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公开(公告)号：CN117783220A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311770190.0
申请日：2023-12-21
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其加工方法，属于气体传感器技术领域，加工方法包括：在硅衬底上依次形成氧化层、氮化物层、加热电极和绝缘层；去除第一预设区域内的氮化物层和绝缘层，由剩余的氮化物层分别形成氮化物岛层和氮化物支撑层，由剩余的绝缘层分别形成绝缘岛层和绝缘支撑层，由氮化物岛层、加热电极和绝缘岛层形成岛部加热组件，并利用连接件连接岛部加热组件和绝缘支撑层；去除第二预设区域内的硅衬底和氧化层，由第二预设区域形成隔热槽；在绝缘岛层上形成具有片上去除湿度干扰结构的敏感电极。本发明提供的气体传感器加工方法，加工工艺简单，加工而成的气体传感器具有片上去除湿度干扰结构，灵敏度高、使用寿命长。
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公开(公告)号：CN117766566A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410054910.1
申请日：2024-01-15
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了集成高K介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件及制备方法，包括半导体漏区、半导体漂移区、以及由高K介质深槽区、栅极沟槽区和源极沟槽区形成的三沟槽结构；栅极沟槽区位于高K介质深槽区内部；源极沟槽区包含P型屏蔽区和P型重掺杂块；高K介质深槽区和源极沟槽区之间区域从上至下包含半导体源区、P型阱区和电流扩散层。本发明在开态时，高K介质深槽区能提高栅极氧化物电容，降低阈值电压，并且能提高漂移区掺杂浓度，从而使比导通电阻降低；电流扩散层减轻漂移区JFET效应；在关态时，高K介质深槽区调制漂移区电场，提高击穿电压；源极沟槽区平衡漂移区顶部电场分布，使栅极沟槽拐角处不易击穿，提高栅氧稳定性。
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公开(公告)号：CN116761479A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310758962.2
申请日：2023-06-26
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，包括步骤1、清洗衬底；步骤2、蒸镀漏极；步骤3、旋涂有机半导体层：将共聚物旋涂在衬底及漏极顶部，从而形成有机半导体层；共聚物的旋涂厚度等于有机半导体层长度，且为40～200nm；通过控制共聚物的旋涂浓度和旋涂速度，控制有机半导体层长度；步骤4、刻蚀柱形槽；步骤5、制作栅介质层；步骤6、在栅介质层的顶部中心刻蚀一个同轴的顶部凹槽；步骤7、蒸镀栅极；步骤8、在栅介质层外周的隔离层顶面蒸镀源极。本发明的沟道长度垂直布设，无需借助高精度光刻机仅通过控制有机半导体溶液浓度、旋涂仪加速度和转速等就能实现对器件沟道长度的控制，制造出nm级别沟道。
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公开(公告)号：CN116490005A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310440025.2
申请日：2023-04-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有高栅控性能的共聚物有机场效应晶体管及制备方法，包括源极金属电极、漏极金属电极、以及从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极金属电极；源漏极金属电极均呈梳齿状，每个漏极金属齿均与对应梳状齿槽的内壁面均有宽度均为d的梳齿状沟道槽；梳齿状沟道槽内通过填充有机共轭聚合物，从而形成有机半导体层；栅极金属电极位于梳齿状沟道槽正上方的栅极绝缘层顶部，且与梳齿状沟道槽的形状尺寸相同。本发明通过常温PECVD方法生长栅极绝缘层，能避免有机物加热后易氧化分解而失效的问题。另外，本发明能增大导电沟道的长宽比，提高栅控效应，在低栅压时就可获得相对大的导通电流。
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公开(公告)号：CN116347959A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310369625.4
申请日：2023-04-10
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种共聚物有机场效应晶体管通孔方法，通过采用阻挡层与刻蚀技术，可以有效的避免显影液以及光刻胶清洗液污染损坏半导体层以及介质层，同时将刻蚀技术引入有机场效应晶体管，解决了有机场效应晶体管长期以来无法实现通孔技术的难题，简便了器件的测试过程，使得有机半导体能够更好的实现集成化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115966596B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202310234418.8
申请日：2023-03-13
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种分离槽横向双扩散功率器件及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。该器件包括从下至上依次叠设的半导体衬底和有源区；有源区包括半导体漏区、半导体漂移区和半导体阱区，半导体阱区包含半导体源区和半导体体接触区；在半导体漂移区及栅极区域有源区刻蚀出分离槽及栅极凹槽，分离槽和栅极凹槽底部及四周填充高介电常数介质材料，随后使用二氧化硅将分离槽填满，分离槽及栅极凹槽的刻蚀、淀积均可同时进行；分离槽结构的漂移区纵向拓展电流传导区域并增加高介电常数介质调制面积，有效提高漂移区掺杂浓度；使用高介电常数介质材料制备的槽型栅MIS电容增大，电子积累层密度增大，在保证耐压不变的情况下降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN115799260A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310046535.1
申请日：2023-01-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开一种负电容围栅纳米片晶体管结构CMOS反相器及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。负电容围栅纳米片结构CMOS反相器包括一个P型负电容围栅纳米片晶体管和一个N型负电容围栅纳米片晶体管。每个负电容围栅纳米片晶体管包括：衬底、有源区和环绕式栅极；有源区包括源漏和多层纳米片结构，纳米片由侧墙和内侧墙共同支撑。环绕式栅极由依次包围覆盖在纳米片外围的氧化层、铁电材料层和金属栅组成，从而产生负电容效应，该铁电材料层具有电压放大功能，可降低器件的亚阈值摆幅到60mV/decade以下。有效改善CMOS反相器的电压转移特性，进一步微缩CMOS反相器特征尺寸，提高器件集成度。
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公开(公告)号：CN112768530B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110147386.9
申请日：2021-02-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种高K围栅场介质纵向双扩散功率器件，包括半导体漂移区、设置在半导体漂移区上方的半导体阱区、以及设置在半导体漂移区下方的半导体漏区；还包括高K围场介质，将高K围场介质上部刻蚀形成高K围栅介质；所述半导体阱区上方设置有半导体体接触区和半导体源区。本发明在开态时，高K围栅介质降低了器件的阈值电压、沟道电阻以及栅极泄漏电流，增加了器件的跨导和输出电流；栅端金属电极、高K围栅场介质和半导体漂移区构成了MIS电容，在开态时，在漂移区与高K围栅场介质界面处产生电子积累层，降低器件的比导通电阻；在关态时，高K围栅场介质对漂移区有辅助耗尽作用，能够使漂移区具有更高的掺杂浓度，降低器件的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN115099126A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210569523.2
申请日：2022-05-24
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习的半导体器件性能相关特征结构参数自动筛选方法，包括：获取器件性能数据集，训练并建立性能预测的机器学习回归模型A，获得器件性能指标；基于特征选择算法，根据器件结构参数在模型中所占权重得到每个器件结构参数重要程度指数；用学习曲线找出该指数最佳阈值，剔除小于最佳阈值的所有器件结构参数，将筛选后的训练特征结构参数子集进行训练，获取器件性能预测回归模型B；将筛选后的测试特征结构参数子集输入训练好的B，获得器件性能指标；将B获得的器件性能指标与A的进行比较，若性能更好，则获取B对应的特征结构参数集；否则重新设计阈值的优化。本发明方法省时高效，精度高，设计成本低。
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公开(公告)号：CN115062549A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210825760.0
申请日：2022-07-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明是一种基于样本数据的半导体器件仿真结果置信度分析方法，包括如下步骤：步骤1：根据实际样本空间数据来源，分别设置所述实际样本空间数据的置信度权重；步骤2：根据待仿真的器件结构参数，设置邻域半径；步骤3：根据相似性函数将邻域半径内空间点的结构参数与仿真样本结构参数代入所述相似性函数，计算得到邻域半径内空间点的结构参数与仿真样本结构参数之间的相似性；步骤4：根据相似性计算结果，计算获取邻域样本空间相对于仿真样本的置信度。本发明将样本数据的置信度引入置信度公式，有效提高了置信度评估的精度，通过控制邻域的数值，不仅可考虑小范围邻域空间，也可考虑整体数据区间，能有效指导设计进程。
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