公开(公告)号：CN113192820A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110272273.1

申请日：2021-03-12

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 郑畅达 ,  张建立 ,  高江东 ,  王小兰 ,  王旋 ,  李丹 ,  江风益

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，它是在高温下向反应室通入NH3和TMIn，对硅衬底表面进行预处理，可有效地降低AlN中的位错密度，减小AlN表面粗糙度，然后进行铺铝，最后生长AlN层，获得表面平整、无孔洞高质量的AlN薄膜。本发明的制备方法易于实现，便于大规模生产，可广泛应用于制造硅衬底III族氮化物LED以及电力电子器件等半导体器件领域。

公开(公告)号：CN113192820B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202110272273.1

申请日：2021-03-12

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 郑畅达 ,  张建立 ,  高江东 ,  王小兰 ,  王旋 ,  李丹 ,  江风益

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，它是在高温下向反应室通入NH3和TMIn，对硅衬底表面进行预处理，可有效地降低AlN中的位错密度，减小AlN表面粗糙度，然后进行铺铝，最后生长AlN层，获得表面平整、无孔洞高质量的AlN薄膜。本发明的制备方法易于实现，便于大规模生产，可广泛应用于制造硅衬底III族氮化物LED以及电力电子器件等半导体器件领域。