公开(公告)号：CN101912973A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010242118.7

申请日：2010-07-29

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 董伟 ,  彭旭 ,  谭毅

IPC: B22F9/08

Abstract: 本发明一种小孔喷射制备均一凝固粒子的方法及装置属于高熔点微粒子制备的技术领域，特别涉及一种小孔喷射制备均一凝固粒子的方法。使用加热器将带中心孔的坩埚中的原料熔化，然后给压电陶瓷输入一定波型的脉冲信号，压电陶瓷带动活塞杆向下移动挤压熔体，熔体从带喷射小孔的螺栓的小孔中喷射出来形成液滴，液滴在环形降落管中冷凝形成均一凝固粒子。该装置中真空炉和收集仓由左支架和右支架固定连接在一起，真空炉和收集仓中间由环形降落管连通，真空炉由炉体和炉门组成。本发明针对不同的高熔点材料，能巧妙制备出大小均一、组织一致、圆球度好、尺寸可控，满足需求的各种微粒子材料。具有效率高、装置简单、节约能源。

公开(公告)号：CN101913608B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010242101.1

申请日：2010-07-29

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 谭毅 ,  姜大川 ,  董伟 ,  顾正 ,  彭旭

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9％以上的石英环中，在电子束作用下熔炼，利用高真空度将氧化硼去除。先将工业硅料放入石英环中；再将石英环放入水冷铜坩埚中，关闭真空装置盖。其所采用装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳，真空圆桶内腔即为真空室。可以将分凝系数较大的硼用电子束熔炼去除，有效提高了多晶硅的纯度，具有效率高、装置简单、节约能源的优点。

公开(公告)号：CN101912973B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010242118.7

申请日：2010-07-29

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 董伟 ,  彭旭 ,  谭毅

IPC: B22F9/08

Abstract: 本发明一种小孔喷射制备均一凝固粒子的方法及装置属于高熔点微粒子制备的技术领域，特别涉及一种小孔喷射制备均一凝固粒子的方法。使用加热器将带中心孔的坩埚中的原料熔化，然后给压电陶瓷输入一定波型的脉冲信号，压电陶瓷带动活塞杆向下移动挤压熔体，熔体从带喷射小孔的螺栓的小孔中喷射出来形成液滴，液滴在环形降落管中冷凝形成均一凝固粒子。该装置中真空炉和收集仓由左支架和右支架固定连接在一起，真空炉和收集仓中间由环形降落管连通，真空炉由炉体和炉门组成。本发明针对不同的高熔点材料，能巧妙制备出大小均一、组织一致、圆球度好、尺寸可控，满足需求的各种微粒子材料。具有效率高、装置简单、节约能源。

公开(公告)号：CN101913608A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010242101.1

申请日：2010-07-29

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 谭毅 ,  姜大川 ,  董伟 ,  顾正 ,  彭旭

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9％以上的石英环中，在电子束作用下熔炼，利用高真空度将氧化硼去除。先将工业硅料放入石英环中；再将石英环放入水冷铜坩埚中，关闭真空装置盖。其所采用装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳，真空圆桶内腔即为真空室。可以将分凝系数较大的硼用电子束熔炼去除，有效提高了多晶硅的纯度，具有效率高、装置简单、节约能源的优点。