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公开(公告)号：CN116528595A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310503183.8
申请日：2023-05-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于隔离与互连的共聚物有机半导体器件及制备方法，包括衬底、光刻阻挡层、绝缘隔离层、N个有机场效应晶体管和N‑1根互连线；光刻阻挡层包括隔离层和无机介质层；隔离层沿长度方向开设有N个纵向贯通的隔离槽；无机介质层包括下介质层和上介质层；下介质层位于N个隔离内，上介质层铺设在隔离层和下介质层顶部；每个有机场效应晶体管均包括半导体层、源极、漏极和栅极；半导体层布设在对应下介质层节段底部的隔离槽内，其材料为有机共聚物。本发明有效利用隔离槽以及光刻阻挡层，将不同半导体材料的半导体层进行包裹隔离，从而实现在同一基板上集成不同的有机场效应晶体管，且有机场效应晶体管能实现有效互连。
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公开(公告)号：CN116761479A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310758962.2
申请日：2023-06-26
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，包括步骤1、清洗衬底；步骤2、蒸镀漏极；步骤3、旋涂有机半导体层：将共聚物旋涂在衬底及漏极顶部，从而形成有机半导体层；共聚物的旋涂厚度等于有机半导体层长度，且为40～200nm；通过控制共聚物的旋涂浓度和旋涂速度，控制有机半导体层长度；步骤4、刻蚀柱形槽；步骤5、制作栅介质层；步骤6、在栅介质层的顶部中心刻蚀一个同轴的顶部凹槽；步骤7、蒸镀栅极；步骤8、在栅介质层外周的隔离层顶面蒸镀源极。本发明的沟道长度垂直布设，无需借助高精度光刻机仅通过控制有机半导体溶液浓度、旋涂仪加速度和转速等就能实现对器件沟道长度的控制，制造出nm级别沟道。
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公开(公告)号：CN116490005A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310440025.2
申请日：2023-04-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有高栅控性能的共聚物有机场效应晶体管及制备方法，包括源极金属电极、漏极金属电极、以及从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极金属电极；源漏极金属电极均呈梳齿状，每个漏极金属齿均与对应梳状齿槽的内壁面均有宽度均为d的梳齿状沟道槽；梳齿状沟道槽内通过填充有机共轭聚合物，从而形成有机半导体层；栅极金属电极位于梳齿状沟道槽正上方的栅极绝缘层顶部，且与梳齿状沟道槽的形状尺寸相同。本发明通过常温PECVD方法生长栅极绝缘层，能避免有机物加热后易氧化分解而失效的问题。另外，本发明能增大导电沟道的长宽比，提高栅控效应，在低栅压时就可获得相对大的导通电流。
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公开(公告)号：CN116595286A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310561666.3
申请日：2023-05-18
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种共聚物有机半导体器件载流子浓度的提取方法，包括步骤1、计算共聚物有机半导体器件中反向偏置肖特基结的界面最大电场；步骤2、计算反向偏置肖特基结降低的势垒高度；步骤3、构建饱和泄漏电流的函数模型；步骤4、构建载流子浓度计算模型；步骤5、通过测试共聚物有机半导体器件中反向偏置肖特基结在不同温度和不同外置电压下的饱和泄漏电流，并绘制反向偏置肖特基结在不同温度下的电流‑电压曲线，从而得到不同温度下的斜率；步骤6、将温度和对应斜率代入构建的载流子浓度计算模型中，求解得到共聚物有机半导体器件载流子浓度。本发明能对共聚物有机半导体的载流子浓度进行定量分析，且不会改变载流子浓度和空间分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117042471A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310948173.5
申请日：2023-07-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种插指结构的共聚物有机反相器及制备方法，包括衬底、2个有机场效应晶体管、电源端、接地端、输出端、输入端和互连线；每个有机场效应晶体管均包括有机半导体层、光刻介质阻挡层、源极、漏极和栅极；源极包括n个源极指节；漏极包括n个漏极指节，n个漏极指节与n个源极指节等距交错插设，且形成2n‑1个源漏间隙；栅极包括布设在源漏间隙正上方的2n‑1个栅极指节。本发明能有效利用光刻介质阻挡层，将光刻引入有机电路的制备，能有效保护有机半导体材料，并能实现在同一基板上集成多个有机场效应晶体管。另外，插指结构能提高电路的导通电流以及减小导通电阻，同时可以很好的降低电路开启电压，降低电路功耗。
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公开(公告)号：CN116634780A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310632181.9
申请日：2023-05-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H10K10/46
Abstract: 本发明公开了一种具有电荷柱补偿结构的耐高压LDR‑OFET，包括横向共聚物器件本体和若干个电荷柱；横向共聚物器件本体包括衬底、有机共聚物半导体层、栅介质层、栅极、源极和漏极；位于栅极和漏极之间的有机半导体层形成为有机半导体漂移区；有机半导体漂移区的横向长度L＝5～15μm；若干个电荷柱均匀竖向布设在有机半导体漂移区内，每个电荷柱的顶端均贯穿栅介质层，且与栅介质层顶部相齐平；每个电荷柱的底端均与衬底顶面之间的距离为0.01～0.03μm。本发明通过在有机半导体漂移区及正上方的栅介质层内设置电荷柱的方式，使得有机半导体漂移区内的电荷重构，优化有机半导体漂移区的电场分布，从而能使整个器件的击穿电压超过1200V。
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公开(公告)号：CN115172363A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210943666.5
申请日：2022-08-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种共聚物有机场效应晶体管在多模态功率集成电路中的应用，通过利用共聚物有机场效应晶体管来搭建制造有机半导体多模态功率集成电路，该多模态控制电路能够通过改变栅极偏压实现器件N型/P型极性的转化，仅需要改变外接栅极信号就可以实现H桥、单级放大器以及反相器的切换，并且该电路制造工艺简单，集成度更高，散热低，成本低廉，绿色环保，不会造成更多污染。
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公开(公告)号：CN116595286B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310561666.3
申请日：2023-05-18
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种共聚物有机半导体器件载流子浓度的提取方法，包括步骤1、计算共聚物有机半导体器件中反向偏置肖特基结的界面最大电场；步骤2、计算反向偏置肖特基结降低的势垒高度；步骤3、构建饱和泄漏电流的函数模型；步骤4、构建载流子浓度计算模型；步骤5、通过测试共聚物有机半导体器件中反向偏置肖特基结在不同温度和不同外置电压下的饱和泄漏电流，并绘制反向偏置肖特基结在不同温度下的电流‑电压曲线，从而得到不同温度下的斜率；步骤6、将温度和对应斜率代入构建的载流子浓度计算模型中，求解得到共聚物有机半导体器件载流子浓度。本发明能对共聚物有机半导体的载流子浓度进行定量分析，且不会改变载流子浓度和空间分布。
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公开(公告)号：CN115172363B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210943666.5
申请日：2022-08-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种共聚物有机场效应晶体管在多模态功率集成电路中的应用，通过利用共聚物有机场效应晶体管来搭建制造有机半导体多模态功率集成电路，该多模态控制电路能够通过改变栅极偏压实现器件N型/P型极性的转化，仅需要改变外接栅极信号就可以实现H桥、单级放大器以及反相器的切换，并且该电路制造工艺简单，集成度更高，散热低，成本低廉，绿色环保，不会造成更多污染。
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