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公开(公告)号：CN103413788A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310383471.0
申请日：2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法，涉及一种金属纳米晶存储器。1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状的结构；2）将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后，采用干法氧化方法，在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层；3）将步骤2）得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒；4）采用电子束蒸发工艺在步骤3）获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层，最后蒸镀上电极和下电极，获得非平面金属纳米晶多位存储器件。只需要一步刻蚀技术、过程简单、重复性好。
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公开(公告)号：CN100595934C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810070524.2
申请日：2008-01-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0256
Abstract: 基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ge组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底，在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，集电区为Si1-yGey层，吸收区为Si1-zGez(y＜z≤1)层或Si1-zGez/Si1-yGey(y＜z≤1)多周期量子阱，基区为压应变的Si1-xGex层(y＜x≤1)，发射区为Si1-yGey层；在集电区、基区和发射区上设电极。
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公开(公告)号：CN1118159C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN99119122.6
申请日：1999-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H04B10/12
Abstract: 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器，采用CSMA/CD方式，执行IEEE802.3u标准，设两块执行芯片U1、U2，光信号经光纤接口接光纤信号收发模块，收发模块的电转换输出经第一块执行芯片U1的解码—电阻组—第二块执行芯片U2的编码后，从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口，RJ45接口的发射端接耦合器，并经第二块执行芯片U2的解码—电阻组—第一块执行芯片U1的编码后，接收发模块，并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。
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公开(公告)号：CN118360671A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410575524.7
申请日：2024-05-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种低成本高p型自掺杂GeIn单晶薄膜的制备方法，采用磁控溅射法先在Ge衬底上外延不同薄膜材料如Ge、GeSn或GePb缓冲层，其次降低衬底温度，在此基础上低温(210℃～250℃)外延生长一层GeIn单晶薄膜，最终实现低成本高质量和高p型掺杂的GeIn薄膜制备。
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公开(公告)号：CN110676158B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910940185.7
申请日：2019-09-30
Abstract: 本发明公开了一种可实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其具体是通过将非晶结构的Si和Ge双叠层结构引入到Ge/Si键合界面，一方面通过a‑Ge的退火晶化实现无氧化层高强度Ge/Si键合，另一方面利用a‑Si阻断单晶Si和单晶Ge之间的晶格失配，彻底屏蔽失配位错来源，并通过疏松结构的a‑Si实现键合界面副产物的排出和晶格的彻底阻断，以制备无界面气泡、无氧化层、无穿透位错的Ge/Si键合界面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114464691A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210119652.1
申请日：2022-02-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0312 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/58 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种GeSn纳米晶材料及其制备方法与应用，所述GeSn纳米晶材料为GeSn纳米晶嵌于非晶GeSn中，Sn组分的摩尔含量为7.5％～41.6％；所述GeSn纳米晶材料的制备方法，包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在清洗后的衬底上，用物理沉积的方法生长局部存在较高Sn组分的非晶GeSn薄膜，以在GeSn薄膜中引入Sn和Ge的浓度梯度；3)对步骤2)的样品进行退火得到非晶GeSn中的高Sn组分GeSn纳米晶。本发明与传统CMOS工艺相兼容，制备得到的GeSn纳米晶的Sn组分高于Sn在Ge中的平衡固溶度并且可通过退火温度调控。
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公开(公告)号：CN111785953B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202010649746.0
申请日：2020-07-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , B82Y40/00
Abstract: 一种锂离子电池硅负极材料的改性方法，涉及新能源材料设计开发。以p型硅(100)片作为衬底，采用电化学微加工工艺进行电化学腐蚀，首先将衬底表面腐蚀为圆形孔，并逐渐增大，最后挤压成方形，腐蚀液和孔壁的界面处形成耗尽层；在电场的作用下，空穴载流子从衬底沿纵向孔壁迁移到孔壁与腐蚀液界面参与反应，反应过程中孔壁逐渐变薄；当相邻两个孔之间的壁厚接近耗尽层厚度时电化学反应自动停止，得到硅纳米带，硅纳米带的表面晶向为(110)，硅纳米带嵌锂后只沿着 晶向膨胀，硅纳米带脱锂后具有重结晶的特殊行为，具有高离子导，高稳定界面SEI，高稳定材料结构，能在保持硅负极电池高比容量条件下实现高功率、长寿命循环。
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公开(公告)号：CN108447819B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810347003.0
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/762 , C23C14/35 , C23C14/16
Abstract: 一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法，1)将Ge片、SiO2/Si片分别超声清洗；2)超声清洗后的SiO2/Si片用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸后冲洗，再用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗，用HCl、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗；3)超声清洗后的Ge片用盐酸溶液浸泡，漂洗；4)重复步骤3)5次，然后将处理后Ge片放入氢氟酸溶液中浸泡，冲洗，甩干后溅射生长一层a‑Si过渡层；5)将步骤2)冲洗后的SiO2/Si片与步骤4)溅射后的Ge片置于氨水溶液中处理，甩干后贴合得Ge/SiO2/Si贴合片；6)Ge/SiO2/Si贴合片放入晶片键合机中热压键合。方法简易，成本低。
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公开(公告)号：CN108666425B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201810510458.X
申请日：2018-05-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种柔性可弯曲杂化太阳能电池的制备方法，对n型Si片预处理，再进行金属辅助腐蚀处理，在n型Si片表面腐蚀出纳米线阵列；将处理后的n型Si片泡入甲醛溶液中浸泡，在Si纳米线表面引入Methacrylate基团；在处理后的Si纳米线表面滴涂液态单体，利用真空负压将单体灌入Si纳米线阵列中，并加热固化；将处理后的Si基片放入KOH溶液中浸泡；在处理后的Si基片与薄膜间施加一个切向力；对处理后获得的嵌套Si纳米线的聚合物薄膜进行等离子刻蚀；在处理后的薄膜一面旋涂上PEDOT:PSS，薄膜另一面蒸镀上铝作为背电极，最后利用掩膜版在PEDOT:PSS表面蒸镀上银栅电极，作表面电极。
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公开(公告)号：CN108447819A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810347003.0
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/762 , C23C14/35 , C23C14/16
Abstract: 一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法，1)将Ge片、SiO2/Si片分别超声清洗；2)超声清洗后的SiO2/Si片用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸后冲洗，再用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗，用HCl、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗；3)超声清洗后的Ge片用盐酸溶液浸泡，漂洗；4)重复步骤3)5次，然后将处理后Ge片放入氢氟酸溶液中浸泡，冲洗，甩干后溅射生长一层a-Si过渡层；5)将步骤2)冲洗后的SiO2/Si片与步骤4)溅射后的Ge片置于氨水溶液中处理，甩干后贴合得Ge/SiO2/Si贴合片；6)Ge/SiO2/Si贴合片放入晶片键合机中热压键合。方法简易，成本低。
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