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公开(公告)号：CN106904580A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710137965.9
申请日：2017-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用水热法合成1T相‑无序度协同调控的二维纳米片的方法，本发明涉及一种二维纳米片的制备方法，它要解决现有MX2纳米片通常为半导体性质的2H相结构，且较难实现对结晶无序度调控的问题。合成方法：一、按摩尔比为1：2：(2～10)将含过渡金属元素的前驱体化合物、硫属元素的单质或含硫属元素前驱体化合物以及还原剂分散于去离子水中；二、控制加热温度进行水热反应，清洗产物得到二维MX2纳米材料；三、烘干处理。本发明通过水热法实现了一步1T相‑无序度协同调控的二维纳米片，通过调节还原剂的量实现对1T相含量的调控，通过调节水热反应的温度实现纳米片晶格无序度的调节。且得到的二维纳米片具有良好的催化制氢效率。
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公开(公告)号：CN106024926A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610560686.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0312 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/0312 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有窄禁带半导体紫外光电位敏传感需要遮光片的问题。该近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。制备方法：一、金属氧化物粉末压片成型，制备金属氧化物靶材；二、清洗β‑SiC基片；三、采用准分子激光器辐照金属氧化物靶材，利用激光脉冲在基片上沉积金属氧化物层。本发明采用的SiC宽禁带半导体仅在紫外/近紫外光区响应，所以不需要增加遮光片，并且该传感器的位置灵敏度较高。
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公开(公告)号：CN103248471B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310192223.8
申请日：2013-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04L7/00
Abstract: 基于PTP协议与反射内存网的时钟同步方法，涉及虚拟仿真试验技术领域。本发明解决了现有的通信方法由于网络的不平稳性使得时钟同步的精度低的问题，提出了基于PTP协议与反射内存网的时钟同步方法。该方法适用于对虚拟仿真试验中主机和节点设备之间的时钟同步，主机和节点设备上插一块反射内存卡，反射内存卡之间通过光纤进行数据传输，步骤一：构建主从时钟；步骤二：偏移校正阶段：步骤三：重复偏移校正；步骤四：数据处理算法得到偏移值；步骤五：得到最佳拟合值；步骤六：延时矫正阶段；步骤七：重复延时矫正；步骤八：数据处理算法得到延时值；步骤九：得到最佳拟合值，完成主时钟和从时钟的时钟同步。本发明适用于虚拟仿真试验。
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公开(公告)号：CN103553034A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310558449.5
申请日：2013-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种三维孔状石墨烯骨架的制备方法及其应用，涉及一种石墨烯骨架的制备方法及其应用。本发明是要解决目前很难制备高性能、高稳定性的三维孔状结构石墨烯的技术问题。本发明的方法为：将氧化石墨在真空或充入气体的条件下密封于石英管中，将石英管转移到马弗炉中，加热到并保温，然后取出石英管快速浸入冰水中，多次重复以上加热-淬火过程，收集石英管内产物，所得产物即为三维孔状石墨烯骨架。本发明的方法简单，环境友好，所得具有特殊结构的三维石墨烯骨架能有效的提高石墨烯的可用负载面积，所制备的三维孔状石墨烯骨架可广泛用于锂离子电池、燃料电池、太阳能电池、光催化、催化氧化、气体传感器、药物输运等领域。
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公开(公告)号：CN102094255B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010602018.0
申请日：2010-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种聚对苯撑苯并二噁唑工业化连续聚合方法，涉及聚对苯撑苯并二噁唑聚合方法。本发明解决现有聚合方法得到的聚对苯撑苯并二噁唑的分子量低、且分子量分布宽，及原料浪费的问题。聚合方法：首先将4，6-二氨基间苯二酚盐酸盐和多聚磷酸溶液在反应釜中混合后加入预聚反应釜中，再加入对苯二甲酸，反应得预聚反应体系，再将预聚反应体系通入串联静态混合反应器机组中，混合反应得熔体，再将熔体注入串联双螺杆挤出机机组中，挤出即可。本发明聚合得到的PBO聚合物的分子量在110000～130000，分子量分布窄，特性粘度达到34.25dL/g，能纺制高性能PBO纤维。能工业连续生产，一定程度上减少了原料浪费，节约了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102094255A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010602018.0
申请日：2010-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种聚对苯撑苯并二噁唑工业化连续聚合方法，涉及聚对苯撑苯并二噁唑聚合方法。本发明解决现有聚合方法得到的聚对苯撑苯并二噁唑的分子量低、且分子量分布宽，及原料浪费的问题。聚合方法：首先将4，6-二氨基间苯二酚盐酸盐和多聚磷酸溶液在反应釜中混合后加入预聚反应釜中，再加入对苯二甲酸，反应得预聚反应体系，再将预聚反应体系通入串联静态混合反应器机组中，混合反应得熔体，再将熔体注入串联双螺杆挤出机机组中，挤出即可。本发明聚合得到的PBO聚合物的分子量在110000～130000，分子量分布窄，特性粘度达到34.25dL/g，能纺制高性能PBO纤维。能工业连续生产，一定程度上减少了原料浪费，节约了成本。
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公开(公告)号：CN119040829A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411174586.3
申请日：2024-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种锡银铜铝四元合金的制备方法及在二次电池负极中的应用，它属于二次电池技术领域。本发明旨在解决现有的二次电池的材料有限、成本高、制备工艺复杂，合金类负极电化学性能不理想的问题。方法：一、以锡、银、铜、铝靶材为原料，设置氩气流速；二、分别设置锡靶、银靶、铜靶、铝靶的磁控溅射功率参数；三、设置磁控溅射的时间和基底转速，打开磁控溅射的电源，在集流体上开始溅射，溅射结束，得到锡银铜铝四元合金。一种锡银铜铝四元合金作为二次电池的负极活性材料使用。本发明制备工艺较为简单，因此成本大大降低，本发明解决了现有的锂离子电池锂资源储量有限、成本高的缺点，且本发明比现有的钠离子电池工艺简单、安全可靠、能量密度较高。
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公开(公告)号：CN118738171A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410768701.3
申请日：2024-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , H04B10/2575 , G01V8/10
Abstract: 一种全钙钛矿异质结材料及光电传感器的制备方法和应用，本发明是要解决位敏探测器的位置灵敏度较低、未有同时兼具信号光位置和强度解调的无线光通信系统的问题。本发明所述的全钙钛矿异质结材料是在n型铌掺杂钛酸锶基片上采用脉冲激光沉积法制备p型镍酸盐氧化物层，在镍酸盐氧化物层表面沉积卤素钙钛矿层。本发明利用光电性质优异的CsPbBr3作为吸光层，Nb:SrTiO3半导体作为衬底形成内建电场提供载流子驱动力，通过调控PrxSm1‑xNiO3薄膜中Pr和Sm的比例改变异质结的电输运性质，实现兼具优异的侧向光伏灵敏度和超快的响应速度的传感器，该器件能实现对激光功率和光斑位置的线性探测。
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公开(公告)号：CN115074820B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210684574.X
申请日：2022-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶RIG厚膜的双坩埚液相外延制备方法，涉及液相外延生长单晶薄膜技术领域，包括：采用双坩埚液相外延炉进行制备，其中，第一炉体用于厚膜外延生长和衬底更换，第二炉体用于备用熔体保温和原料更换；将原料加入位于第一炉体内的坩埚A内，加热并搅拌成均匀熔体；在第二炉体放置坩埚B，将原料加入坩埚B内，加热并搅拌成均匀熔体后备用；待坩埚A内的熔体表面呈现镜面后，将清洗后衬底放入熔体中进行液相外延生长，并通过替换备用坩埚实现持续液相外延生长，重复上述内容，维持液相外延生长至所需薄膜厚度后，取出衬底，并降温至室温后，得到单晶RIG厚膜。本发明实现薄膜持续生长并保证薄膜的生长质量。
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公开(公告)号：CN113380911B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202110644498.5
申请日：2021-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18 , G01B11/00
Abstract: 基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr3或CsPbBr3。将该异质结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。
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