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公开(公告)号：CN102724115B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210179489.4
申请日：2012-06-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H04L12/70
Abstract: 本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种适用于片上网络系统的链路层容错电路设计。该片上网络采用mesh拓扑结构，简单有效；路由算法采用XY固定路由算法，从而有效避免死锁的发生；流控采用虫孔方法，可以有效降低包的延迟时间。每个节点有东、西、南、北、本地5个方向，由数据链路接收端link_rx、输入buffer缓冲器、路由计算部件、仲裁器、交叉开关、数据链路发送端link_tx及本地节点接收lp_buf缓冲器组成。在不增加冗余连线的情况下，通过重组包/恢复包的方法进行低延迟的分离传输。通过这种方式可以提高片上网络系统的可靠性，提高链路层的利用率。本发明能够较好地应用于片上网络系统。
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公开(公告)号：CN104575588A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410743411.X
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种双胞胎存储单元。其单元电路包括一对结构完全相同的非对称的6管存储单元和一个共享的读晶体管；这对6管存储单元拥有不同的字线，共享一对位线和一个虚拟地结点；每个6管存储单元包含一对交叉耦合的反相器和两个传输NMOS管。保持状态下，所有字线WL与写字线WWL为低，读字线RWL为高，位线对BL和BLB为高；当进行写操作时，一个6管存储单元的字线WL与写字线WWL开启，读字线RWL保持为高，数据从位线BL和BLB写入存储单元；进行读操作时，一个6管存储单元的字线WL为高，写字线WWL和读字线RWL为低，数据通过动态的方式读出到位线BL上。本发明具有较高的读、写稳定性，并能在亚阈值电压下工作。
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公开(公告)号：CN104506194A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410753991.0
申请日：2014-12-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H03M1/36
Abstract: 本发明属于列并行架构模数转换器技术领域，具体为一个用于列并行架构两步式模数转换器的共享型有源斜坡转换电路。本发明的共享型有源斜坡转换电路包括有源开关电容模块和无源开关电容模块两部分。有源开关电容模块由一个运算放大器、一个的采样电容、一个寄生平衡电容和六个开关组成，其工作状态与待测信号无关；无源开关电容模块由一个采样电容、一个寄生平衡电容和一个开关组成，其工作状态决定于待测信号。当共享型有源斜坡转换电路应用于列并行架构时，一个有源开关电容模块被列并行的无源开关电容模块所共享。本发明能够有效减小列并行架构两步式模数转换器的功耗和面积。
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公开(公告)号：CN104410403A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410741630.4
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种亚阈值电平转换器。其结构包括一个输入反相器，一个电平转换电路，一个输出反相器。其中输入反相器用于产生两个互补的差分输入信号；电平转换电路用于实现输入信号从低电压到高电压的电平转换，输出反相器用于产生全摆幅的高压输出信号。本发明结构简单，能够有效的实现一个信号从亚阈值电压到高电压的电平转换。
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公开(公告)号：CN104409094A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410742586.9
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种亚阈值6管存储单元。其单元结构包括一个反相器，一个存储PMOS管，一个电源反馈PMOS管及两个NMOS传输管。反相器与存储PMOS管交叉耦合，形成存储器的存储核心，并且它们的电源电压由电源反馈管控制；两个NMOS传输管与分别与两个存储结点相连，构成存储单元的读、写电路；电源反馈管用于控制整个存储单元的电源供给；存储单元通过差分位线的方式，将数据写入存储单元，而通过单端位线的方式将数据读出，即通过传输NMOS管及反相器的下拉管形成的下拉通路将数据读出到位线上。本发明具有较小的面积，非常低的漏电流，及较高的低电压工作稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104409093A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410742432.X
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种抗单粒子反转的差分10管存储单元。其单元结构包括两对交叉耦合的PMOS对、两对交叉耦合的NMOS对及一对NMOS传输管，并且含有4个互锁的存储结点。其中，第一和第二个存储结点通过第一对交叉耦合的PMOS对互锁；第一和第三个存储结点通过第一对交叉耦合的NMOS对互锁；第二和第四个存储结点通过第二对交叉耦合的NMOS对互锁；第三和第四个存储结点通过第二对交叉耦合的PMOS对互锁；当存储单元受到单粒子事件干扰时，互锁的存储结点能够有效的抗击单粒子干扰，保护存储的数据不被反转。本发明和6管存储单元一样，有着同样的差分读、写操作方式，却消除了6管存储单元常发生的读破坏和半选择破坏。
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公开(公告)号：CN103746694A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410014952.9
申请日：2014-01-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H03M1/06
Abstract: 本发明属于半导体和集成电路技术领域，具体为一种应用于两步式积分型模数转换器的斜坡转换电路。本发明的斜坡转换电路包括一个运算放大器、一对的采样电容、一对寄生平衡电容和六个开关。在第一步高位模数转换时，输入斜坡信号直接输出，同时被运算放大器和第一个采样电容采样和保持；在第二步低位模数转换时，输入斜坡信号输入到运算放大器正输入端，运算放大器将其正输入端的电压变化以增益为一的方式传递到第二个采样电容的浮空极板，并在此与第一步的保持电压进行叠加，作为斜坡转换电路的输出。本发明可以有效消除该类型模数转换器电压变化的传递过程中由寄生电容引起的增益误差，提高精度和速度。
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公开(公告)号：CN103578531A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310494138.7
申请日：2013-10-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器设计领域，具体为一种负位线电压产生电路。其结构包括一个耦合电容，一个负责将耦合后的电平拉回“0”的下拉管，一个负责对下拉管栅极充电的预充管和一个负责放电的放电管，及两对反相器。其中一个反相器为低偏斜反相器，用于产生瞬间的高电平到低电平的跳变；另一个则为管脚地被下拉管控制的输出反相器，用于数据输出。本发明结构简单，能够有效的产生负位线电压。
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公开(公告)号：CN103491372A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310399101.6
申请日：2013-09-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H04N19/117 , H04N19/13 , H04N19/61
Abstract: 本发明属于高清数字视频压缩编解码技术领域，具体为一种适用于HEVC标准的去方块滤波器的滤波方法。设每幅图像包括一个亮度分量Y，应两个色度分量Cb、Cr；在去方块滤波器模块中，基于一个quarter-LCU单元进行处理；设需要处理的quarter-LCU的像素点块有垂直边和水平边；本发明方法的滤波顺序为：先对垂直边进行滤波，然后对水平边进行滤波；对于各条垂直边，自左至右依次进行滤波，对于每条垂直边两侧的像素点块，自上而下依次进行滤波；对于各条水平边，自上而下依次进行滤波，对于每条水平边两侧的像素点块，自左至右依次进行滤波。本发明可以有效地减小对于外部存储器的读取次数，减小处理时间，提高芯片处理能力，从而高效的实现高清视频的实时编码。
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公开(公告)号：CN103440210A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310365831.4
申请日：2013-08-21
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02D10/13
Abstract: 本发明属于微处理器技术领域，具体为一种异步时钟控制的寄存器堆读隔离方法。本发明基于一个包含基本流水线结构的微处理器构架，在访问寄存器堆流水级时，检测是否需要对寄存器堆进行读操作，如果发现对寄存器堆的读操作是无用的（无用的读操作包括两种情况：指令本身不需要访问寄存器堆，以及所需要的操作数可以通过反馈网络获取），则通过一个局部的异步时钟网络来保持住给寄存器堆的读地址，使之不变，由于寄存器堆的读操作是异步读出，则若地址保持不变，相应的逻辑就不会翻转，从而降低了无用的读寄存器堆功耗。
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