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公开(公告)号：CN114752997A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210438009.5
申请日：2022-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种双坩埚液相外延生长装置，涉及液相外延生长设备技术领域，包括第一炉体、第二炉体、坩埚组件和驱动组件，所述第一炉体与所述第二炉体通过通孔相连；所述坩埚组件包括两个坩埚，两个所述坩埚分别设置于所述第一炉体和所述第二炉体内部；所述驱动组件用于分别驱动两个所述坩埚穿过所述通孔以对调在所述第一炉体和所述第二炉体内的位置。本发明通过两个坩埚连续调换进而实现液相外延生长薄膜的连续生长，突破膜厚的技术瓶颈，提高薄膜的质量和制备效率，有利于进行批量化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115360296A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210986016.9
申请日：2022-08-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料及其制备方法，涉及自旋电子学材料制备技术领域，本发明所述的制备方法首先采用真空封管工艺，在正的X蒸气压下合成CuCr2X4粉末材料，将获得的粉末材料与适量X粉末混合后低温氩气气氛烧结，制成富X的CuCr2X4靶材；进而采用激光脉冲沉积技术，以高能脉冲激光轰击富X的CuCr2X4靶材，在真空腔中产生一定的X蒸气分压，促使CuCr2X4薄膜在高温衬底上成为尖晶石相，以实现铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料的稳定制备。本发明制备的铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料结晶度高，在室温下(300K)具有铁磁性，饱和磁化强度为150‑250emu/cm3，尺寸满足自旋电子器件需求。
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公开(公告)号：CN115074820B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210684574.X
申请日：2022-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶RIG厚膜的双坩埚液相外延制备方法，涉及液相外延生长单晶薄膜技术领域，包括：采用双坩埚液相外延炉进行制备，其中，第一炉体用于厚膜外延生长和衬底更换，第二炉体用于备用熔体保温和原料更换；将原料加入位于第一炉体内的坩埚A内，加热并搅拌成均匀熔体；在第二炉体放置坩埚B，将原料加入坩埚B内，加热并搅拌成均匀熔体后备用；待坩埚A内的熔体表面呈现镜面后，将清洗后衬底放入熔体中进行液相外延生长，并通过替换备用坩埚实现持续液相外延生长，重复上述内容，维持液相外延生长至所需薄膜厚度后，取出衬底，并降温至室温后，得到单晶RIG厚膜。本发明实现薄膜持续生长并保证薄膜的生长质量。
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公开(公告)号：CN115074820A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210684574.X
申请日：2022-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶RIG厚膜的双坩埚液相外延制备方法，涉及液相外延生长单晶薄膜技术领域，包括：采用双坩埚液相外延炉进行制备，其中，第一炉体用于厚膜外延生长和衬底更换，第二炉体用于备用熔体保温和原料更换；将原料加入位于第一炉体内的坩埚A内，加热并搅拌成均匀熔体；在第二炉体放置坩埚B，将原料加入坩埚B内，加热并搅拌成均匀熔体后备用；待坩埚A内的熔体表面呈现镜面后，将清洗后衬底放入熔体中进行液相外延生长，并通过替换备用坩埚实现持续液相外延生长，重复上述内容，维持液相外延生长至所需薄膜厚度后，取出衬底，并降温至室温后，得到单晶RIG厚膜。本发明实现薄膜持续生长并保证薄膜的生长质量。
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公开(公告)号：CN120006379A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510215299.0
申请日：2025-02-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B19/06
Abstract: 本发明提供了一种用于液相外延的可调节衬底夹具及其使用方法，涉及液相外延生长设备技术领域，该用于液相外延的可调节衬底夹具，能够适用不同尺寸的衬底夹持，包括基板，基板上开有至少三个通孔；通孔的轴线均位于同一圆柱的侧面上；每个通孔内均设置有一个钳腿；钳腿包括第一段腿和第二段腿，第一段腿可转动的贯穿设置在相应的通孔内，第一段腿的一端和第二段腿的一端相互连接；第二段腿的另一端与相应的通孔轴线错开，所有第二段腿的另一端一起用于夹持衬底；基板上设置有旋转板，旋转板与各个钳腿分别传动连接，且通过绕圆柱的轴线转动旋转板，使得钳腿分别在相应的通孔内作相同的转动。
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公开(公告)号：CN114752997B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210438009.5
申请日：2022-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种双坩埚液相外延生长装置，涉及液相外延生长设备技术领域，包括第一炉体、第二炉体、坩埚组件和驱动组件，所述第一炉体与所述第二炉体通过通孔相连；所述坩埚组件包括两个坩埚，两个所述坩埚分别设置于所述第一炉体和所述第二炉体内部；所述驱动组件用于分别驱动两个所述坩埚穿过所述通孔以对调在所述第一炉体和所述第二炉体内的位置。本发明通过两个坩埚连续调换进而实现液相外延生长薄膜的连续生长，突破膜厚的技术瓶颈，提高薄膜的质量和制备效率，有利于进行批量化生产。
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