公开(公告)号：CN116347898A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310369621.6

申请日：2023-04-10

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 沈希舟 ,  梁宇翔 ,  胡晨晨 ,  潘柯宇 ,  崔竞榆 ,  朱越 ,  张珺 ,  姚佳飞 ,  陈静 ,  郭宇锋

IPC: H10K10/80 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明公开了一种具有金属场板的共聚物有机半导体功率器件，包括器件本体和金属场板；器件本体包括从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极金属电极；有机半导体层中埋置有源极金属电极和漏极金属电极；位于栅极金属电极和漏极金属电极之间的有机半导体层形成为横向漂移区，横向漂移区的长度不超过40um；金属场板沉积在横向漂移区正上方的栅极绝缘层表面，金属场板的厚度等于栅极金属电极的厚度；金属场板为三角场板、条状场板和条状阵列场板中的一种，具体根据横向漂移区的长度进行选择。本发明能实现对漂移区的电场调控，从而能在提高器件耐压性能的同时，提高器件的导通电流。

公开(公告)号：CN116490005A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310440025.2

申请日：2023-04-23

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 张珺 ,  张浩 ,  王赋斌 ,  朱越 ,  潘柯宇 ,  汪磊 ,  吴鑫 ,  牟亚彬 ,  常恒典 ,  郭宇锋 ,  姚佳飞 ,  陈静

IPC: H10K10/46 ,  H10K10/84 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种具有高栅控性能的共聚物有机场效应晶体管及制备方法，包括源极金属电极、漏极金属电极、以及从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极金属电极；源漏极金属电极均呈梳齿状，每个漏极金属齿均与对应梳状齿槽的内壁面均有宽度均为d的梳齿状沟道槽；梳齿状沟道槽内通过填充有机共轭聚合物，从而形成有机半导体层；栅极金属电极位于梳齿状沟道槽正上方的栅极绝缘层顶部，且与梳齿状沟道槽的形状尺寸相同。本发明通过常温PECVD方法生长栅极绝缘层，能避免有机物加热后易氧化分解而失效的问题。另外，本发明能增大导电沟道的长宽比，提高栅控效应，在低栅压时就可获得相对大的导通电流。

公开(公告)号：CN116347959A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310369625.4

申请日：2023-04-10

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 潘柯宇 ,  朱越 ,  唐蔚宇 ,  李方怡 ,  胡晨晨 ,  张珺 ,  姚佳飞 ,  陈静 ,  郭宇锋

IPC: H10K71/00 ,  H10K19/80

Abstract: 本发明提供了一种共聚物有机场效应晶体管通孔方法，通过采用阻挡层与刻蚀技术，可以有效的避免显影液以及光刻胶清洗液污染损坏半导体层以及介质层，同时将刻蚀技术引入有机场效应晶体管，解决了有机场效应晶体管长期以来无法实现通孔技术的难题，简便了器件的测试过程，使得有机半导体能够更好的实现集成化。

公开(公告)号：CN116546823A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310369616.5

申请日：2023-04-10

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 朱越 ,  沈希舟 ,  潘柯宇 ,  王文渊 ,  唐蔚宇 ,  张珺 ,  姚佳飞 ,  陈静 ,  郭宇锋

IPC: H10K10/46 ,  H10K10/82

Abstract: 本发明公开了一种提高横向共聚物器件耐压的高K介质结构，包括横向共聚物器件本体和高K介质阵列；横向共聚物器件本体包括从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极；有机半导体层内置有源极和漏极，位于栅极和漏极之间的有机半导体层形成为有机半导体漂移区；有机半导体漂移区的长度范围为L＝20～50um；高K介质阵列沉积在有机半导体漂移区正上方的栅极绝缘层内部或表面；高K介质阵列包括沿有机半导体漂移区长度方向等间距排列的若干个高K介质；若干个高K介质的横向长度从栅极至源极逐渐减小。本发明能够大幅提高器件耐压，提升器件可靠性。