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公开(公告)号:CN116779734A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202211322107.9
申请日:2022-10-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高发光效率的GaN基长波长LED器件结构及其生长方法,该GaN基长波长LED器件结构包括有源层结构,其中,所述有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱和InGaN/AlGaN/GaN多量子阱。生长InGaN/GaN多量子阱时,InGaN阱层生长温度低于GaN垒层;生长InGaN/AlGaN/GaN多量子阱时,InGaN阱层生长温度低于AlGaN层和GaN垒层,AlGaN层与GaN垒层保持一致。一种有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱结构以及InGaN/AlGaN/GaN多量子阱结构,可减少电子空穴泄露,改善量子阱质量,提高载流子在有源区的辐射复合速率,进而达到实现去除传统P‑AlGaN电子阻挡层以及提高GaN基长波长LED器件发光效率的目的。