一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法

    公开(公告)号:CN102139879A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN201110040956.0

    申请日:2011-02-18

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法。属于冶金领域,提供一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法。将锡粉与工业硅混合后装入石墨坩埚内,将装有锡粉与工业硅的石墨坩埚放入定向凝固炉中,再将其抽真空,将凝固炉内温度升至1480~1600℃,通入保护气体并调节凝固炉压力,将熔化后的锡粉与工业硅在1480~1600℃下保温3~5h,保温后的合金熔体降温凝固得硅料;切除所得硅料下部的5%~30%,即得太阳能级多晶硅。将工业硅料和锡粉按比例混合,并熔化保温,再以不同冷却速度进行冷却,得到合金体与纯硅进行分离后,测定其分离比。设备和工艺流程简单,体积小,操作方便,而且成本较低,具有广阔的市场前景。

    一种用高岭土脱泥尾砂制备人造石英石的方法

    公开(公告)号:CN101961883A

    公开(公告)日:2011-02-02

    申请号:CN201010289012.2

    申请日:2010-09-21

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种用高岭土脱泥尾砂制备人造石英石的方法,涉及一种建筑装饰材料。将不饱和树脂与色料搅拌,加入高岭土脱泥尾砂、天然河沙和二氧化硅粉末,搅拌后,加入促进剂、偶联剂和固化剂,搅拌后注入模具中,所述不饱和树脂、色料、高岭土脱泥尾砂、天然河沙、二氧化硅粉末、促进剂、偶联剂和固化剂。将模具送入真空箱抽真空,压制成型,固化加热;冷却脱模除去模具,打磨抛光,最后切割成人造石英石规格板。初期投入少,操作方便,上马快,工艺简单合理,产品不仅具有大理石的天然花纹、条纹和丰富的色彩,而且具有石英石的硬度,适合于产业化。

    一种提高型砂强度的方法
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101797625A

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN201010126612.7

    申请日:2010-03-12

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种提高型砂强度的方法,涉及一种型砂的加工方法。提供一种生产工艺简单易行,操作方便,产品性能好,适合于规模化生产的提高型砂强度的方法。钙基膨润土原矿、碳酸钠和聚乙烯醋酸乙酯为原料,加入水和分散剂,制浆体,静置,得除杂质后的悬浮液,分离,得粒度小于5μm的膨润土浆料或悬浮液,过滤、干燥,得提纯的膨润土;在提纯的膨润土中加入钠化剂,搅拌,再揉捏成球团状,烘干,得钠化土;将钠化土与原土混合,得配比好的膨润土;在配比好的膨润土中加入有机添加剂,得用有机添加剂改性的膨润土;将石英砂和用有机添加剂改性的膨润土混砂,再加水湿混,成型后烘干,得以提高强度的型砂产品。

    一种太阳能多晶硅铸锭的制备方法及装置

    公开(公告)号:CN101775650A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN201010126686.0

    申请日:2010-03-12

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: Y02P10/234

    Abstract: 一种太阳能多晶硅铸锭的制备方法及装置,涉及一种太阳能多晶硅。提供一种太阳能级多晶硅提纯装置、太阳能多晶硅铸锭的制备方法、锌电解回收装置及方法。提纯装置设主体保温层、感应加热线圈、石墨加热套筒、石墨固定盘、下层保温层、定向凝固升降装置、石墨底盘、石英坩埚和热电偶测温装置。将多晶硅和工业锌料放入坩埚,锌料和多晶硅融化后得硅锌合金熔体;启动升降装置,带动坩埚连同石墨底盘定向凝固;当硅锌合金熔体凝固后,取出硅锌合金硅锭,切除上部即得太阳能级多晶硅。回收装置设电解槽、整流器、低位集液槽、加温槽、耐酸泵和高位槽。将电解回收后的硅置于坩埚内,掺杂锗装炉;抽真空,硅料加热到融化;通过定向凝固得定向凝固多晶硅。

    一种多晶硅提纯装置及提纯方法

    公开(公告)号:CN101724900A

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200910112896.1

    申请日:2009-11-24

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种多晶硅提纯装置及提纯方法,涉及一种多晶硅。提供一种成本较低、效率较高的多晶硅提纯装置与提纯方法。装置设一、二次熔炼坩埚、一次造渣后盛渣坩埚和二次保温抬包。将硅与渣混匀放入一次熔炼坩埚中,将渣放入二次熔炼坩埚中加热至渣融化;一次熔炼坩埚中的物料融化后搅拌棒预热;反应后升起搅拌棒,加BaCO3;分层后将一次熔炼坩埚向右翻转浇铸,待绝大部分硅液流入二次熔炼坩埚直至开始有渣液流入后停止浇铸,向左翻转浇铸,将二次熔炼坩埚内的渣液倒入一次造渣后盛渣坩埚中凝固;搅拌棒预热,反应后升起搅拌棒,加BaCO3,分层后将二次熔炼坩埚向右翻转浇铸,将熔体全部倒入保温抬包中静置分层凝固;取出硅后粉磨酸洗,定向凝固。

    一种采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺及装置

    公开(公告)号:CN101671024A

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200910112547.X

    申请日:2009-09-15

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺及装置。提供一种低成本,高效,适合产业化推广的采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺以及多晶硅除硼提纯装置。提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、转移弧等离子熔炼系统和浇注用石墨模具。将金属硅放入坩埚中,抽真空,加热熔化金属硅;熔化后提高电源功率,使硅液温度保持在1600~1800℃,启动等离子熔炼系统,将等离子枪降至引弧装置上方,通入工作气体引弧;引弧完成后移开引弧装置,调节给定电流和等离子弧长度,对硅液表面进行等离子熔炼后,给定电流调零,断开等离子弧,升起等离子枪,关闭气源,将硅液倒入模具,静置冷却后取出硅锭。

    一种采用硅铝钙合金精炼及定向凝固制备多晶硅的方法

    公开(公告)号:CN109319788B

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN201811221446.1

    申请日:2018-10-19

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明属于多晶硅提纯领域,公开了一种采用硅铝钙合金精炼及定向凝固制备多晶硅的方法,包括:1)将待提纯硅粉放入20~35℃的氢氟酸和过氧化氢的混合液中浸泡1~2h,过滤、水洗、过滤、烘干;2)将步骤1)得到的粗提硅粉与金属铝和金属钙放入感应熔炼炉中,往炉体中通入惰性气体并使炉内温度升至1703~1783℃后保温1~10h,冷却至室温,得到硅铝钙合金;3)将步骤2)得到的硅铝钙合金研磨成粉之后依次采用混合酸Ⅰ和混合酸Ⅱ进行酸洗;4)将酸洗产物进行定向凝固,退火,得到二次精炼后的硅铝钙合金铸锭;5)将二次精炼后的硅铝钙合金铸锭切去头部的20~40%。本发明对于多晶硅中的杂质,特别是磷杂质,具有很好的去除效果,从而得到高纯度多晶硅。

    一种采用硅铝钙合金精炼及定向凝固制备多晶硅的方法

    公开(公告)号:CN109319788A

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201811221446.1

    申请日:2018-10-19

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明属于多晶硅提纯领域,公开了一种采用硅铝钙合金精炼及定向凝固制备多晶硅的方法,包括:1)将待提纯硅粉放入20~35℃的氢氟酸和过氧化氢的混合液中浸泡1~2h,过滤、水洗、过滤、烘干;2)将步骤1)得到的粗提硅粉与金属铝和金属钙放入感应熔炼炉中,往炉体中通入惰性气体并使炉内温度升至1703~1783℃后保温1~10h,冷却至室温,得到硅铝钙合金;3)将步骤2)得到的硅铝钙合金研磨成粉之后依次采用混合酸Ⅰ和混合酸Ⅱ进行酸洗;4)将酸洗产物进行定向凝固,退火,得到二次精炼后的硅铝钙合金铸锭;5)将二次精炼后的硅铝钙合金铸锭切去头部的20~40%。本发明对于多晶硅中的杂质,特别是磷杂质,具有很好的去除效果,从而得到高纯度多晶硅。

    一种由硅矿石制备高纯硅的装置及其制备方法

    公开(公告)号:CN103395787B

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201310343089.7

    申请日:2013-08-08

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种由硅矿石制备高纯硅的装置及其制备方法,涉及一种高纯硅的制备方法。所述装置设有矿热炉、辅助电极系统和定向凝固炉;矿热炉设有主电极;辅助电极系统设有辅助电极、绝缘板和手推车;定向凝固炉设有水冷装置、感应线圈、石墨坩埚、充气孔、枪体夹持器、抽气孔、红外探测仪和等离子枪。将硅矿石、油焦和木炭混合进入炉内加热,加入造渣剂造渣精炼;开启定向凝固炉电源和辅助电极,使造渣精炼后的硅液流入坩埚中;开启充气孔和抽气孔,向定向凝固炉内通入氩气和水蒸气;使硅液温度达到1700~1800℃;开启等离子枪,对硅液表面进行熔炼;维持硅液表面温度在1450~1520℃;开启水冷装置;定向凝固完成后硅锭冷却,即得高纯硅。

    一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法

    公开(公告)号:CN102583386B

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201210024702.4

    申请日:2012-02-03

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法,涉及工业硅的提纯方法。将工业硅加入石墨坩埚中;启动中频感应电源加热,按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中;待物料熔化后,维持功率不变,反应温度控制在1600~1800℃,使硅液和造渣剂混合反应;造渣充分后,降低中频频率,将渣系倒入应接水箱中,水冷后硅与渣基本分离,取样经等离子电感耦合质谱仪分析测量硅中B,P杂质含量。采用掺杂氯化物作为造渣剂的组分,使得渣硅更容易分离,同时对硅中杂质B、P有非常明显的去除效果,造渣完成后结合定向凝固和酸洗等工艺,可得到太阳能级多晶硅。整个工艺流程简单快捷,安全性能好,非常适用于工业化生产。

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