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公开(公告)号：CN119395123A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411757588.5
申请日：2024-12-03
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种氮化物材料痕量元素的二次离子质谱分析方法，收集二次离子中待测元素与氮元素形成的原子团簇型负离子的信号，代替收集该待测元素离子，通过所述原子团簇型负离子的信号分析氮化物材料中待测元素的含量及其深度分布。仅通过改变收集离子信号的模式，提高检测灵敏度，操作简单，不增加额外成本，测试结果准确，尤其适用于氮化物材料痕量元素分布的检测。
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公开(公告)号：CN119170718A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411667045.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本申请属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种在含InGaN层的氮化物薄膜上沉积p型层的方法。该方法通过在MOCVD沉积设备的沉积室中，在含InGaN层氮化物薄膜的待沉积面，交替采用第一工艺、第二工艺以沉积p型层，p型层包括通过第一工艺形成的第一p型层和通过第二工艺形成的第二p型层。本发明采用低温度和慢速率、高温度和快速率交替进行的沉积方式，在相同p型层沉积厚度需求下，减少了InGaN层在较高环境温度中的等待时间，缓解了InGaN层的原子扩散问题，减少了因p型层的低温度沉积而导致碳原子的浓度累积问题，使p型层中的碳原子浓度大幅降低，使p型层具有高空穴浓度与高空穴迁移率。
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公开(公告)号：CN118335866A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410259932.1
申请日：2024-03-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种含有V形坑的氮化镓基发光二极管。通过对氮化镓基发光二极管中螺位错与刃位错进行选择性生长，使刃位错形成的V形坑被合并，螺位错形成的V形坑保持大尺寸，解决了空穴注入刃位错形成的V形坑时导致的非辐射复合以及漏电问题。本发明不仅提高了发光二极管的效率，而且减小了漏电。相比现有技术，本发明的氮化镓基发光二极管具有更高的效率与可靠性。
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公开(公告)号：CN114335305B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111320757.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉多基色LED侧发光模块及侧发光装置，该侧发光模块包括多基色LED光源、光源电路板、扩散板、导光板、第一反光层、第二反光层和散热器，多基色LED光源中不含荧光粉，通过至少四颗不同基色的LED芯片直接合成白光，导光板边缘设置有光耦合结构，扩散板、第二反光层、导光板、第一反光层依次叠设，导光板的光耦合结构和第一、第二反光层的设置实现了结构紧凑的多基色LED侧发光模块的高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性；侧发光装置由侧发光模块和外壳、电源模块、控制模块、导线组成，侧发光模块与电源模块、控制模块通过导线相连，并结合驱动和控制设计，实现了多基色LED侧发光装置的光谱可调，实现按需照明，并兼顾高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性的照明要求。
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公开(公告)号：CN114388664B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111628138.2
申请日：2021-12-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法，本发明通过在n型层和多量子阱层之间生长应力调控层和电导率调控层，控制氮化物半导体材料在电导率调控层的V形坑平台和侧壁的组分、厚度或掺杂浓度，使电导率调控层V形坑平台和侧壁电导率不同，调控电子在V形坑附近的输运途径。本发明通过调整V形坑平台和侧壁的厚度或掺杂浓度来调控其电导率，不引入新的制造工序，不增加LED的制造成本且不影响制造的合格率来调控载流子在有源区的输运途径，从而提高GaN基LED的发光效率和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107675141B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201711006984.4
申请日：2017-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置，传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。
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公开(公告)号：CN113192820B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110272273.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，它是在高温下向反应室通入NH3和TMIn，对硅衬底表面进行预处理，可有效地降低AlN中的位错密度，减小AlN表面粗糙度，然后进行铺铝，最后生长AlN层，获得表面平整、无孔洞高质量的AlN薄膜。本发明的制备方法易于实现，便于大规模生产，可广泛应用于制造硅衬底III族氮化物LED以及电力电子器件等半导体器件领域。
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公开(公告)号：CN115692552A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211141166.6
申请日：2022-09-20
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法，该LED由衬底、N层、准备层、量子阱InGaN/GaN发光层、P层组成，量子阱InGaN/GaN发光层分为量子阱InGaN层、GaN盖层、量子垒GaN，GaN盖层包括平台区域和V型坑区域，GaN盖层分为两个生长阶段，即：第一生长阶段通入不含H2的气体生长GaN盖层，第二生长阶段通入含H2的气体进行清洗。这种生长方法达到清洗了量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In同时又保护量子阱InGaN层平台区域的In，清洗量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In后V型坑侧壁的禁带宽度增大，减少了电子向V型坑泄露，提高了LED发光效率。
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公开(公告)号：CN115084331A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210354691.X
申请日：2022-04-06
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于制造红光Micro‑LED的氮化物薄膜结构，晶圆作为制造该氮化物薄膜结构的衬底，且晶圆的表面法向与表面晶向之间的夹角为1.0至3.0°，薄膜表面及内部含有台阶形状的层堆叠，所述层堆叠包括：掺Si层、发光量子阱层和掺Mg层。所述台阶形状是由自然生长得到，大小不一、形状不规则，分布均匀，单个台阶由台阶平台和台阶侧壁构成，台阶平台和台阶侧壁之间具有一定夹角，其夹角在90°±10°之间。本发明的优点是：（1）用该氮化物薄膜制备的红光Micro‑LED在工作时具有较低的工作电压；（2）用该氮化物薄膜制备的红光Micro‑LED在工作时，侧表面及其附近的非辐射复合较少，电‑光转换的量子效率较高；（3）用该氮化物薄膜制备的红光Micro‑LED在薄膜面内不同位置上均具有稳定的性能。
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公开(公告)号：CN114823284A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210337909.0
申请日：2022-04-01
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法，该生长方法是在Si衬底上生长GaN薄膜时避免了AlN或AlN/AlGaN缓冲层的生长，通过对Si衬底预处理，形成隔离Si与Ga的界面，避免Ga与Si反应产生回熔；通过调整GaN应力调控层与GaN层的生长温度，调节材料生长过程产生的应力，从而形成连续完整的单晶GaN薄膜。该方法避免了AlN或AlN/AlGaN缓冲层的生长，从而有效地减少AlN在反应室中石墨和喷头等位置的沉积，降低外延生长的成本，减少因为沉积物导致的不稳定性和沉积物处理引起的不确定性和成本增加，有效地降低外延生长的成本和沉积物处理的频率，提高外延生长的稳定性、可靠性和产品良率，在所述GaN薄膜上可生长其他结构或功能层，应用于功率电子器件、照明等领域。
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