公开(公告)号：CN108731993B

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201810347004.5

申请日：2018-04-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  吴金庸 ,  李成 ,  黄巍

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N1/34

Abstract: 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法，涉及透射电子显微镜。采用AB胶将两Si衬片粘附于键合样品背面作为分担研磨作用力的衬片，并采用AB胶将Si衬片粘附于键合截面的两端，对键合截面的两端进行固定使得研磨过程中剪切力和压力无法将键合界面撕裂，从而获得可用于离子减薄的截面样品。利用截面边缘束缚法将弱键合强度的截面采用Si衬片固定住，不仅可以避免在研磨过程中键合界面发生断裂，而且采用金刚石粉和砂纸联合对样品进行减薄抛光，能有效且快速的将样品截面减薄至小于30μm，这是一种简易、快速、低成本且成功率高的TEM截面制样新方法。

公开(公告)号：CN108447819B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201810347003.0

申请日：2018-04-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  吴金庸 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/762 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16

Abstract: 一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法，1)将Ge片、SiO2/Si片分别超声清洗；2)超声清洗后的SiO2/Si片用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸后冲洗，再用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗，用HCl、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗；3)超声清洗后的Ge片用盐酸溶液浸泡，漂洗；4)重复步骤3)5次，然后将处理后Ge片放入氢氟酸溶液中浸泡，冲洗，甩干后溅射生长一层a‑Si过渡层；5)将步骤2)冲洗后的SiO2/Si片与步骤4)溅射后的Ge片置于氨水溶液中处理，甩干后贴合得Ge/SiO2/Si贴合片；6)Ge/SiO2/Si贴合片放入晶片键合机中热压键合。方法简易，成本低。

公开(公告)号：CN108447819A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810347003.0

申请日：2018-04-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  吴金庸 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/762 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16

Abstract: 一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法，1)将Ge片、SiO2/Si片分别超声清洗；2)超声清洗后的SiO2/Si片用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸后冲洗，再用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗，用HCl、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗；3)超声清洗后的Ge片用盐酸溶液浸泡，漂洗；4)重复步骤3)5次，然后将处理后Ge片放入氢氟酸溶液中浸泡，冲洗，甩干后溅射生长一层a-Si过渡层；5)将步骤2)冲洗后的SiO2/Si片与步骤4)溅射后的Ge片置于氨水溶液中处理，甩干后贴合得Ge/SiO2/Si贴合片；6)Ge/SiO2/Si贴合片放入晶片键合机中热压键合。方法简易，成本低。

公开(公告)号：CN108731993A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810347004.5

申请日：2018-04-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  吴金庸 ,  李成 ,  黄巍

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N1/34

Abstract: 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法，涉及透射电子显微镜。采用AB胶将两Si衬片粘附于键合样品背面作为分担研磨作用力的衬片，并采用AB胶将Si衬片粘附于键合截面的两端，对键合截面的两端进行固定使得研磨过程中剪切力和压力无法将键合界面撕裂，从而获得可用于离子减薄的截面样品。利用截面边缘束缚法将弱键合强度的截面采用Si衬片固定住，不仅可以避免在研磨过程中键合界面发生断裂，而且采用金刚石粉和砂纸联合对样品进行减薄抛光，能有效且快速的将样品截面减薄至小于30μm，这是一种简易、快速、低成本且成功率高的TEM截面制样新方法。

公开(公告)号：CN108573878A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810346961.6

申请日：2018-04-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  吴金庸 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/50

Abstract: 无氧化层半导体低温键合方法，涉及半导体键合工艺。采用过渡层技术，在Si、Ge和SiO2半导体键合界面引入一层较薄的Ge层，利用Ge材料的低温晶化特性与晶化原子迁移特性实现无氧化层Si片键合、Ge/Si键合以及GOI键合。利用磁控溅射Ge层的低温晶化特性实现无界面氧化层的半导体键合界面，在清洗后的晶片表面生长一层半导体Ge过渡层，利用Ge的低温晶化特性，通过低温退火实现Ge过渡层的晶化，从而驱动原子在键合界面迁移，最终解离氧化层。该方法不仅可以解决直接亲水键合过程中在界面引入亲水氧化层的问题，而且能在300～400℃的低温下实现半导体键合界面过渡层的晶化，从而实现原子键键合。