公开(公告)号：CN111785953B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202010649746.0

申请日：2020-07-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  张子启 ,  韩响 ,  罗林山 ,  苏鹏飞 ,  李成

IPC: H01M4/38 ,  H01M10/0525 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种锂离子电池硅负极材料的改性方法，涉及新能源材料设计开发。以p型硅(100)片作为衬底，采用电化学微加工工艺进行电化学腐蚀，首先将衬底表面腐蚀为圆形孔，并逐渐增大，最后挤压成方形，腐蚀液和孔壁的界面处形成耗尽层；在电场的作用下，空穴载流子从衬底沿纵向孔壁迁移到孔壁与腐蚀液界面参与反应，反应过程中孔壁逐渐变薄；当相邻两个孔之间的壁厚接近耗尽层厚度时电化学反应自动停止，得到硅纳米带，硅纳米带的表面晶向为(110)，硅纳米带嵌锂后只沿着 晶向膨胀，硅纳米带脱锂后具有重结晶的特殊行为，具有高离子导，高稳定界面SEI，高稳定材料结构，能在保持硅负极电池高比容量条件下实现高功率、长寿命循环。

公开(公告)号：CN106868580B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201710118094.6

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  张子启 ,  韩响 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: C25F3/12 ,  C30B33/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形，在硅片背面溅射铜电极；将硅片置于电化学腐蚀槽中；配制电解液；分别把硅片的背电极接电源阳极，电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离；将得到的硅片冲洗，烘干，即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料，所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。

公开(公告)号：CN111785953A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010649746.0

申请日：2020-07-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  张子启 ,  韩响 ,  罗林山 ,  苏鹏飞 ,  李成

IPC: H01M4/38 ,  H01M10/0525 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种锂离子电池硅负极材料的改性方法，涉及新能源材料设计开发。以p型硅(100)片作为衬底，采用电化学微加工工艺进行电化学腐蚀，首先将衬底表面腐蚀为圆形孔，并逐渐增大，最后挤压成方形，腐蚀液和孔壁的界面处形成耗尽层；在电场的作用下，空穴载流子从衬底沿纵向孔壁迁移到孔壁与腐蚀液界面参与反应，反应过程中孔壁逐渐变薄；当相邻两个孔之间的壁厚接近耗尽层厚度时电化学反应自动停止，得到硅纳米带，硅纳米带的表面晶向为(110)，硅纳米带嵌锂后只沿着 晶向膨胀，硅纳米带脱锂后具有重结晶的特殊行为，具有高离子导，高稳定界面SEI，高稳定材料结构，能在保持硅负极电池高比容量条件下实现高功率、长寿命循环。

公开(公告)号：CN106868580A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710118094.6

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  张子启 ,  韩响 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: C25F3/12 ,  C30B33/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形，在硅片背面溅射铜电极；将硅片置于电化学腐蚀槽中；配制电解液；分别把硅片的背电极接电源阳极，电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离；将得到的硅片冲洗，烘干，即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料，所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。