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公开(公告)号：CN113823735A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110972240.8
申请日：2021-08-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种自整流且可电致阻变的电存储器及其制备方法。本发明所述自整流且可电致阻变的电存储器，包括N型单晶硅半导体层、P型SnO半导体层和图案化镍电极；其中P型SnO半导体层部分覆盖在N型单晶硅半导体层表面，图案化镍电极设置在P型SnO半导体层表面和未覆盖的N型单晶硅半导体层表面。本发明电存储器具有极高的整流比和开关比，信息存储的可靠性高，同时可以实现低功耗驱动。
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公开(公告)号：CN110534434B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910634921.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/445 , H01L21/4763 , H01L29/872
Abstract: 本发明属于印刷电子技术领域，公开了一种溶液法制备金属氧化物TFD的方法。选取禁带宽度相近的金属氧化物绝缘材料和金属氧化物导电材料的前驱体，将其分别溶于同一种溶剂或互溶的溶剂得到绝缘材料前驱体溶液和导电材料前驱体溶液：然后将绝缘材料前驱体溶液和导电材料前驱体溶液依次旋涂于正极衬底上，热退火处理后沉积一层负电极材料，得到金属氧化物TFD。本发明基于溶液法旋涂禁带宽度相近且能溶于互溶或同一溶剂体系的绝缘层和导体层，利用绝缘层和导体层之间形成较大混溶区，使得金属氧化物薄膜器件表现出二极管的整流特性，制备出高性能的金属氧化物薄膜二极管。
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公开(公告)号：CN112275034B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202011031924.X
申请日：2020-09-27
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电流体印刷银滤芯及其制备方法与应用。所述印刷银滤芯是通过电流体打印在基底无纺布上印刷高密度银栅格所得。所述印刷银滤芯的方法为：将基底无纺布清洗和干燥处理，然后采用电流体打印机在基底无纺布上打印出银栅格，将打印好的无纺布退火固化，得到银滤芯。本发明制备工艺简单成本低，其具有良好的抗菌抗病毒、透气性能。
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公开(公告)号：CN113112819A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110325403.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于交通速度预测技术领域，涉及一种基于改进LSTM的图卷积交通速度预测方法，包括：对交通速度数据进行预处理，构建城市路网的拓扑结构图和构建交通速度预测模型的输入；构建基于改进LSTM的图卷积网络交通速度预测模型，交通速度预测模型使用图卷积模块获取交通速度的空间相关性，使用改进LSTM模块捕获由特征矩阵序列表示的片段序列中交通速度的时间相关性；对交通速度预测模型进行训练，并评估交通速度预测模型；基于训练好的交通速度预测模型进行交通速度预测。本发明使用改进的LSTM模型能避免模型训练时出现梯度消失和梯度爆炸问题，更好地获取交通数据的时间相关性。本发明具有预测速度快、预测精度高等优点。
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公开(公告)号：CN112275034A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011031924.X
申请日：2020-09-27
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电流体印刷银滤芯及其制备方法与应用。所述印刷银滤芯是通过电流体打印在基底无纺布上印刷高密度银栅格所得。所述印刷银滤芯的方法为：将基底无纺布清洗和干燥处理，然后采用电流体打印机在基底无纺布上打印出银栅格，将打印好的无纺布退火固化，得到银滤芯。本发明制备工艺简单成本低，其具有良好的抗菌抗病毒、透气性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111446042A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010165375.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明导电薄膜材料领域，公开了一种高性能透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法为：将透明基板经清洗、烘干后，在室温下通过脉冲激光沉积GZO导电薄膜，得到高性能透明导电薄膜。本发明采用了GZO作为导电薄膜材料，绿色环保；且采用单层GZO薄膜，工艺简单；并通过脉冲激光沉积制备，无需退火处理，有效降低成本。所得GZO导电薄膜具有高透过率，低粗糙度，低电阻的优点，可用于电磁器件和设备屏蔽，例如：战斗机座舱盖和海军舰艇舷窗等。
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公开(公告)号：CN111129161A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911353459.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种柔性基板半嵌入式栅极薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管包括柔性基板和柔性基板上的栅极，所述柔性基板上设有矩形凹槽，所述栅极下部矩形区域刚好嵌入至矩形凹槽内，栅极上部梯形区域凸出于矩形凹槽外。与现有的堆栈式底栅顶接触的薄膜晶体管和全嵌入式栅极的薄膜晶体管结构相比，本发明有利于绝缘层薄膜和有源层薄膜的内部及接触界面的缺陷减少，提高器件的性能。且本发明在对嵌入栅极后的柔性基板进行表明清洗时，可有效去除可能存在于凹槽内边角处的杂质和清洗剂，洁净度更高，器件质量更好。
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公开(公告)号：CN111081876A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911395923.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种以高介电、宽带隙金属氧化物为绝缘层的有机薄膜晶体管及其制备方法与应用。本发明提供的有机薄膜晶体管包括衬底以及在衬底上依次设置的栅极、金属氧化物绝缘层薄膜、有机有源层和源漏电极；所述的金属氧化物为氧化铪、氧化钇和氧化钛中的至少一种。本发明通过采用粗糙度低的金属氧化物绝缘层薄膜(通过AFM测试，粗糙度均在0.2nm以下)，使绝缘层薄膜与有源层薄膜之间接触更好，更容易形成导电沟道，有源层中的载流子与空穴的更容易形成，且减少缺陷对载流子的捕获作用，使器件迁移率提高且阈值电压降低；同时，禁带间隙宽使得器件击穿电压更大、漏电流更小，使器件耐击穿性以及低功耗性得到提升。
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公开(公告)号：CN109887991A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910135861.3
申请日：2019-02-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管包括依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、第一层有源层、第二层有源层和源漏电极；其中第一层有源层为硅的质量百分含量为0～3％的硅掺杂氧化锡，第二层有源层为硅的质量百分含量为5～10％的硅掺杂氧化锡。本发明采用硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料，通过搭配不同硅掺杂含量氧化锡有源层材料，制备叠层有源层结构，调控器件沟道中的载流子，获得良好的器件性能。
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公开(公告)号：CN109727702A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811515158.7
申请日：2018-12-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于电子器件材料制备技术领域，公开了一种锆掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。所述方法包括如下制备步骤：(1)配制锆掺杂氧化锡前驱体溶液；(2)将干净玻璃衬底进行等离子体处理；(3)在等离子体处理过的玻璃衬底上旋涂制备锆掺杂氧化锡薄膜；(4)将制备好的薄膜先在热台上进行预固化，之后再进行退火。本发明制备的锆掺杂氧化锡透明导电薄膜具有高透过率，低电阻率，工艺简单，成本低廉等优点。
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