公开(公告)号：CN117766566A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202410054910.1

申请日：2024-01-15

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  刘宇遨 ,  张鑫鹏 ,  林琰琰 ,  郭宇锋 ,  杨可萌 ,  李曼 ,  张珺 ,  陈静 ,  张茂林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了集成高K介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件及制备方法，包括半导体漏区、半导体漂移区、以及由高K介质深槽区、栅极沟槽区和源极沟槽区形成的三沟槽结构；栅极沟槽区位于高K介质深槽区内部；源极沟槽区包含P型屏蔽区和P型重掺杂块；高K介质深槽区和源极沟槽区之间区域从上至下包含半导体源区、P型阱区和电流扩散层。本发明在开态时，高K介质深槽区能提高栅极氧化物电容，降低阈值电压，并且能提高漂移区掺杂浓度，从而使比导通电阻降低；电流扩散层减轻漂移区JFET效应；在关态时，高K介质深槽区调制漂移区电场，提高击穿电压；源极沟槽区平衡漂移区顶部电场分布，使栅极沟槽拐角处不易击穿，提高栅氧稳定性。

公开(公告)号：CN117038704A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310969940.0

申请日：2023-08-03

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  林琰琰 ,  李昂 ,  任嵩茗 ,  刘安琪 ,  刘宇遨 ,  郭宇锋 ,  李曼 ,  张珺 ,  陈静 ,  杨可萌 ,  张茂林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/51 ,  H01L21/328 ,  H01L21/334

Abstract: 本发明公开了一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法，括衬底、埋氧层、有源层、复合场限环、源极金属、栅极金属和漏极金属；横向功率器件的横截面呈圆形或椭圆形，有源层包括从内至外依次同轴布设的半导体漏区、漂移区和半导体阱区；复合场限环具有至少两个，以半导体漏区的中心为圆心，等距内嵌在漂移区的顶面中；每个复合场限环均包括P型区域和介质区域；P型区域围绕在介质区域的两侧及底面。本发明中复合场限环的高K介质材料，能够有效调制表面电场避免表面电荷对场限环的影响，从而提高击穿电压；同时提高漂移区掺杂浓度，降低器件导通电阻。另外，栅介质、场介质和复合场限环中的介质采用同种介质材料，降低工艺难度。

公开(公告)号：CN116825817A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202311019567.9

申请日：2023-08-14

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  林琰琰 ,  李昂 ,  胡子伟 ,  姚清 ,  郭宇锋 ,  蔡志匡 ,  李曼 ,  杨可萌 ,  张珺 ,  陈静 ,  张茂林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法，包括器件主体、高K介质槽区和P型浮空场限环；器件主体包括N型掺杂的半导体漂移区；高K介质槽区等间距布设在半导体漂移区的顶部中心，且包括凹槽和填充在凹槽内的高K介质；位于高K介质槽区之间的有源层形成为半导体岛区；半导体岛区通过P型掺杂形成P型浮空场限环，且P型浮空场限环的结深大于高K介质槽区的深度。凹槽为条状槽、网状槽或矩形槽等。本发明的P型浮空场限环基于介质凹槽进行定位，能减少掩膜等工艺步骤，凹槽内淀积的高K介质能有效调制表面电场并避免表面电荷对P型浮空场限环的影响，从而提高击穿电压，同时提高漂移区浓度，降低器件导通电阻。