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发明公开
一种共聚物有机场效应晶体管通孔方法审中-实审

公开(公告)号：CN116347959A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310369625.4

申请日：2023-04-10

Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 潘柯宇 , 朱越 , 唐蔚宇 , 李方怡 , 胡晨晨 , 张珺 , 姚佳飞 , 陈静 , 郭宇锋

IPC: H10K71/00 , H10K19/80

Abstract: 本发明提供了一种共聚物有机场效应晶体管通孔方法，通过采用阻挡层与刻蚀技术，可以有效的避免显影液以及光刻胶清洗液污染损坏半导体层以及介质层，同时将刻蚀技术引入有机场效应晶体管，解决了有机场效应晶体管长期以来无法实现通孔技术的难题，简便了器件的测试过程，使得有机半导体能够更好的实现集成化。

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