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公开(公告)号：CN107170866A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710284866.3
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多光谱发光二极管结构，包含：衬底和半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层n型半导体层、一层p型半导体层和多光谱发光多量子阱层；特征是：所述多光谱发光多量子阱层由量子阱禁带宽度不同的两组或三组层叠排列的多量子阱发光单元组成，可以同时出射两种或三种波长的光，任意两种波长的光之间的波长差为λ，其中100nm≥λ≥10nm；所述多量子阱发光单元是由量子阱层和量子垒层组成的周期结构，周期数为k；所述多量子阱发光单元的发光波长由其量子阱禁带宽度决定，发光波长范围为380nm─700nm。本发明能在单芯片内直接出射多光谱，可使五基色白光封装所用芯片颗粒数大幅下降，对灯珠的电路设计、光学设计以及混光提供了很大的设计窗口。
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公开(公告)号：CN105870286A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610253193.0
申请日：2016-04-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/08
Abstract: 本发明公开了一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法，该结构包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，所述有源层包括多层结构和发光单元，发光单元包括发射3?10个发光波长的多量子阱发光区域，多层结构存在V坑，V坑产生于多层结构，贯穿多量子阱发光区域。用本发明的方法获得的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构可以解决现有主流白光LED存在的荧光粉寿命偏短、色温偏高、显色指数偏低以及蓝光短波长部分危害等问题，实现无荧光粉的单芯片LED发白光。
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公开(公告)号：CN103938177B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410189925.5
申请日：2014-05-07
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
IPC: C23C16/06 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种可用氯气在线清洗的非钎焊MOCVD喷头，这种喷头用电火花加工成型的喷气缝代替传统粗糙的拉制不锈钢毛细管喷管，因此有较少的表面积，能减少外延记忆效应。由于喷头非钎焊，所以能使用氯气在线清洗，从而提高了MOCVD的生产效率，拓展了其应用范围。这种喷头制作简单，可靠性高，今后运行费用低。
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公开(公告)号：CN118053933A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410273817.X
申请日：2024-03-11
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L31/12 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体器件，具体涉及具有光探测与发光双功能的光电器件及其制备方法。所述具有光探测与发光双功能的光电器件包括依次层叠的以下各层：N型GaN层；光吸收层，所述光吸收层为Si掺杂的InxGa1‑xN/GaN超晶格，其中0.01≤x≤0.16；发光层，所述发光层为Si掺杂的InyGa1‑yN/GaN量子阱，其中0.16≤y≤0.4；P型AlGaN层；以及P型GaN层。
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公开(公告)号：CN117995968A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311585140.5
申请日：2023-11-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管量子阱保护层的生长方法，量子阱的单元结构自下而上包括InGaN阱层，AlxGa1‑xN保护层和GaN势垒层，其特征在于包括以下生长步骤：在T1温度下生长InGaN阱层；在生长AlxGa1‑xN保护层过程中将温度从T1线性升高到T2，且使AlxGa1‑xN保护层中Al组分渐变减少；升温至T3生长GaN势垒层。相比较现有技术中单层的AlxGa1‑xN保护层，采用递增温度和递减组分方式生长的AlxGa1‑xN保护层，能阻挡高温下InGaN阱层中的In的分解，提高InGaN阱层的晶体质量，且有利于提高AlxGa1‑xN保护层的晶体质量，为GaN势垒的生长提供更好的界面，从而提高长波段LED芯片的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116779734A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211322107.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高发光效率的GaN基长波长LED器件结构及其生长方法，该GaN基长波长LED器件结构包括有源层结构，其中，所述有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱和InGaN/AlGaN/GaN多量子阱。生长InGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于GaN垒层；生长InGaN/AlGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于AlGaN层和GaN垒层，AlGaN层与GaN垒层保持一致。一种有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱结构以及InGaN/AlGaN/GaN多量子阱结构，可减少电子空穴泄露，改善量子阱质量，提高载流子在有源区的辐射复合速率，进而达到实现去除传统P‑AlGaN电子阻挡层以及提高GaN基长波长LED器件发光效率的目的。
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公开(公告)号：CN114744088A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210236915.7
申请日：2022-03-11
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化偏角硅衬底及其制备方法，本发明的制备方法是在偏角硅衬底的表面设有横向隔离带和纵向隔离带，这些相互平行或相互垂直的隔离带把偏角硅衬底分割成多个方块作为生长平台，隔离带的成分为SiO2或SiN，而且隔离带上不易生长GaN层，隔离带的方向与偏角硅衬底的参考边晶向形成设定的夹角，从而减少了氮化镓薄膜受到的应力，使平台内的氮化镓薄膜发光更加均匀，提高了外延可使用面积，从而进一步提高硅基III‑V族外延薄膜的外延良率。
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公开(公告)号：CN113192820A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110272273.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，它是在高温下向反应室通入NH3和TMIn，对硅衬底表面进行预处理，可有效地降低AlN中的位错密度，减小AlN表面粗糙度，然后进行铺铝，最后生长AlN层，获得表面平整、无孔洞高质量的AlN薄膜。本发明的制备方法易于实现，便于大规模生产，可广泛应用于制造硅衬底III族氮化物LED以及电力电子器件等半导体器件领域。
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公开(公告)号：CN112234125A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010958504.X
申请日：2020-09-14
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了具有高抗静电能力的GaN基LED外延结构及生长方法，该外延结构自下而上依次为衬底、缓冲层、n型层、应力调节层、多量子阱层和p型层，在n型层和多量子阱层之间生长有应力调节层，该应力调节层包括从下向上依次叠加的掺杂Si的抗静电层、位错阻挡层。这种结构中的所述抗静电层在生长过程中掺Si并开启大量V形坑，V形坑作为漏电通道在加反向静电压的时候能够有效的引导冲击电流从V形坑中传导，使冲击电流分布均匀，大大降低芯片被击穿的可能性，有效提高GaN基LED的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN107068818B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710286224.7
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基绿、黄光LED的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同；平面量子阱中存在类量子点结构，并成为LED的主要发光源。本发明具有以下优点：1、多量子阱中的类量子点发光结构减弱了位错的影响；2、多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的“工艺V坑”进一步增强了V坑的空穴注入功能；3、可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，可提高LED的发光效率。
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