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公开(公告)号：CN110676158B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910940185.7
申请日：2019-09-30
Abstract: 本发明公开了一种可实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其具体是通过将非晶结构的Si和Ge双叠层结构引入到Ge/Si键合界面，一方面通过a‑Ge的退火晶化实现无氧化层高强度Ge/Si键合，另一方面利用a‑Si阻断单晶Si和单晶Ge之间的晶格失配，彻底屏蔽失配位错来源，并通过疏松结构的a‑Si实现键合界面副产物的排出和晶格的彻底阻断，以制备无界面气泡、无氧化层、无穿透位错的Ge/Si键合界面。
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公开(公告)号：CN108447819B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810347003.0
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/762 , C23C14/35 , C23C14/16
Abstract: 一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法，1)将Ge片、SiO2/Si片分别超声清洗；2)超声清洗后的SiO2/Si片用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸后冲洗，再用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗，用HCl、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗；3)超声清洗后的Ge片用盐酸溶液浸泡，漂洗；4)重复步骤3)5次，然后将处理后Ge片放入氢氟酸溶液中浸泡，冲洗，甩干后溅射生长一层a‑Si过渡层；5)将步骤2)冲洗后的SiO2/Si片与步骤4)溅射后的Ge片置于氨水溶液中处理，甩干后贴合得Ge/SiO2/Si贴合片；6)Ge/SiO2/Si贴合片放入晶片键合机中热压键合。方法简易，成本低。
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公开(公告)号：CN108447819A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810347003.0
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/762 , C23C14/35 , C23C14/16
Abstract: 一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法，1)将Ge片、SiO2/Si片分别超声清洗；2)超声清洗后的SiO2/Si片用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸后冲洗，再用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗，用HCl、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗；3)超声清洗后的Ge片用盐酸溶液浸泡，漂洗；4)重复步骤3)5次，然后将处理后Ge片放入氢氟酸溶液中浸泡，冲洗，甩干后溅射生长一层a-Si过渡层；5)将步骤2)冲洗后的SiO2/Si片与步骤4)溅射后的Ge片置于氨水溶液中处理，甩干后贴合得Ge/SiO2/Si贴合片；6)Ge/SiO2/Si贴合片放入晶片键合机中热压键合。方法简易，成本低。
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公开(公告)号：CN108731993B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201810347004.5
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法，涉及透射电子显微镜。采用AB胶将两Si衬片粘附于键合样品背面作为分担研磨作用力的衬片，并采用AB胶将Si衬片粘附于键合截面的两端，对键合截面的两端进行固定使得研磨过程中剪切力和压力无法将键合界面撕裂，从而获得可用于离子减薄的截面样品。利用截面边缘束缚法将弱键合强度的截面采用Si衬片固定住，不仅可以避免在研磨过程中键合界面发生断裂，而且采用金刚石粉和砂纸联合对样品进行减薄抛光，能有效且快速的将样品截面减薄至小于30μm，这是一种简易、快速、低成本且成功率高的TEM截面制样新方法。
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公开(公告)号：CN110690175A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910939228.X
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种提高Si基和SOI基剥离Ge薄膜质量的方法。该方法为将Si片、SOI片和Ge片经表面处理后，在Si片、SOI片上溅射a-Ge薄膜，然后将Ge片分别与溅射有a-Ge薄膜的Si片和SOI片贴合在一起；经低温短时间热压键合和分步骤短时间退火，实现Si基、SOI基Ge薄膜的剥离；将剥离后的Ge/Si和Ge/SOI样品采用手动化学机械抛光对Ge薄膜的剥离表面进行抛光；抛光后的Ge/Si和Ge/SOI样品采用小功率RIE刻蚀技术对Ge薄膜表面的离子注入损伤层进行刻蚀，以获得高质量的Si基和SOI基剥离Ge薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110690108A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910942951.3
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种无气泡坑超高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。所述制备方法包括基片的清洗、Ge片的离子注入、中间层的制备、Ge薄膜的智能剥离四个阶段的处理方法。本发明利用a-Ge和a-Si薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在真空氛围内进行高温热退火，实现Ge/Si键合界面副产物的有效排出和点缺陷的有效修复。
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公开(公告)号：CN110660654B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201910941003.8
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法，其是将Ge片和SOI片经表面处理后，分别在其上溅射一层a‑Ge薄膜，然后在大气中将两者进行贴合，放入退火炉中进行低温热退火，以实现高强度Ge/SOI的键合，再采用化学腐蚀结合化学机械抛光对键合的Ge片进行减薄抛光，以获得超高质量SOI基键合Ge薄膜。
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公开(公告)号：CN110676158A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910940185.7
申请日：2019-09-30
Abstract: 本发明公开了一种可实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其具体是通过将非晶结构的Si和Ge双叠层结构引入到Ge/Si键合界面，一方面通过a-Ge的退火晶化实现无氧化层高强度Ge/Si键合，另一方面利用a-Si阻断单晶Si和单晶Ge之间的晶格失配，彻底屏蔽失配位错来源，并通过疏松结构的a-Si实现键合界面副产物的排出和晶格的彻底阻断，以制备无界面气泡、无氧化层、无穿透位错的Ge/Si键合界面。
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公开(公告)号：CN110660655A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910944976.7
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种无气泡无穿透位错Ge/Si低温键合方法，所述方法包括Si和Ge基底材料的处理、Ge薄膜的晶化、抛光、Ge/Si键合。本发明利用多晶Ge的疏松结构和存在晶界的特点对Ge/Si键合界面的气泡进行吸收和转移，实现零气泡的Ge/Si键合界面。其次利用多晶Ge晶向混乱的性质将Ge和Si单晶体隔离开来，使得Ge和Si之间的晶格失配得到缓解，因此能有效的限制穿透位错的成核，实现穿透位错密度的进一步降低。
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公开(公告)号：CN110660654A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910941003.8
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法，其是将Ge片和SOI片经表面处理后，分别在其上溅射一层a-Ge薄膜，然后在大气中将两者进行贴合，放入退火炉中进行低温热退火，以实现高强度Ge/SOI的键合，再采用化学腐蚀结合化学机械抛光对键合的Ge片进行减薄抛光，以获得超高质量SOI基键合Ge薄膜。
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