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公开(公告)号：CN117393573A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311020551.X
申请日：2023-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据本公开的半导体器件结构可以包括具有第一衬底和第一互连结构的第一管芯、具有第二衬底和第二互连结构的第二管芯以及具有第三互连结构和第三衬底的第三管芯。第一互连结构经由第一多个接合层接合到第二衬底。第二互连结构经由第二多个接合层接合到第三互连结构。第三衬底包括多个光电二极管和第一晶体管。第二管芯包括第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第二晶体管的源极与第一晶体管的漏极连接，第三晶体管的栅极与第一晶体管漏极和第二晶体管源极连接。本公开还提供了形成半导体器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN117080229A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310523616.6
申请日：2023-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各种实施例针对具有高全阱容量(FWC)的堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。第一集成电路(IC)芯片和第二IC芯片彼此堆叠。第一IC芯片包括第一半导体衬底，第二IC芯片包括第二半导体衬底。像素传感器位于第一IC芯片和第二IC芯片处并跨越第一IC芯片和第二IC芯片。像素传感器包括在第一半导体衬底处的转移晶体管和与转移晶体管相邻的钉扎光电二极管，并且还包括在第二半导体衬底上的多个附加晶体管(例如，重置晶体管、源极跟随器晶体管等)。第一半导体衬底的基体和第二半导体衬底的基体彼此电隔离，并且被配置成以不同电压(例如，负电压和地)偏置。本申请的实施例还公开了一种图像传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114695404A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110505958.6
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种集成晶片、图像传感器及其形成方法。图像传感器包括衬底。光检测器位于衬底中且包含延伸到衬底的第一侧中的半导体保护环。浅沟槽隔离结构延伸到衬底的第一侧中。外部隔离结构延伸到与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧中到达浅沟槽隔离结构。浅沟槽隔离结构和外部隔离结构横向包围光检测器。内部隔离结构延伸到衬底的第二侧中且上覆光检测器。内部隔离结构通过衬底与光检测器竖直分离。此外，外部隔离结构横向包围内部隔离结构。
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公开(公告)号：CN113380845A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110601878.0
申请日：2021-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 光伏单元包括：含锗阱，嵌入在单晶硅衬底中并延伸至单晶硅衬底的近侧水平表面，其中，含锗阱包括大于50％原子百分比的锗。含硅覆盖结构位于含锗阱的顶面上，并包括大于42％原子百分比的硅。该含硅覆盖结构防止含锗阱氧化。可通过注入第一导电类型的掺杂剂和第二导电类型的掺杂剂来在沟槽内或横跨沟槽形成光伏结。本申请的实施例还涉及包括光检测器的半导体结构和形成光检测器的方法。
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公开(公告)号：CN103378108B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201210269091.X
申请日：2012-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L25/16
CPC classification number: H01L27/1469 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了用于封装背照式(BSI)图像传感器或者具有专用集成电路(ASIC)的传感器器件的方法和装置。根据实施例，传感器器件可不使用载具晶圆而与ASIC面对面接合在一起，其中传感器的接合焊盘相对应地以一对一的方式与ASIC的接合焊盘对准。传感器的一列像素可共用通过共用的内金属线连接的接合焊盘。接合焊盘可以具有不同的尺寸并且配置在以相互分离的不同行中。可增加附加的伪焊盘以增强传感器和ASIC之间的接合。本发明还公开了用于图像传感器封装的方法和装置。
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公开(公告)号：CN102610621B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210016669.0
申请日：2012-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/1461 , H01L27/14629
Abstract: 一种图像传感器，该图像传感器包括设置在硅衬底上的吸收层，吸收层具有至少SiGe或Ge之一，和直接设置在吸收层上的反射层。
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公开(公告)号：CN103456750B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210514992.0
申请日：2012-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/378
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/76898 , H01L25/18 , H01L27/14609 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及了一种器件，包括位于其中的图像传感器的第一芯片，以及与该第一芯片相接合的第二芯片。第二芯片包括从基本上由复位晶体管、选择器、行选择器及其组合构成的组中选出来的逻辑器件。该逻辑器件和图像传感器相互电连接，并且是相同的像素单元的部分。本发明还提供了一种具有高占空因数的图像传感器。
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公开(公告)号：CN103456750A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210514992.0
申请日：2012-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/378
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/76898 , H01L25/18 , H01L27/14609 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及了一种器件，包括位于其中的图像传感器的第一芯片，以及与该第一芯片相接合的第二芯片。第二芯片包括从基本上由复位晶体管、选择器、行选择器及其组合构成的组中选出来的逻辑器件。该逻辑器件和图像传感器相互电连接，并且是相同的像素单元的部分。本发明还提供了一种具有高占空因数的图像传感器。
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公开(公告)号：CN103378109A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210272395.1
申请日：2012-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/1469 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种背照式图像传感器包括光电二极管以及位于第一芯片中的第一晶体管，其中，第一晶体管电耦合至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括在第二芯片中形成的第二晶体管以及在第三芯片中形成的多个逻辑电路，其中，第二芯片堆叠在第一芯片上并且第三芯片堆叠在第二芯片上。逻辑电路、第二晶体管和第一晶体管通过多个接合焊盘和通孔相互耦合。本发明还提供了用于垂直集成的背照式图像传感器的装置。
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公开(公告)号：CN222514913U
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202420524065.5
申请日：2024-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/538 , H01L23/52 , H01L23/482 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型提供一种填隙式堆叠集成电路接口屏蔽结构的集成电路。第一集成电路(IC)芯片包括第一介电层。第二集成电路芯片在接合界面处接合至第一集成电路芯片，且包括在接合界面处直接接触第一介电层的第二介电层。第一对导电接垫分别位于第一介电层及第二介电层中且在接合界面处直接接触。第二对导电接垫分别位于第一介电层及第二介电层中且在接合界面处直接接触。一对屏蔽结构分别位于第一介电层及第二介电层中且在接合界面处直接接触。此外，所述一对屏蔽结构将所述第一对导电接垫与所述第二对导电接垫分隔开。
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