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公开(公告)号：CN102173424B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110033792.9
申请日：2011-01-31
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明属于冶金法提纯多晶硅领域。一种真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法，首先，在高真空状态下，利用感应加热方式熔炼硅粉，去除多晶硅中的磷杂质，然后进行拉锭，利用定向凝固技术将硅粉中的金属杂质去除。本发明方法简单，同时应用真空感应熔炼和定向凝固技术来去除多晶硅中的磷及金属杂质，实现了硅粉的熔炼，除杂效果良好，去除效率高，有效地利用了感应线圈加热温度高的特点，方法简单易行，集成了除磷和除金属的双重效果，产量大，适合大规模生产工业生产，提纯效果稳定。
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公开(公告)号：CN101913608B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010242101.1
申请日：2010-07-29
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9％以上的石英环中，在电子束作用下熔炼，利用高真空度将氧化硼去除。先将工业硅料放入石英环中；再将石英环放入水冷铜坩埚中，关闭真空装置盖。其所采用装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳，真空圆桶内腔即为真空室。可以将分凝系数较大的硼用电子束熔炼去除，有效提高了多晶硅的纯度，具有效率高、装置简单、节约能源的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102173424A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110033792.9
申请日：2011-01-31
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明属于冶金法提纯多晶硅领域。一种真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法，首先，在高真空状态下，利用感应加热方式熔炼硅粉，去除多晶硅中的磷杂质，然后进行拉锭，利用定向凝固技术将硅粉中的金属杂质去除。本发明方法简单，同时应用真空感应熔炼和定向凝固技术来去除多晶硅中的磷及金属杂质，实现了硅粉的熔炼，除杂效果良好，去除效率高，有效地利用了感应线圈加热温度高的特点，方法简单易行，集成了除磷和除金属的双重效果，产量大，适合大规模生产工业生产，提纯效果稳定。
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公开(公告)号：CN101913608A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010242101.1
申请日：2010-07-29
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9％以上的石英环中，在电子束作用下熔炼，利用高真空度将氧化硼去除。先将工业硅料放入石英环中；再将石英环放入水冷铜坩埚中，关闭真空装置盖。其所采用装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳，真空圆桶内腔即为真空室。可以将分凝系数较大的硼用电子束熔炼去除，有效提高了多晶硅的纯度，具有效率高、装置简单、节约能源的优点。
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公开(公告)号：CN101905886B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010247815.1
申请日：2010-08-02
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 本发明一种电子束梯度熔炼提纯多晶硅的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，涉及一种利用电子束熔炼技术去除多晶硅中磷和金属杂质的方法。该方法采用改变电子束束流大小，产生能量大小不同分布，去除挥发性杂质磷的同时实现定向凝固效果。首先取磷和金属杂质含量高的硅料洗净、烘干后置于电子束熔炼炉中，然后以高束流电子束完全熔化硅料；此后逐渐降低电子束的束流，在小束流下保温；关闭束流后冷却，最后取出硅锭，切去硅锭的顶部得到磷和金属杂质含量较低的硅锭。本发明去除磷和金属杂质效果好，采用电子束除磷和定向凝固去除金属的双重作用，提高提纯效率，减少工艺环节，技术稳定，周期短，节约能源，成本低。
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公开(公告)号：CN101905886A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010247815.1
申请日：2010-08-02
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 本发明一种电子束梯度熔炼提纯多晶硅的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，涉及一种利用电子束熔炼技术去除多晶硅中磷和金属杂质的方法。该方法采用改变电子束束流大小，产生能量大小不同分布，去除挥发性杂质磷的同时实现定向凝固效果。首先取磷和金属杂质含量高的硅料洗净、烘干后置于电子束熔炼炉中，然后以高束流电子束完全熔化硅料；此后逐渐降低电子束的束流，在小束流下保温；关闭束流后冷却，最后取出硅锭，切去硅锭的顶部得到磷和金属杂质含量较低的硅锭。本发明去除磷和金属杂质效果好，采用电子束除磷和定向凝固去除金属的双重作用，提高提纯效率，减少工艺环节，技术稳定，周期短，节约能源，成本低。
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公开(公告)号：CN202267357U
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201120279678.X
申请日：2011-08-03
Applicant: 宁夏宁电光伏材料有限公司 , 大连理工大学
Abstract: 本实用新型属于用冶金技术提纯的技术领域一种电子束熔炼用石墨和涂层衬底的水冷装置，包括水冷铜坩埚，水冷铜坩埚两侧分别安装有进水口和出水口，水冷铜坩埚内壁放置石墨衬底，石墨衬底外沿置于水冷铜坩埚外沿之上，石墨衬底的内壁上喷涂有Si3N4涂层。本实用新型设备结构简单，功能实用，在原有水冷铜坩埚的基础上设置一个高纯石墨衬底，并在高纯石墨衬底上喷涂Si3N4涂层，从而将金属熔液与水冷铜坩埚隔离开来，减少冷却水带走的热量，能量利用率提高，成本降低，提高杂质的去除效率，Si3N4涂层将金属熔液与石墨衬底隔离开，减少石墨中杂质对金属的污染，有效提高其纯度。
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