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公开(公告)号：CN102173424A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110033792.9
申请日：2011-01-31
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明属于冶金法提纯多晶硅领域。一种真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法，首先，在高真空状态下，利用感应加热方式熔炼硅粉，去除多晶硅中的磷杂质，然后进行拉锭，利用定向凝固技术将硅粉中的金属杂质去除。本发明方法简单，同时应用真空感应熔炼和定向凝固技术来去除多晶硅中的磷及金属杂质，实现了硅粉的熔炼，除杂效果良好，去除效率高，有效地利用了感应线圈加热温度高的特点，方法简单易行，集成了除磷和除金属的双重效果，产量大，适合大规模生产工业生产，提纯效果稳定。
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公开(公告)号：CN101913608A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010242101.1
申请日：2010-07-29
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9％以上的石英环中，在电子束作用下熔炼，利用高真空度将氧化硼去除。先将工业硅料放入石英环中；再将石英环放入水冷铜坩埚中，关闭真空装置盖。其所采用装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳，真空圆桶内腔即为真空室。可以将分凝系数较大的硼用电子束熔炼去除，有效提高了多晶硅的纯度，具有效率高、装置简单、节约能源的优点。
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公开(公告)号：CN101708849A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910220058.6
申请日：2009-11-19
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明局部蒸发去除多晶硅中硼的方法及装置属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质硼去除的方法和装置。该方法用电子束对石墨坩埚中的多晶硅进行局部熔炼，将液态硅蒸发到石墨坩埚上方的沉积板上，收集沉积在沉积板上多晶硅的方法；该装置由真空盖、真空圆桶构成装置的外壳，真空圆桶的内腔即为真空室，真空室内装有熔炼系统，熔炼系统由电子枪、石墨坩埚、水冷铜托盘组成。该方法工艺简单，能耗低，环境污染小，提纯精度高；技术稳定，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN112948934B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110249263.6
申请日：2021-03-08
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于混凝土重力坝安全性评定领域，提供了一种预测持续荷载作用后岩石‑混凝土界面抗裂性能的方法，该方法根据前期持载过程中岩石‑混凝土界面的试验结果标定界面两侧材料的粘弹性模型参数，结合本发明提出的断裂准则即可模拟出任意荷载水平、任意持载时间后岩石‑混凝土界面的起裂荷载，无需进行长期持载试验以及破坏试验。
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公开(公告)号：CN106644692B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201611162302.4
申请日：2016-12-15
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于混凝土徐变断裂研究领域，提供了一种测定混凝土徐变试验的装置。将固定好位移测量夹具及千分表的混凝土试件置于加载架上，使用扳手加载，荷载的大小通过与荷载传感器相连的力值显示器反映，加载到所需力值停止转到扳手并稳住一定时间。加载完成后每天采集一次数据并记录，若整个试验过程中由于人为扰动千分表示数有突变，处理数据时将突变值去掉。试验过程中，若掉载超过2％则用扳手进行补载。本装置操作简单、独立性好、通用性强、测量准确、荷载稳定、很好的适应长期三点弯曲形式的加载。本装置价格便宜、能重复使用、长期测量可靠、不受断电影响、满足精度要求，可准确反映试件在持载下位移变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106644761B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201611152877.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于岩石‐混凝土界面断裂研究领域，一种测定岩石‐混凝土界面剪切本构关系的试验方法。在待测试件的岩石表面沿高度方向等间距粘贴应变片；将待测试件置于固定装置的底座与压板中间，待测试件的混凝土外侧与压板外侧平齐，待测试件界面与底座的槽边平齐，使岩石的垂直投影在槽内，固定压板；调整固定装置的底座位置，使待测试件的岩石垂直投影在加载头直径面内，再将固定装置固定在液压伺服万能试验机上；应变片与数据采集系统连接，数据采集系统显示加载过程中岩石的应变数值及变化规律，推导得出复合界面剪切本构关系。本发明具有能够实现纯剪切加载的优点，使复合界面上只有剪力作用，消除其它应力因素的不利影响。
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公开(公告)号：CN109128206A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811116579.2
申请日：2018-09-25
Applicant: 中国人民解放军陆军装甲兵学院 , 大连理工大学
IPC: B22F9/10
Abstract: 本发明提供一种逐液滴离心雾化法高效制备超细球形金属粉末的装置及方法，装置包括壳体、设置于壳体内的坩埚和粉末收集区，其特征在于：设置在粉末收集区的转盘为镶嵌式结构，选择导热性较差的材料转盘的基体部分，选择与液滴的润湿角小于90°的金属材料，镶嵌进主体部分作为转盘的雾化平面，雾化平面上设有同心圆凹槽，转盘内设有通气孔。本发明公开了通过逐液滴离心雾化法高效制备超细球形金属粉末的方法，主要结合均匀液滴喷射法和离心雾化法两种方法，突破了传统金属分裂模式，使熔融金属呈现出纤维状分裂，从而能够高效制备出粒径分布区间窄、圆球度高、流动性好、铺展性优良且尺寸均匀可控、无卫星滴的超细球形金属粉末，适宜工业化生产。
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公开(公告)号：CN106513890B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201611024965.X
申请日：2016-11-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种电子封装微焊点的制备方法，包括：在第一基底上依次制备第一金属焊盘、第一可焊层和微凸点；在第二基底上依次制备第二金属焊盘和第二可焊层；将微凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，选择所需的回流曲线对组合体进行钎焊回流，依次经历预热区、回流区和冷却区，在冷却区内使第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度，至微凸点由液态全部转变为固态形成微焊点。本发明能够实现微焊点钎料基体中的Sn晶粒取向可调控，形成的单一择优取向微焊点，与半导体和封装技术工艺有良好的兼容性，具有良好的抗电迁移和热迁移可靠性，能够实现第一基底和第二基底之间的互连，提高微焊点或者具有以上材料组织及结构特征的器件的服役寿命。
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公开(公告)号：CN109014227A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811116483.6
申请日：2018-09-25
Applicant: 大连理工大学 , 中国人民解放军陆军装甲兵学院
IPC: B22F9/10
Abstract: 本发明提供一种逐液滴离心雾化法制备超细球形金属粉末的装置及方法，装置包括壳体、设置于壳体内的坩埚和粉末收集区，其特征在于：设置在粉末收集区的转盘为镶嵌式结构，选择导热性较差的材料转盘的基体部分，选择与液滴的润湿角小于90°的金属材料，镶嵌进主体部分作为转盘的雾化平面，转盘内设有通气孔。本发明公开了通过逐液滴离心雾化法制备超细球形金属粉末的方法，主要结合均匀液滴喷射法和离心雾化法两种方法，突破了传统金属分裂模式，使熔融金属呈现出纤维状分裂，从而能够高效制备出粒径分布区间窄、圆球度高、流动性好、铺展性优良且尺寸均匀可控、无卫星滴的超细球形金属粉末，适宜工业化生产。
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公开(公告)号：CN108754459A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810343373.7
申请日：2018-04-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C18/12
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1295
Abstract: 本发明提供了一种采用全无机前驱体溶液制备二氧化锆基铁电薄膜的方法及应用。首先以无机锆盐、无机高对称相稳定剂作为前驱体配制澄清透明的全无机二氧化锆基前驱体溶液；然后根据氧化锆基薄膜的厚度要求，可多次将前驱体溶液涂覆在经过标准RCA清洗工艺清洗后的基片表面并经干燥、预热处理、快速退火晶化得到正交相Pca21空间群晶体结构的氧化锆基铁电薄膜。本发明的特点在于：薄膜厚度精确可控、致密性好、成膜均匀性好、表面粗糙度小、晶粒尺寸小；成本低廉，设备和操作环境要求简单，掺杂元素选择灵活多样，生产工艺简单，工艺重复性好、易于实现工业化生产。
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