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公开(公告)号：CN112737536A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011551431.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种连续时间线性均衡器及信号收发电路，该连续时间线性均衡器包括输入端和输出端，分别与输入端和输出端电连接的差分放大电路，差分放大电路包括并联连接的第一分支电路和第二分支电路；电连接于第一分支电路与第二分支电路的之间的第一频率补偿电路和至少一个第二频率补偿电路，且第一频率补偿电路与第二频率补偿电路以及各第二频率补偿电路均并联连接；第一频率补偿电路至少用于补偿高频损耗；第二频率补偿电路至少用于补偿中低频损耗；其中，第一频率补偿电路为RC并联电路，第二频率补偿电路为RC串联电路。本发明实施例能够同时对高频信号和中低频信号进行补偿，保证信号传输的准确性。
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公开(公告)号：CN112466941A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011360357.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423
Abstract: 本发明实施例公开了一种E/D‑mode GaN HEMT集成器件的制备方法。该制备方法首先在衬底上形成至少两个GaN HEMT异质结结构，其中，异质结结构包括依次叠层设置的GaN层、空间隔离层以及势垒层，以及在异质结结构远离衬底的一侧形成源极欧姆接触电极和漏极欧姆接触电极。然后，通过在异质结结构远离衬底的一侧采用干法氧化‑湿法刻蚀重复循环的方式形成第一栅极开孔，在第一栅极开孔处形成第一栅极，形成第二栅极开孔和第二栅极，形成源极和漏极，实现了D‑mode GaN HEMT器件和E‑mode GaN HEMT器件在材料和工艺上的兼容，从而实现了增强型和耗尽型器件的集成。
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公开(公告)号：CN111640797A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010489498.8
申请日：2020-06-02
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L21/306
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法，包括：氧化半导体外延片表面栅介质区域的势垒层以形成第一栅介质层；形成覆盖所述第一栅介质层的钝化层并在所述钝化层形成暴露部分第一栅介质层的第一开口；基于所述第一开口对暴露的第一栅介质层以及势垒层交替进行干法氧化和湿法刻蚀工艺，直至所述势垒层对应第一开口的位置被刻蚀到预设深度；氧化所述第一开口处被刻蚀预设深度后的势垒层以形成第二栅介质层；形成覆盖所述第二栅介质层的栅极。本发明实施例实现了势垒层刻蚀深度的精确控制，能有效避免势垒层过刻蚀或刻蚀未尽的现象发生，并且能有效降低刻蚀后势垒层的表面粗糙度，提升半导体器件的饱和电流，降低栅极漏电。
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公开(公告)号：CN111470862A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010158888.7
申请日：2020-03-09
Applicant: 南方科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/634 , C04B35/632 , C04B35/626 , H01G4/12
Abstract: 本发明属于陶瓷电容器技术领域，尤其涉及一种陶瓷浆料、陶瓷流延薄膜的制备方法和片式多层陶瓷电容器。本发明提供的陶瓷浆料，包括具有特定重量份配比的钛酸钡粉体、蓖麻油、聚乙烯醇缩丁酯、邻苯二甲酸二正丁酯、正丁醇、乙二醇和无水乙醇，其中，以无水乙醇为溶剂，以蓖麻油为分散剂，以聚乙烯醇缩丁酯为粘结剂，以邻苯二甲酸二正丁酯为增塑剂，以正丁醇和乙二醇为消泡剂，上述各组分的协同作用，赋予了陶瓷浆料良好的流变性能，使得由该陶瓷浆料经流延形成的陶瓷流延薄膜表面平整致密。
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公开(公告)号：CN111403281A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010207017.X
申请日：2020-03-23
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/417
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件电极的制作方法及半导体欧姆接触结构。该半导体器件电极的制作方法包括：在AlGaN(InAlN)/GaN外延片上形成光刻胶图案，图案定义出源漏极欧姆电极图案；通过在外延片具有光刻胶图案的一侧依次形成TaxAly合金金属层和Au金属层；其中，x＞0且y≥0；去除光刻胶以及光刻胶上的合金与金属，形成源漏极欧姆电极图案；对形成有源漏极欧姆电极图案的外延片进行热退火工艺处理；本发明实施例的技术方案，解决了在达到低欧姆接触电阻值的情况下，无法同时兼顾欧姆电极的表面形貌以及边缘敏锐度的问题，实现了在降低欧姆接触阻值的大小时，兼顾改善欧姆电极的表面粗糙程度及边缘敏锐度，从而提高GaN半导体器件的输出特性、热稳定性和器件良率，进而更加适用于短沟道射频器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110635865A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911011695.2
申请日：2019-10-23
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本申请涉及一种信号的调制方法、解调方法、装置、设备和系统。该方法包括：对输入的基带信号进行分频，得到多个子基带信号，其中，不同的子基带信号在频谱上所占用的频带不同；针对每个子基带信号，采用与当前子基带信号对应的调制方式对所述当前子基带信号进行调制，得到对应的子已调制信号，其中，所述多个子基带信号中至少有两个子基带信号对应的调制方式不相同；对多个子已调制信号进行整合，得到已调制信号，并发送所述已调制信号。该方法提高了数据的传输速率。
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公开(公告)号：CN110300076A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910670509.X
申请日：2019-07-24
Applicant: 南方科技大学
IPC: H04L25/03
Abstract: 本发明公开了一种应用于PAM-4调制格式的前馈均衡器，包括：第一路信号输入端，第一路信号延迟模块，第一路信号预加重模块，第二路信号输入端，第二路信号延迟模块；第二路信号预加重模块，信号输出端。本发明通过对PAM-4信号的预加重和延迟实现了PAM-4信号的调制，解决了现有技术中信号传输时高频衰减会造成符号间干扰的技术问题,实现了更高速率的调制、通信和更精确的控制信号预加重能量的大小并使发射机更好的应对信道失真技术效果。
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公开(公告)号：CN110113022A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910395470.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，其中薄膜体声波谐振器包括：绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。本发明实施例提供的技术方案，可提供一种薄膜体声波谐振器的底电极的实现方案，以防止底电极易损坏的问题。
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公开(公告)号：CN109920857A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910209930.0
申请日：2019-03-19
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法。所述肖特基二极管包括：氧化镓衬底；位于所述氧化镓衬底上的氧化镓外延层，其中，所述氧化镓外延层远离所述氧化镓衬底的一侧设置有多个沟槽；位于所述多个沟槽内的多个p型材料结构；覆盖所述p型材料结构及所述氧化镓外延层的第一电极；位于所述氧化镓衬底远离所述氧化镓外延层一侧的第二电极。在p型材料结构与氧化镓外延层之间形成异质PN结结构，从而解决了氧化镓材料由于很难形成p型掺杂材料而用于制作高性能的肖特基二极管时伴随的高技术难度以及高成本的问题，同时制作的肖特基二极管在高电压大电流情况下具有较低的开启电压，且具有较高的反向击穿电压，提高了肖特基二极管工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN108217720A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611161737.7
申请日：2016-12-15
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明涉及钛酸钡陶瓷技术领域，尤其涉及一种片式多层陶瓷电容器用钛酸钡纳米晶的制备方法。所述方法包括以下步骤：依次向行星式重力搅拌机的塑料罐中加入溶剂、摩尔质量比为1:1的碳酸钡和金红石型二氧化钛、分散剂、球磨珠；按480RPM～550RPM的速度搅拌30s～60s、再以700RPM～1000RPM的搅拌速度搅拌60s～120s，搅拌若干个周期，得到浆料；对所述浆料进行过筛处理；对过筛后的浆料干燥处理，得到干粉；对干粉进行预烧处理。本制备方法得到的钛酸钡c/a接近1.010，并且该混料方式仅需15min左右，极大地缩短了制备时间，最终产物无团聚现象并具有纯度高等特点。
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