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公开(公告)号：CN118053933A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410273817.X
申请日：2024-03-11
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L31/12 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体器件，具体涉及具有光探测与发光双功能的光电器件及其制备方法。所述具有光探测与发光双功能的光电器件包括依次层叠的以下各层：N型GaN层；光吸收层，所述光吸收层为Si掺杂的InxGa1‑xN/GaN超晶格，其中0.01≤x≤0.16；发光层，所述发光层为Si掺杂的InyGa1‑yN/GaN量子阱，其中0.16≤y≤0.4；P型AlGaN层；以及P型GaN层。
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公开(公告)号：CN117995968A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311585140.5
申请日：2023-11-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管量子阱保护层的生长方法，量子阱的单元结构自下而上包括InGaN阱层，AlxGa1‑xN保护层和GaN势垒层，其特征在于包括以下生长步骤：在T1温度下生长InGaN阱层；在生长AlxGa1‑xN保护层过程中将温度从T1线性升高到T2，且使AlxGa1‑xN保护层中Al组分渐变减少；升温至T3生长GaN势垒层。相比较现有技术中单层的AlxGa1‑xN保护层，采用递增温度和递减组分方式生长的AlxGa1‑xN保护层，能阻挡高温下InGaN阱层中的In的分解，提高InGaN阱层的晶体质量，且有利于提高AlxGa1‑xN保护层的晶体质量，为GaN势垒的生长提供更好的界面，从而提高长波段LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN119403313A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000250.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H20/812 , H10H20/811 , H10H20/825 , H10H20/01 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种LED量子阱的外延结构及其生长方法。包括有源层，有源层由多个单元结构周期性堆叠组成，每一单元结构包括依次生长的量子阱层、盖层和量子垒层，其中：量子阱层包括交替生长的铟镓氮层和处理层形成的超晶格结构。本发明的铟镓氮生长时间短，单层厚度为传统铟镓氮厚度的5%～15%，大幅减少了铟镓氮受到的压应力，提升了量子阱的晶体质量。并且，在短时间的铟镓氮生长后保持氨气和铟进行处理，可以减少氮空位缺陷，同时还能减少铟镓氮中铟的分解，减少了量子阱中的缺陷。本发明明显提升量子阱的晶体质量，显著提高了LED在小电流密度下的发光效率。
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公开(公告)号：CN118782592A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410108848.X
申请日：2024-01-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用的TO型封装阵列式光电探测器，阵列式光电探测器的芯片是由所有的单元芯片通过预设的电极线以并联的方式汇聚在公共的N型触点上，单元芯片以阵列形式分布在阵列式光电探测器的基底上，单元芯片的外延层为N‑GaN、InGaN/GaN量子阱、P‑GaN、互补电极、金属反射镜、钝化层、N电极和硅衬底；所述阵列式光电探测器为TO型封装结构，该结构包括TO管座、2个与TO管座径向相平行的圆孔形状的接地引脚和导通引脚以及玻璃镜片光窗尺寸可调的TO管帽，接地引脚和N型触点之间通过金丝键合线相连接。阵列式光电探测器芯片结合TO型封装能够有效提高光电探测器的性能，并且保障信号在进行光电转换时尽可能减小干扰，提高可见光通信的通信速率。
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公开(公告)号：CN119789629A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411942329.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H20/816 , H10H20/00 , H10H20/812 , H10H20/824
Abstract: 本发明公开了单片多PN结RGB全彩LED，包括衬底、及通过一次外延形成于衬底之上的蓝光第一发光单元、绿光第二发光单元和红光第三发光单元，蓝光第一发光单元和绿光第二发光单元之间沿着生长方向依次设有第一阻挡层和第一隧道层，绿光第二发光单元和红光第三发光单元之间沿着生长方向依次设有第二阻挡层和第二隧道层，其中：第一阻挡层和第二阻挡层的材料为InyGa1‑yN。第一阻挡层和第二阻挡层阻挡了Mg原子向隧道层的扩散，减少了PN结杂质补偿效应，提高了PN结之间的隧穿效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119560397A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411653929.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种判定GaN基材料掺杂碳元素形成高阻的非破坏性表征方法，涉及半导体器件技术领域，包括：通过光致发光设备获得参考GaN基外延片和目标GaN基外延片的光谱图；根据光谱图，确定参考GaN基外延片、目标GaN基外延片中GaN本征发光峰、黄带发光峰分别对应的第一参考PL强度、第二参考PL强度、第一目标PL强度和第二目标PL强度；第一目标PL强度≤第一参考PL强度的10％且第二目标PL强度≤第二参考PL强度的10％，判定目标GaN基外延片形成高阻。该表征方法简便快捷，减少了芯片制造的工序，加快生产和研发的反馈速度，减少了试错和制造成本，判定结果直观，无需复杂的数据处理，属于非破坏性测试。
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公开(公告)号：CN118473525A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410600856.6
申请日：2024-05-15
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信系统，包括：发射端，用于发射光信号；发射端电源，用于向发射端提供脉冲信号；接收端，用于接收发射端发射的光信号；接收端电源，用于向接收端提供正向电流；电压表，用于测量接收端的电压响应值；所述发射端和接收端为LED，所述发射端的LED主波长小于所述接收端的LED主波长。本发明的可见光通信系统支持信号接收端正常的照明显示功能，不需要专门的探测器，使用LED即可实现对光信号的探测，节约成本；对于双向可见光通信而言，不需要单刀双掷开关或额外的一套发射器和探测器，增大了通信速率和降低了系统成本。
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公开(公告)号：CN119816042A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411854576.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H29/01 , H10H20/813 , H10H20/812 , H10H20/831 , H10H29/34
Abstract: 本发明提供一种微型LED多色芯片及其制备方法，通过在同一衬底上集成红、绿、蓝三种颜色的发光单元，可以避免将不同颜色的芯片分多次转移至驱动电路基板，简化了转移工艺的复杂性，同时提高了生产效率，并且便于制备小尺寸的全彩像素，有利于提高LED显示屏的分辨率。在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀分别露出全彩像素的每个发光单元的阳极接触面和阴极接触面，然后将每个全彩像素的每个发光单元的阴极接触面通过金属粘结叠层形成共阴连接，降低了布线和集成工艺的难度，易于将本发明直接应用于规模生产。
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公开(公告)号：CN119395123A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411757588.5
申请日：2024-12-03
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种氮化物材料痕量元素的二次离子质谱分析方法，收集二次离子中待测元素与氮元素形成的原子团簇型负离子的信号，代替收集该待测元素离子，通过所述原子团簇型负离子的信号分析氮化物材料中待测元素的含量及其深度分布。仅通过改变收集离子信号的模式，提高检测灵敏度，操作简单，不增加额外成本，测试结果准确，尤其适用于氮化物材料痕量元素分布的检测。
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公开(公告)号：CN119170718A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411667045.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本申请属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种在含InGaN层的氮化物薄膜上沉积p型层的方法。该方法通过在MOCVD沉积设备的沉积室中，在含InGaN层氮化物薄膜的待沉积面，交替采用第一工艺、第二工艺以沉积p型层，p型层包括通过第一工艺形成的第一p型层和通过第二工艺形成的第二p型层。本发明采用低温度和慢速率、高温度和快速率交替进行的沉积方式，在相同p型层沉积厚度需求下，减少了InGaN层在较高环境温度中的等待时间，缓解了InGaN层的原子扩散问题，减少了因p型层的低温度沉积而导致碳原子的浓度累积问题，使p型层中的碳原子浓度大幅降低，使p型层具有高空穴浓度与高空穴迁移率。
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