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公开(公告)号：CN110451564A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910705361.9
申请日：2019-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明属于二维半导体材料技术领域，具体为基于衬底硫化预处理的单层二硫化钼的制备方法。本发明以硅片作为生长衬底，在衬底经过清洗之后，将其置于石英试管中在含硫蒸气的环境下进行硫化处理，接着采用化学气相沉积的方法制备单层二硫化钼。本发明通过优化衬底硫化处理的温度、时间，制备出高质量的单层二硫化钼单晶及大面积连续薄膜。该方法过程简单，无需价格昂贵的硫化源及生长源。所制备的高质量单层二硫化钼可以用于制备具有更高荧光量子产率、更优异性能的特殊功能的光电子器件和微纳电子器件。
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公开(公告)号：CN109325304A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811177495.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的计算方法。本发明通过对隧穿场效应器件的隧穿系数进行建模，通过隧穿系数与电荷通量乘积积分得到齐纳击穿电流解析表达式。该电流表达式形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究石墨烯隧穿场效应管时提供一种快速电路仿真工具。本发明所涉及的隧穿场效应管，以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p+-i-n+结。仿真结果表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的应用基础。
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公开(公告)号：CN107425909A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710349857.8
申请日：2017-05-17
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H04B10/116 , F21V5/00 , F21V23/003 , F21V23/02 , F21V31/00 , H04B10/80 , H04B13/02
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，公开一种基于可见光激光光源的水下照明和通信系统。本发明使用发光波长在可见光波段的激光光源，激光光源由氮化镓或者砷化镓基半导体材料制备；激光光源由直流驱动电源驱动，并经过散热封装，发出的激光由光学元件散射后，可以用于水下照明；通过加入通信调制信号，与直流电源共同驱动激光器，激光光源则具备水下照明和通信的双重作用；为了实现通信用途，接收端使用光学元件作为接收天线，用光电探测器将接收到的光信号转换为电信号，并处理接收信号。本发明使用激光光源同时实现了水下照明和通信的用途，具有能源利用效率高、通信速率快、保密性高和时延短的优势。
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公开(公告)号：CN104881520B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510220301.X
申请日：2015-05-04
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种三栅FinFET电势和亚阈值摆幅的提取方法。本发明首先根据沟道电势分布的三维泊松方程，构筑合适的边界条件，建立沟道的电势分布的解析模型；然后根据三栅FinFET的电势分布，根据器件工作在亚阈值区的情况下，沟道表面电势、电场状况，建立亚阈值电流解析模型，并由此得到亚阈值摆幅的解析模型；然后根据获得的电势分布的解析模型和亚阈值摆幅的解析模型，快速、准确、方便地计算得到三栅FinFET电势和亚阈值摆幅。本发明方法物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为新型三栅FinFET器件的关键参数提取提供了一种有效的解决办法。
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公开(公告)号：CN107195734A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710349492.9
申请日：2017-05-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007
Abstract: 本发明属于半导体光电子技术领域，具体公开一种高效率micro‑LED的制备方法。本发明使用氮化镓（GaN）基LED外延片制备高效率低功耗micro‑LED芯片，外延片衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或同质氮化镓衬底。制备步骤包括刻蚀micro‑LED台面、沉积和刻蚀绝缘层、沉积n型和p型电极、退火形成欧姆接触、沉积互连电极、衬底剥离、衬底转移和表面粗化。所制备的micro‑LED的尺寸范围从1微米到100微米，并形成密集阵列，适用于微显示、光通信、生物医学、高分辨显微镜成像和荧光寿命测试等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103413833B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310286047.4
申请日：2013-07-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种柔性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该柔性薄膜晶体管包括柔性基底、平坦层、隔绝缓冲层、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极及半导体沟道层。n型和p型氧化锌半导体沟道层采用简单的无机溶液法制备，整个工艺温度控制在200℃以内。制作时在基底双面生长同样厚度的平坦层及隔绝缓冲层，并通过热退火的方式缓解工艺过程中的柔性衬底弯曲，提高后续的光刻对准精度。本发明可提高柔性TFT及后续器件的可操作性及稳定性，且制备工艺简单，生产成本较低。
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公开(公告)号：CN104897637A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510122167.X
申请日：2015-03-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明属于食品安全检测技术领域，具体涉及一种基于拉曼散射的食品农药化肥残留检测装置及检测方法。本发明装置包括光源产生、滤光、样品浓度测量以及数据处理等系统；光源产生系统将固定波长的激光照射到被测液体样品表面，由被测样品表面返回的散射光送至滤光系统；滤光系统可以通过能够表征某一物质的特定波长的散射光，滤除其他波长的散射光；样品浓度测量系统将特定波长的散射光信号转换成相应的数字电信号；数字信号处理系统对数字电信号进行处理，得到相对应的表征某一物质的含量。整个检测系统可以集成在很小的装置中，可以方便、可靠地对蔬菜水果表面残留的化肥农药进行检测。
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公开(公告)号：CN104020160A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410253027.1
申请日：2014-06-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于传感检测技术领域，具体为用于化学发光传感检测的空芯光纤传感腔。该传感腔是在基管内壁上镀上一层均匀的反射层金属膜，再在该金属膜上镀制包埋了催化酶HRP的溶胶-凝胶膜而形成的一个多层膜结构；纤芯为反应溶液，该反应溶液含有待测物质。在催化酶的作用下反应溶液发生化学反应，并发出可见光，光信号经光纤传感腔内壁金属膜的反射，传输到光纤末端的探测器转变为电信号，从而实现对反应溶液中待测物质含量的检测。由于化学发光向周围扩散，采用空芯镀膜光纤收集光信号，增加了光信号收集和耦合效率；同时采用化学发光，省却了光源激发，大大降低背景噪声。
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公开(公告)号：CN103413833A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310286047.4
申请日：2013-07-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种柔性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该柔性薄膜晶体管包括柔性基底、平坦层、隔绝缓冲层、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极及半导体沟道层。n型和p型氧化锌半导体沟道层采用简单的无机溶液法制备，整个工艺温度控制在200℃以内。制作时在基底双面生长同样厚度的平坦层及隔绝缓冲层，并通过热退火的方式缓解工艺过程中的柔性衬底弯曲，提高后续的光刻对准精度。本发明可提高柔性TFT及后续器件的可操作性及稳定性，且制备工艺简单，生产成本较低。
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公开(公告)号：CN102270263B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110260259.6
申请日：2011-09-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义方法，当栅极所加电压使得硅表面处导带最低点与硅的费米能级重合时的电压值，从而得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究新型肖特基源漏双栅结构器件时候，提供了一种快速的工具。
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