公开(公告)号：CN110534418A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910623038.7

申请日：2019-07-11

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  李晓庆 ,  宁洪龙 ,  史沐杨 ,  梁宏富 ,  李志航 ,  袁炜健 ,  张观广 ,  张旭 ,  彭俊彪

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法，包括步骤：(1)将玻璃基板清洗、烘干；(2)在玻璃基板上采用直流磁控溅射沉积Al:Nd合金薄膜，通过湿法刻蚀图形化，形成栅极；(3)在Al:Nd栅极上通过阳极氧化法生长一层Al2O3:Nd栅极绝缘层；(4)采用脉冲激光沉积系统，通过掩模在Al2O3:Nd栅极绝缘层上沉积一层GZO半导体层；(5)采用真空蒸镀设备，通过掩模在GZO半导体层上蒸镀一层Al源漏电极。本发明采用了GZO半导体材料制备薄膜晶体管的有源层，不含In元素且Ga、Zn、O三种元素均无毒，符合绿色环保的发展趋势。有源层采用了脉冲激光沉积法制备，操作简单，可重复性高，整个器件制备均在室温下完成，无需退火，有效降低器件成本。

公开(公告)号：CN109411542A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811048754.9

申请日：2018-09-10

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  刘贤哲 ,  姚日晖 ,  袁炜键 ,  张啸尘 ,  邓宇熹 ,  周尚雄 ,  李志航 ,  史沐杨 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明属于显示器器件领域，具体涉及一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)在基板上沉积栅极；(2)在栅极表面阳极氧化生长栅极绝缘层；(3)在栅极绝缘层上沉积有源层；(4)在有源层上制备源电极和漏电极，并利用湿法刻蚀进行图形化；(5)将器件进行空气常压退火，退火温度为350℃；(6)在沟道上方制备钝化层。一般制备完器件后，沟道区域含有残留物，会导致器件电学性能恶化，但经过350℃前退火，可以消除沟道区的残留物，提高器件性能。因此，制备小型化器件时，由于当沟道尺寸很小时沟道区的残留物很难去除，需要经过350℃前退火消除沟道区的残留物，从而提高器件性能。

公开(公告)号：CN109003887A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810728835.7

申请日：2018-07-05

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  史沐杨 ,  宁洪龙 ,  周尚雄 ,  袁炜健 ,  李志航 ,  蔡炜 ,  朱镇南 ,  魏靖林 ,  彭俊彪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种低温制备ZrO2绝缘层薄膜及叠层结构，所述薄膜的制备步骤如下：将醋酸锆溶于乙二醇单甲醚中，加入乙醇胺，搅拌后静置老化，得到醋酸锆浓度为0.3～0.6mol/L的前驱体溶液；所述乙醇胺的体积占所述前驱体溶液总体积的1/6；然后在ITO玻璃衬底上旋涂所述前驱体溶液，并在200℃下退火1～2h，得到ZrO2绝缘层薄膜。再在所得ZrO2绝缘层薄膜上通过磁控溅射镀圆形Al电极，即可得到所述叠层结构。本发明在较低退火温度下去除湿膜中的有机杂质，有利于绝缘层薄膜与塑料等柔性衬底相结合，使得低温制备高性能柔性电子器件成为可能，同时避免传统低温工艺中所需的紫外光处理，降低退火工艺的复杂度。