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公开(公告)号：CN113053835A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011549848.1
申请日：2020-12-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种半导体封装及其形成方法，半导体封装包括电子集成电路管芯、光电集成电路管芯及芯片间波导。电子集成电路管芯在侧向上被第一绝缘包封体包封。光电集成电路管芯在侧向上被第二绝缘包封体包封。光电集成电路管芯中的每一者包括光学输入/输出端子。芯片间波导设置在第二绝缘包封体之上，其中光电集成电路管芯通过芯片间波导彼此进行光学通信。
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公开(公告)号：CN112558240A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011009284.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 提供一种封装总成及其制造方法。所述封装总成包括第一封装组件及设置在第一封装组件旁边的光学信号端口。第一封装组件包括：第一管芯，包括电子集成电路；第一绝缘包封体，在侧向上覆盖第一管芯；重布线结构，设置在第一管芯及第一绝缘包封体上；以及第二管芯，包括光子集成电路且通过重布线结构电耦合到第一管芯。光学信号端口光学耦合到第一封装组件的第二管芯的边缘小平面。
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公开(公告)号：CN110646898A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910558565.4
申请日：2019-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 方法包括在半导体晶圆中形成多个光子器件，在半导体晶圆的第一侧中形成v形槽，形成延伸穿过半导体晶圆的开口，在开口内形成多个导电部件，其中，导电部件从半导体晶圆的第一侧延伸至半导体晶圆的第二侧，在v形槽上方形成聚合物材料，在开口内沉积模塑材料，其中，多个导电部件的导电部件通过模塑材料分隔开，在沉积模塑材料之后，去除聚合物材料以暴露V形槽，并且将光纤放置在V形凹槽内。本发明的实施例还涉及形成光子半导体器件的方法和光子系统。
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公开(公告)号：CN107689356A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710085702.8
申请日：2017-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/0652 , H01L21/4853 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/16238 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2924/15311 , H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L24/33 , H01L2224/171 , H01L2224/331
Abstract: 一种封装件包括衬底、穿透衬底的凸块下金属(UBM)，位于UBM上方并且与之接触的焊料区，和位于衬底下方的互连结构。互连结构通过UBM电连接至焊料区。器件管芯位于互连结构下面并且接合至互连结构。器件管芯通过UBM和互连结构电连接至焊料区。封装材料将器件管芯封装在其中。本发明实施例涉及具有减薄的衬底的封装件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220934070U
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202321969991.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/485 , H01L25/18 , H10B80/00
Abstract: 本实用新型提供一种半导体封装。所述半导体封装包括：第一半导体管芯，包括半导体衬底及设置于半导体衬底上的第一互连结构；第二半导体管芯，设置于第一半导体管芯上并电性连接至第一半导体管芯，所述第二半导体管芯包括：第二半导体衬底及第二互连结构；第三互连结构，其中第二互连结构与第三互连结构设置于第二半导体衬底的相对侧上，并且第二互连结构位于第一互连结构与第三互连结构之间。
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公开(公告)号：CN222690681U
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202420941861.9
申请日：2024-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H10N97/00
Abstract: 一种封装结构，包含第一芯片结构及互连结构，互连结构位于第一芯片结构的上方。封装结构也包含介电接合结构及金属接合结构，介电接合结构位于互连结构的上方，金属接合结构被介电接合结构侧向围绕。金属接合结构的顶表面与介电接合结构的顶表面实质上共平面。封装结构还包含导电通孔，导电通孔与金属接合结构连接并被介电接合结构侧向围绕。此外，封装结构包含第二芯片结构，与介电接合结构及金属接合结构直接接合。封装结构也包含电容器元件，电容器元件位于导电通孔旁并被介电接合结构侧向围绕。
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公开(公告)号：CN222775008U
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202421009765.7
申请日：2024-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种量子存储器装置，包括波导、存储器单元以及控制电路。波导设置以空间性地局限光子路径于其中；存储器单元包括微环共振器、频率调整器、与量子存储器材料部分，其中微环共振器的第一部分平行于波导的部分，频率调整器设置为调整微环共振器的第二部分之中或周围的有效折射率以调整微环共振器中的光子共振频率，且量子存储器材料部分包括的量子存储器材料具有基态与储存光子于其中的激发态，并位于微环共振器的第三部分之中或之上；控制电路设置以在捕获光子操作的第一步骤时调整微环共振器中的光子共振波长以匹配预定波长，并产生多个捕获光子于微环共振器中。
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公开(公告)号：CN221783210U
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202420062335.5
申请日：2024-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置，包括光学中介物、第一电子集成电路裸片、第二电子集成电路裸片及第一输入/输出装置。光学中介物用于传送及接收来自外部来源(诸如光纤)的信号。光学中介物接收信号，将信号路由至各种接附的元件，且当有需求时，将信号在光学与电子信号之间转换。各种接附的元件可包含存储器装置(诸如高频宽存储器)、处理元件(诸如处理单元)、上述的组合或其类似物。
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公开(公告)号：CN222442145U
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202420926502.6
申请日：2024-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种封装结构，包含第一芯片结构，第一芯片结构包含第一电子装置及第一互连结构，电性连接至第一电子装置的前侧。第一芯片结构还包含第一背侧导通孔，电性连接至第一电子装置的背侧，以及第一波导层，与第一电子装置重叠。此外，第一波导层比起第一电子装置的前侧更靠近第一电子装置的背侧。第一芯片结构还包含多个第一波导部件，形成于第一波导层上方，以及第一导通孔，形成通过第一波导层，并电性连接至第一背侧导通孔。
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