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公开(公告)号：CN118364728B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410788979.7
申请日：2024-06-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06F18/24 , G06N20/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习和跨尺度迭代耦合的器件电热应力提取方法，包括1、确定参数范围；2、提供参数数值给器件级电学计算工具与封装‑系统级热学计算工具；3、器件级电学计算；4、器件电热应力输出与判断；5、功率损耗计算；6、封装‑系统级热学计算；7、器件‑封装‑系统级电热耦合计算；8、机器学习模型选取与训练；9、器件电热应力预测。本发明提供的跨尺度迭代耦合技术模拟半导体器件实际工作状态下的动态电热耦合效应，显著提高器件电热应力计算精确度。同时通过机器学习辅助计算，实现从半导体器件‑封装‑系统级结构参数、电激励参数、工作时间及环境温度到器件电热应力的预测过程，具有准确性高、计算速度快等优点。
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公开(公告)号：CN118012220B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410411938.6
申请日：2024-04-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种基于威尔逊电流镜的SiC MOSFET有源栅极驱动电路，基于电流提供电路（1）提供驱动电流，由第一镜像电流源控制开关电路（4）、第二镜像电流源控制开关电路（5）分别检测待测试SiC MOSFET U1的源极的电压，并控制相应第一旁路电流产生电路（2）、第二旁路电流产生电路（3）分别工作，进而对待测试SiC MOSFET U1实现驱动；设计方案在开通和关断过程中设计切入栅极驱动电路的旁路威尔逊电流镜，用于加快开关过程中的栅源电压（#imgabs0#）变化速度，从而在不影响漏源电压（#imgabs1#）、漏极电流（#imgabs2#）过冲的情况下加快开关速度，从而达到减小开关损耗的目的。
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公开(公告)号：CN115660109B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211653150.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种机器学习模型的训练数据集均匀化处理方法，包括如下步骤：1、确定器件的数据集输入目标结构参数的变化范围；步骤2、根据数据的变化范围，进行数据预处理；步骤3、对预处理后的数据进行均匀化取值；步骤4、对数据集输入目标结构参数进行反预处理；步骤5、根据反预处理后的数据，进行训练数据集的收集；步骤6、建立机器学习模型。本发明通过训练数据集的均匀化处理技术，避免了模型训练过程中潜在的欠拟合和过拟合问题，可优化机器学习模型的应用能力，且该方案构建的模型具有泛化能力强，对随机器件目标结构参数的电学性能预测准确率高等优点。
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公开(公告)号：CN115062549B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210825760.0
申请日：2022-07-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06N20/00 , G06F18/22 , G06F18/241
Abstract: 本发明是一种基于样本数据的半导体器件仿真结果置信度分析方法，包括如下步骤：步骤1：根据实际样本空间数据来源，分别设置所述实际样本空间数据的置信度权重；步骤2：根据待仿真的器件结构参数，设置邻域半径；步骤3：根据相似性函数将邻域半径内空间点的结构参数与仿真样本结构参数代入所述相似性函数，计算得到邻域半径内空间点的结构参数与仿真样本结构参数之间的相似性；步骤4：根据相似性计算结果，计算获取邻域样本空间相对于仿真样本的置信度。本发明将样本数据的置信度引入置信度公式，有效提高了置信度评估的精度，通过控制邻域的数值，不仅可考虑小范围邻域空间，也可考虑整体数据区间，能有效指导设计进程。
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公开(公告)号：CN118214406A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410411936.7
申请日：2024-04-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种基于可控栅极电流的SiC MOSFET有源栅极驱动电路，针对双脉冲测试电路（8）中所包含的待测试SiC MOSFET U1，基于依次经驱动电压提供电路（1）、电流转换电路（2）提供驱动电流至电流推挽放大电路（3），并结合可控电流过冲抑制电路（4）检测产生可控的电流过冲抑制电流，以及电压过冲抑制电路（5）检测产生电压过冲抑制电流，由电流推挽放大电路（3）放大驱动电流，对待测试SiC MOSFET U1实现驱动；设计方案实现可控的栅极电流控制，从而在待测试SiC MOSFET U1开关过程中，有序的开启和关断，更加有效的抑制电流电压过冲现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114997092A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210686282.X
申请日：2022-06-16
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了基于机器学习和模型的半导体器件电学特性仿真方法，包括步骤1、确定仿真模型；步骤2、确定结构参数或工艺参数；步骤3、获取数据集；步骤4、建立机器学习回归模型；步骤5、预测输入模型参数；步骤6、电学特性仿真。本发明利用机器学习和确定的仿真模型，实现了半导体器件从结构参数与工艺参数到电学特性的仿真，具有仿真速度快，收敛性好，节约计算资源等优点。同时该发明中构建的回归模型能实现从工艺参数到模型参数、工艺参数到结构参数、结构参数到模型参数的预测，能提高设计人员的设计效率，节省设计时间。
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公开(公告)号：CN118012220A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410411938.6
申请日：2024-04-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种基于威尔逊电流镜的SiC MOSFET有源栅极驱动电路，基于电流提供电路（1）提供驱动电流，由第一镜像电流源控制开关电路（4）、第二镜像电流源控制开关电路（5）分别检测待测试SiC MOSFET U1的源极的电压，并控制相应第一旁路电流产生电路（2）、第二旁路电流产生电路（3）分别工作，进而对待测试SiC MOSFET U1实现驱动；设计方案在开通和关断过程中设计切入栅极驱动电路的旁路威尔逊电流镜，用于加快开关过程中的栅源电压（#imgabs0#）变化速度，从而在不影响漏源电压（#imgabs1#）、漏极电流（#imgabs2#）过冲的情况下加快开关速度，从而达到减小开关损耗的目的。
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公开(公告)号：CN115062549A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210825760.0
申请日：2022-07-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明是一种基于样本数据的半导体器件仿真结果置信度分析方法，包括如下步骤：步骤1：根据实际样本空间数据来源，分别设置所述实际样本空间数据的置信度权重；步骤2：根据待仿真的器件结构参数，设置邻域半径；步骤3：根据相似性函数将邻域半径内空间点的结构参数与仿真样本结构参数代入所述相似性函数，计算得到邻域半径内空间点的结构参数与仿真样本结构参数之间的相似性；步骤4：根据相似性计算结果，计算获取邻域样本空间相对于仿真样本的置信度。本发明将样本数据的置信度引入置信度公式，有效提高了置信度评估的精度，通过控制邻域的数值，不仅可考虑小范围邻域空间，也可考虑整体数据区间，能有效指导设计进程。
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公开(公告)号：CN118364728A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410788979.7
申请日：2024-06-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06F18/24 , G06N20/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习和跨尺度迭代耦合的器件电热应力提取方法，包括1、确定参数范围；2、提供参数数值给器件级电学计算工具与封装‑系统级热学计算工具；3、器件级电学计算；4、器件电热应力输出与判断；5、功率损耗计算；6、封装‑系统级热学计算；7、器件‑封装‑系统级电热耦合计算；8、机器学习模型选取与训练；9、器件电热应力预测。本发明提供的跨尺度迭代耦合技术模拟半导体器件实际工作状态下的动态电热耦合效应，显著提高器件电热应力计算精确度。同时通过机器学习辅助计算，实现从半导体器件‑封装‑系统级结构参数、电激励参数、工作时间及环境温度到器件电热应力的预测过程，具有准确性高、计算速度快等优点。
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公开(公告)号：CN117713511A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410079715.4
申请日：2024-01-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H02M1/08 , H03K17/042 , H03K17/082 , H03K17/12 , H03K17/687 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及一种单电源可调驱动电阻SiC MOSFET驱动电路，包括电源电路、可变栅极电阻驱动电路、以及用于测试目标SiC MOSFET Q5开关特性的双脉冲测试电路，通过在目标SiC MOSFET Q5开通/关断过程的不同阶段切换不同的驱动电阻，提高了目标SiC MOSFET Q5的开通/关断速度，其中在器件开通/关断的漏源电流变化的时期，采用一个电阻对目标SiC MOSFET Q5栅极进行充电和放电，减小器件开通/关断延时，提高电压和电流的上升速率。在器件开通/关断的其余时期增大驱动电阻抑制目标SiC MOSFET Q5开关过程中的电压和电流尖峰和振荡，相比于传统驱动电路，能够在有效抑制电压、电流超调和振荡的同时保持较低的开关损耗，提高目标SiC MOSFET Q5的栅极驱动性能，并且电路结构简单，易于实现。
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