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公开(公告)号：CN120015695A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411627624.6
申请日：2024-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 方法包括：形成第一器件管芯，包括：在半导体衬底上形成集成电路；以及在半导体衬底上形成互连结构。互连结构具有多个金属层。方法还包括：将第二器件管芯接合至第一器件管芯；以及形成围绕第二器件管芯的间隙填充区域。在第一形成工艺中，形成第一TSV以穿透半导体衬底，其中，第一TSV具有第一宽度。在第二形成工艺中，形成第二TSV以穿透半导体衬底。第二TSV具有与第一宽度不同的第二宽度。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110646898B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910558565.4
申请日：2019-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 方法包括在半导体晶圆中形成多个光子器件，在半导体晶圆的第一侧中形成v形槽，形成延伸穿过半导体晶圆的开口，在开口内形成多个导电部件，其中，导电部件从半导体晶圆的第一侧延伸至半导体晶圆的第二侧，在v形槽上方形成聚合物材料，在开口内沉积模塑材料，其中，多个导电部件的导电部件通过模塑材料分隔开，在沉积模塑材料之后，去除聚合物材料以暴露V形槽，并且将光纤放置在V形凹槽内。本发明的实施例还涉及形成光子半导体器件的方法和光子系统。
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公开(公告)号：CN109860135B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201810459800.8
申请日：2018-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，方法包括：形成包括设置在多个介电层中的波导和导电部件的互连件，导电部件包括导线和通孔，波导由具有第一折射率的第一材料形成，介电层由具有小于第一折射率的第二折射率的第二材料形成；将多个管芯接合至互连件的第一侧，管芯通过导电部件电连接，管芯通过波导光连接；以及在互连件的第二侧上形成多个导电连接件，导电连接件通过导电部件电连接至管芯。本发明的实施例还涉及混合互连器件和方法。
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公开(公告)号：CN111244042A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911191199.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括光子管芯、包封体及波导结构。光子管芯包括衬底及介电层。衬底具有波导图案。介电层设置在衬底之上。包封体侧向包封光子管芯。波导结构延伸于光子管芯的前侧及包封体的顶表面上，且贯穿介电层以光学耦合于波导图案。
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公开(公告)号：CN109860135A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201810459800.8
申请日：2018-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，方法包括：形成包括设置在多个介电层中的波导和导电部件的互连件，导电部件包括导线和通孔，波导由具有第一折射率的第一材料形成，介电层由具有小于第一折射率的第二折射率的第二材料形成；将多个管芯接合至互连件的第一侧，管芯通过导电部件电连接，管芯通过波导光连接；以及在互连件的第二侧上形成多个导电连接件，导电连接件通过导电部件电连接至管芯。本发明的实施例还涉及混合互连器件和方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109727966A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810735769.6
申请日：2018-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体封装及其制作方法。半导体封装包含：互连结构，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；至少一个光学芯片，其在所述互连结构的所述第一表面上方且电耦合到所述互连结构；绝缘层，其接触所述互连结构的所述第二表面；及模塑料，其在所述互连结构的所述第一表面上方。所述绝缘层包含面向所述互连结构的所述第二表面的第三表面及与所述第三表面相对的第四表面。通过所述模塑料覆盖所述光学芯片的至少一边缘。
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公开(公告)号：CN111244042B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201911191199.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括光子管芯、包封体及波导结构。光子管芯包括衬底及介电层。衬底具有波导图案。介电层设置在衬底之上。包封体侧向包封光子管芯。波导结构延伸于光子管芯的前侧及包封体的顶表面上，且贯穿介电层以光学耦合于波导图案。
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公开(公告)号：CN119421484A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411410706.5
申请日：2024-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据本公开的半导体结构包括衬底；衬底贯通孔(TSV)单元，设置在衬底上方；以及TSV，延伸穿过TSV单元和衬底。TSV单元包括：保护环结构，绕着TSV单元的周边延伸，和缓冲区，由保护环结构围绕。缓冲区包括第一伪晶体管和第二伪晶体管。第一伪晶体管中的每个包括：两个第一类型外延部件，第一多个纳米结构，在两个第一类型外延部件之间延伸，和第一隔离栅极结构，包裹在第一多个纳米结构上方。第二伪晶体管中的每个包括两个第二类型外延部件，第二多个纳米结构，在两个第一类型外延部件之间延伸，和第二隔离栅极结构，包裹在第二多个纳米结构上方。本公开的实施例还提供了形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN112558240A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011009284.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 提供一种封装总成及其制造方法。所述封装总成包括第一封装组件及设置在第一封装组件旁边的光学信号端口。第一封装组件包括：第一管芯，包括电子集成电路；第一绝缘包封体，在侧向上覆盖第一管芯；重布线结构，设置在第一管芯及第一绝缘包封体上；以及第二管芯，包括光子集成电路且通过重布线结构电耦合到第一管芯。光学信号端口光学耦合到第一封装组件的第二管芯的边缘小平面。
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公开(公告)号：CN110646898A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910558565.4
申请日：2019-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 方法包括在半导体晶圆中形成多个光子器件，在半导体晶圆的第一侧中形成v形槽，形成延伸穿过半导体晶圆的开口，在开口内形成多个导电部件，其中，导电部件从半导体晶圆的第一侧延伸至半导体晶圆的第二侧，在v形槽上方形成聚合物材料，在开口内沉积模塑材料，其中，多个导电部件的导电部件通过模塑材料分隔开，在沉积模塑材料之后，去除聚合物材料以暴露V形槽，并且将光纤放置在V形凹槽内。本发明的实施例还涉及形成光子半导体器件的方法和光子系统。
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