶杆组顶出对中心膜片进行张紧即可完成中心膜片的张紧处理，使得中心膜片达到预定张紧力，具有张紧度可控、中心膜片各区域张紧效果均匀等优点。
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公开(公告)号：CN113442459A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202111000257.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种电容薄膜真空计膜片张紧机构、系统、方法及装置，其中，张紧机构包括：压紧机构，用于压紧中心膜片外周以固定中心膜片；多点顶出机构，设置在所述压紧机构下方，其设有通过顶出而张紧固定在所述压紧机构上的中心膜片的顶杆组；对位机构，安装在所述压紧机构与多点顶出机构之间，用于对位调节压紧机构和多点顶出机构，所述顶杆组包括若干通过液压驱动伸缩的顶杆；该张紧机构通过多点顶出机构的顶杆组顶出对中心膜片进行张紧即可完成中心膜片的张紧处理，使得中心膜片达到预定张紧力，具有张紧度可控、中心膜片各区域张紧效果均匀等优点。
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公开(公告)号：CN111020693A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911379922.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。
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