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公开(公告)号：CN111230112A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010118902.0
申请日：2020-02-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SPS技术的La-Fe-Si基室温磁制冷复合材料及其制备方法，通过将La-Fe-Si基磁制冷材料粉末和Pr-Co合金粉末均匀混合，经放电等离子烧结成型，烧结温度为850℃～1100℃，随后通过封管热处理制得磁制冷复合材料。本发明采用La-Fe-Si基化合物主相粉末颗粒(磁热工质)和Pr-Co合金粉末颗粒(粘结剂)混合，较高的烧结温度加热粘结剂颗粒至熔融，填充主相颗粒之间空隙，降低了材料孔隙度，从而提高了复合材料的致密度，解决了La-Fe-Si材料脆性大，难成型的问题。同时，通过高温扩散工艺，使得粘结剂中的Pr、Co合金元素扩散，制得的复合材料具有良好的磁热效应。
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公开(公告)号：CN108242302A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201810011832.1
申请日：2018-01-05
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于晶界扩散技术的LaFeSi基磁制冷复合块体材料及其制备方法，将LaFeSi磁制冷材料颗粒和La-Co合金颗粒均匀混合，经真空热模压加工成块体，再经扩散退火热处理，制得复合块体材料，所述LaFeSi磁制冷材料颗粒为LaFe13-xSix材料，其中1.0
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公开(公告)号：CN102351249A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110204454.7
申请日：2011-07-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米结构三氧化钼的制备方法，具体步骤如下：(1)将基片进行清洗并烘干；(2)将钼蒸发源置于电热板加热区，将基片置于钼蒸发源正上方0.1～5.0mm，开启电热板升温至200～600℃，保温0.1～48h；(3)关闭电源，随电热板冷却至室温；取下基片，此时基片表面沉积出的一层白色物质即为三氧化钼。本发明工艺设备简单，成本低廉，制备温度低，适用于不同基片上大面积制备产率高，且制备过程中无需任何催化剂；制备的三氧化钼产物结晶性能良好，无任何杂相。
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公开(公告)号：CN118222972A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410434574.3
申请日：2024-04-11
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C8/68
Abstract: 本发明公开了一种渗硼剂及镍基体高温合金渗硼方法。本发明的渗硼剂的组成包括B4C、KBF4、Ni粉、Cr粉和α‑Al2O3。本发明的镍基体高温合金渗硼方法是在本发明的渗硼剂的作用下进行两次电场辅助渗硼。本发明的渗硼剂可以在镍基体高温合金表面形成高硬度、致密的渗硼层，提高了渗硼层的厚度和表面硬度，且渗硼层硬度最高的位置在最表层，渗硼时不会形成镍硅硼层，无需后续机械研磨加工处理。本发明的镍基体高温合金渗硼方法对固溶处理后的镍基体高温合金进行渗硼，渗硼温度和渗硼时间与时效温度和时间一致，避免了单独进行时效工艺，能够显著降低能耗和生产成本，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN114700491A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210316911.X
申请日：2022-03-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高温SPS粉末自粘结技术的La‑Fe‑Si基磁制冷块体材料及其制备方法，将封管热处理成相良好的La‑Fe‑Si基磁制冷材料粉末在高温放电等离子烧结过程中粉末自粘结成型，制备得磁制冷块体材料；所述烧结温度为900℃～1000℃，压力为10～100MPa；所述La‑Fe‑Si基磁制冷材料为LaFe11.8Si1.2化合物，其粒径≤300μm。本发明较高的烧结温度使得粉末表面合金熔融。熔融合金填充颗粒之间空隙，降低了材料孔隙度，从而提高了块体材料的致密度，且颗粒之间形成可靠的冶金结合，解决了La‑Fe‑Si材料脆性大，难成型的问题。同时，实现在不添加烧结助剂的前提下烧结成型La‑Fe‑Si基块体材料，最大程度减轻烧结助剂引起的磁稀释效应，制得的块体材料具有良好的磁热效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113684457A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110760816.4
申请日：2021-07-06
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种金基镶嵌结构α‑氧化铝薄膜及其制备方法与应用。本发明的金基镶嵌结构α‑氧化铝薄膜由金箔和α‑氧化铝薄膜层叠而成，且α‑氧化铝薄膜部分嵌入金箔。本发明的金基镶嵌结构α‑氧化铝薄膜中的金箔和α‑氧化铝薄膜之间的结合强度高，且α‑氧化铝薄膜的沉积温度低、表面粗糙度低，对CO2激光的波导反射损失小，能够长时间承受CO2激光器射频谐振腔等离子体的刻蚀和激光冲击，将其粘贴在铜基体上制备得到的铜电极适合用于功率高、寿命长、光束质量高、热稳定性好的CO2激光器。
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公开(公告)号：CN111519131A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010279454.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C8/68
Abstract: 本发明属于金属抗高温氧化腐蚀磨损技术领域，公开了一种基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂及其制备方法。所述渗硼剂配方为在传统的用碳化硼作供硼剂和氧化铝作填充剂的盛鹏配方中加入1.5～2.0wt％的活性炭作电厂电流稳定剂，配合交流电场辅助催渗作用，在650～800℃范围内可在纯镍基体上制备出40μm以上的渗硼层，渗硼层由Ni3B，Ni2B和Ni4B3相组成，从表面至基体不存在孔洞和疏松，从表面至基体硬度平缓过渡，最高硬度在渗硼层表面，达Hv1200。
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公开(公告)号：CN109082641B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810986292.9
申请日：2018-08-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于金属涂层制备技术领域，公开了一种三层膜结构涂层及其制备方法。所述三层膜结构涂层由双相Cr+α‑(Al,Cr)2O3基体粘结层、单相α‑(Al,Cr)2O3支撑层和单相纳米α‑Al2O3表层构成。以CrAl合金靶，通过直流磁控溅射依次沉积Cr+α‑(Al,Cr)2O3基体粘结层和α‑(Al,Cr)2O3支撑层；以Al+α‑Al2O3复合靶，通过射频磁控溅射得到单相纳米α‑Al2O3表层。本发明所得涂层的表面工作层为单相纳米α‑Al2O3结构，硬度高，韧性好，高温热稳定性高，与金属基体摩擦时摩擦系数小，与高速钢，热作模具钢和高温合金等基体结合牢固。
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公开(公告)号：CN110079773A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910280128.0
申请日：2019-04-09
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于金属涂层制备技术领域，公开了一种代铬(Ⅵ)镀层的Cr-Fe合金靶材及制备与应用。所述Cr-Fe合金靶材由80～90wt％的Cr和10～20wt％的Fe组成。其制备方法为：将Cr粉和Fe粉混合后置于真空热压炉模具中预压成型，然后在1100～1150℃及70～80MPa压力下保温烧结，得到代铬(Ⅵ)镀层的Cr-Fe合金靶材。本发明的Cr-Fe合金靶材能显著降低烧结温度，缩短致密烧结时间，显著提高生产率的同时降低烧结成本。其可应用与PVD法制备Cr-Fe涂层，成本与电镀铬(Ⅵ)镀层相近甚至更低，且性能能够满足市场要求。
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公开(公告)号：CN109972079A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910259675.0
申请日：2019-04-02
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C8/70
Abstract: 本发明属于表面强化耐磨渗层技术领域，公开了一种渗硼剂及电场辅助低温制备单相Fe2B渗层的方法。所述渗硼剂由供硼剂B4C、活化剂KBF4和填充剂α‑Al2O3组成，并可添加Ni粉。采用本发明的渗硼剂通过电场辅助低温制备单相Fe2B渗层的方法，渗硼温度在650～850℃仍可得到较厚的单相Fe2B渗硼层，厚度比直接渗硼大8～10倍，而且为致密单相Fe2B渗层。电场辅助对渗硼罐内的温度升高很小，只比炉内温度高10～50℃。因渗硼温度显著降低，表层的孔洞和疏松基本消失。渗硼层的韧性得到显著提高。
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