-
公开(公告)号：CN113088912A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110364458.5
申请日：2021-04-05
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于微电子和半导体加工技术领域，一种改善TaOx基阻变存储器可靠性的硅掺杂磁控溅射工艺，包括以下步骤：(1)清洗SiO2/Si衬底，(2)在SiO2/Si衬底上采用磁控溅射方法镀制下电极TiN薄膜，(3)在下电极TiN薄膜上采用磁控溅射沉积TaOx薄膜并掺杂Si，(4)把经步骤3溅射沉积的Si掺杂TaOx薄膜进行退火，(5)磁控溅射镀制上电极。本发明在TaOx薄膜中掺杂Si，能有效的调节TaOx薄膜中缺陷结构，增加了氧空位浓度，降低了器件的操作电压，增大了记忆窗口，提高器件的可靠性，且工艺流程简单，薄膜沉积速度快，可以为阻变存储器的大规模推广应用提供技术支持。
-
公开(公告)号：CN108735749A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810372287.9
申请日：2018-04-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L27/11502
Abstract: 本发明提供了一种钇掺杂二氧化锆铁电薄膜的制备方法及应用。首先以无机锆盐、无机钇盐为前驱体配制澄清透明的全无机钇掺杂二氧化锆(ZrYO2)前驱体溶液；然后根据ZrYO2薄膜的厚度要求，可多次将前驱体溶液涂覆在经过标准RCA清洗工艺清洗后的基片表面并经干燥、预热处理、快速退火晶化得到正交相Pca21空间群晶体结构的ZrYO2铁电薄膜。本发明的特点在于：薄膜厚度精确可控、致密性好、成膜均匀性好、表面粗糙度小、晶粒尺寸小；成本低廉，设备和操作环境要求简单，掺杂元素含量灵活可控，生产工艺简单，工艺重复性好、易于实现工业化生产。
-
公开(公告)号：CN108641288A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810375969.5
申请日：2018-04-20
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: C08K9/06 , C08K3/22 , C08K2003/2244 , C08K2201/003 , C08K2201/011 , C08L63/00
Abstract: 一种纳米氧化锆/环氧树脂复合材料及其制备方法属于材料制备技术领域。纳米氧化锆/环氧树脂复合材料包括氧化锆纳米粒子和环氧树脂，氧化锆纳米粒子能均匀分散在环氧树脂基体中，其添加量为环氧树脂的1～10wt％。方法包括：(1)采用溶胶-凝胶燃烧法制备氧化锆纳米粒子；(2)利用硅烷偶联剂对其进行表面改性；(3)将改性氧化锆纳米粒子分散于环氧树脂中，形成均匀的纳米氧化锆/环氧树脂分散体系；(4)加入固化剂将其固化。本发明将通过改进溶胶-凝胶法合成的ZrO2纳米粒子以偶联剂改性的方式引入环氧树脂体系中，使固化后树脂的韧性明显提高，极大增强环氧树脂的机械性能，且制备工艺简单、生产成本低、反应条件温和、可批量生产，能够满足航空航天和民用工业等多个领域对树脂材料的特殊要求。
-
公开(公告)号：CN108588693A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810343251.8
申请日：2018-04-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C20/08
CPC classification number: C23C20/08
Abstract: 本发明属于微电子器件领域，公开了采用全无机前驱体溶液制备钇掺杂二氧化铪铁电薄膜的方法及应用。以无机铪盐和无机钇盐为原料，采用全无机前驱体溶液法制备不同浓度钇掺杂的二氧化铪溶液；随后采用标准RCA工艺清洗基片以除去其表面的杂质污染，随后对基片进行预处理以增加基片表面的润湿性；然后在基片表面沉积钇掺杂二氧化铪薄膜；最后对薄膜进行预热处理及退火晶化，实现高对称性的正交相、四方相、立方相或其混合相在室温下的稳定，从而使薄膜具有初始本征的或可在外场诱导下产生的铁电性质。本发明原料价廉成本低，设备和操作环境要求简单，成分及膜厚可控，铁电性能易于调控，易于实现工业化生产。
-
公开(公告)号：CN105621480A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610050681.1
申请日：2016-01-25
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: C01G25/02 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/64
Abstract: 本发明提供一种采用低温煅烧锆溶胶制备二氧化锆纳米粉体的方法。以水溶性锆无机盐为原料，溶于去离子水中；加入碱性沉淀剂生成悬浊液，经过离心或过滤获得沉淀；向沉淀中加入一元酸或一元酸与双氧水混合液，不断搅拌解胶后得到澄清的锆溶胶前驱体；最后将锆溶胶前驱体干燥脱水后选择不同温度区间煅烧分解，既能够获得非晶无定形二氧化锆纳米粉体，也能够获得无掺杂即可保持四方相稳定的二氧化锆纳米粉体，粉体的平均粒径可控制在3-10nm之间。本发明提出的高性能二氧化锆纳米粉体制备方法具有以下优点：粉体的粒径小、分布窄、分散性好；所用原料试剂易得且价格低廉；设备要求及操作工艺简单，能耗低、无污染，易于实现工业生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112701220B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202011145821.6
申请日：2020-10-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明属于微电子材料与半导体器件技术领域，一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：(1)对商业用Pt/Ti/SiO2/Si衬底进行清洗，(2)利用下电极掩模版沉积金属Hf缓冲层薄膜的制作，(3)利用下电极掩模版沉积HfO2阻变功能层薄膜的制作，(4)HfO2阻变功能层薄膜进行氮气退火处理，(5)利用上电极掩模版沉积金属上电极层薄膜的制作，最终完成带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器(TiN/HfO2/Hf/Pt)制作。本发明利用磁控溅射制作了一种带有金属Hf缓冲层的HfO2基忆阻器，结构简单，重复性高，降低了忆阻器的制作成本，具有科学研究价值，有利于第四种无源电路元件的推广与应用。
-
公开(公告)号：CN116496102A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310466106.X
申请日：2023-04-27
Applicant: 大连理工大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/468 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B35/622 , C04B41/90 , H10N30/092 , H10N30/20 , H10N30/088
Abstract: 一种基于冷冻铸造法制备压电陶瓷纤维复合材料驱动器的方法，利用冷冻铸造技术，以陶瓷粉末为原料，加入添加剂、分散剂、粘结剂和助烧剂，配制成陶瓷浆料，经冷冻、真空干燥、烧结后得到片层状陶瓷；将其在真空下浸渍填充聚合物，获得陶瓷/聚合物压电纤维复合物；利用磁控溅射、3D打印等技术，将材料双面镀上叉指型电极，得到叉指型压电纤维复合材料器件。本发明采用冷冻铸造技术，打破传统制备压电纤维复合材料的局限性，层状结构更加致密，层间距能够达到微米级，提高电子器件的机电耦合性和机电转换效率；同时简化MFC制备工艺，提升柔塑性和能量转化效率；适用于多种压电陶瓷材料，工艺流程简单，可控性强，成本低、绿色环保，适合于批量生产多种尺寸类型的柔性驱动器、传感器、减震器。
-
公开(公告)号：CN113463054B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110779476.X
申请日：2021-07-09
Applicant: 大连理工大学 , 重庆康益青科技有限公司
Abstract: 一种介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法，属于通讯技术领域。首先对基体进行湿法清洗，干燥后置入真空腔内，采用等离子体对基体进行轰击处理；其次，在不脱离真空条件下磁控溅射沉积高活性的金属或过渡金属化合物作为粘附层；再次，在不脱离真空条件下，采用磁控溅射方法在粘附层表面沉积金属薄膜作为信号传输导体层；最后，在信号传输层表面继续磁控溅射生长抗氧化保护和焊接层。本发明所有膜层均采用磁控溅射完成；采用在非平衡磁场分布下的高功率脉冲磁控溅射可以大幅度提高Ar气以及金属原子的离化率；通过在样品台施加磁场或偏压等方式，能够解决普通平衡磁控溅射技术孔内镀膜的覆盖率低和均匀性差等问题；降低生产成本、节约溅射时间。
-
公开(公告)号：CN113745332A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110968495.7
申请日：2021-08-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778
Abstract: 一种基于铁电性Ⅲ族氮化物极化反转的增强型高电子迁移率晶体管，其自下而上依次为衬底、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和钝化层；势垒层包括非铁电性势垒层、铁电性Ⅲ族氮化物势垒层，铁电性Ⅲ族氮化物势垒层在非铁电性势垒层和钝化层之间。缓冲层和势垒层形成禁带宽度不同的异质结，缓冲层禁带宽度小于势垒层禁带宽度；缓冲层上表面的两端设有源电极和漏电极；铁电性Ⅲ族氮化物势垒层上设有栅电极，栅电极嵌套在钝化层中。本发明缓冲层和势垒层均采用Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料，二者制备工艺兼容，各层薄膜生长质量高、薄膜间界面特性好；同时Ⅲ族氮化物铁电材料的电滞回线矩形度高、剩余极化强度大，器件关闭和导通状态的保持时间长，服役可靠性更高。
-
公开(公告)号：CN109712820B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910056548.0
申请日：2019-01-22
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种全过渡金属氮化物集流体/电极超级电容器及其制备方法，属于新能源材料与器件技术领域。首先，清洗去除衬底材料表面的杂质；然后在衬底表面先沉积一层具有高致密度、高导电性的过渡金属氮化物薄膜作为电子输运集流体材料，再通过调控沉积工艺参数在集流体上直接继续生长一层疏松多孔、低导电性的过渡金属氮化物薄膜作为电极材料。本发明集流体和电极同为过渡金属氮化物连续生长，通过简单地改变薄膜沉积工艺参数对材料的性能进行剪裁，工艺简便易行、成本低，薄膜沉积技术选择种类多、工艺适用性强，解决了异类集流体和电极材料间附着力差、晶格失配和热膨胀系数差异导致分层开裂以及接触电阻大的问题，将极大提高超级电容器的功率密度、热稳定性和长期服役可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.021 seconds)
