公开(公告)号：CN102394223A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110406897.4

申请日：2011-12-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  王薇 ,  蔡剑 ,  王漪 ,  张盛东 ,  王亮亮 ,  任奕成 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种在塑料衬底上制备薄膜晶体管的制造方法，该方法首先在塑料衬底上引入一层隔离层可以避免外界湿气等环境影响，然后在隔离层上引入一层绝缘层可以屏蔽外界环境对薄膜晶体管电学特性的干扰。本发明在塑料衬底上制备薄膜晶体管的方法有效的抑制了外界环境的影响，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件性能，提高了成品率。

公开(公告)号：CN101419867B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200810223906.4

申请日：2008-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  印海友 ,  刘力锋 ,  王漪 ,  刘晓彦 ,  张天舒 ,  王旭 ,  韩汝琦

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/04 ,  H01L31/18 ,  H01M14/00

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的纳米复合电极的制备方法，该方法包括：利用阳极氧化的方法首先在透明导电基底上制备TiO2纳米管阵列；然后在TiO2纳米管阵列表面涂布一层TiO2纳米颗粒的分散溶液；最后通过加热的方式使TiO2纳米颗粒与TiO2纳米管结合在一起，并且使分散溶液的溶剂挥发，得到染料敏化太阳能电池的半导体复合电极结构。由于在制备有序纳米管阵列结构的基础上，将TiO2纳米颗粒与TiO2纳米管结合，使相对于单一的纳米管阵列电极的表面积增加，可以吸附更多的染料，从而增加太阳能电池的光电效率；同时，纳米颗粒层可以作为透射过纳米管阵列光线的漫反射层，使得光线在管中传播时间更长，增大了激发染料的概率。

公开(公告)号：CN101488459B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200910077731.5

申请日：2009-02-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  李绍娟 ,  王漪 ,  孙雷 ,  关旭东 ,  韩汝琦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，先在玻璃衬底上依次形成金属源漏区、金属氧化物半导体沟道区和透明栅介质层后，在栅介质层上涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，显影并坚膜，然后带胶生长一层导电薄膜，再剥离光刻胶和导电薄膜，光刻和刻蚀形成栅电极。该方法可保证器件的栅电极和源漏区之间形成自对准，即栅电极对称位于源漏之间正上方，而且其长度由源漏之间的距离而非掩膜版上的尺寸所决定，有效避免寄生效应的产生。

公开(公告)号：CN101478005A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910077733.4

申请日：2009-02-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  李绍娟 ,  王漪 ,  孙雷 ,  关旭东 ,  韩汝琦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。该晶体管为底栅结构，包括一栅电极，一栅介质层，一沟道区，一源区和一漏区，所述源区和漏区分别在沟道区两端并与沟道区相连，且源漏区与沟道区为同一层金属氧化物半导体薄膜，未偏置状态下，源漏区为高载流子浓度区，而沟道区为低载流子浓度区。该薄膜晶体管的源漏区与沟道区由同一次的薄膜工艺形成，在真空或氢气或氮气气氛下热处理半导体薄膜实现源漏区的高载流子浓度，在氧气气氛下热处理则获得沟道区的低载流子浓度，不需另加源漏金属层工艺步骤，简化了制备工艺。同时，器件的阈值电压由氧气氛下的退火条件所控制，可在线检测，使器件特性的可控性大为提高。

公开(公告)号：CN101211764A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200610170719.5

申请日：2006-12-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  康晋锋 ,  王漪 ,  张兴 ,  韩汝琦

IPC: H01L21/203

Abstract: 本发明提供一种铬(Cr)掺杂的二氧化钛(TiO2)(CrxTi1－xO2)室温铁磁薄膜的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件制备领域。该方法首先采用溶胶－凝胶法制备Cr掺杂TiO2溶胶，将溶胶旋涂在单晶硅衬底上形成CrxTi1－xO2溶胶－凝胶薄膜。CrxTi1－xO2溶胶－凝胶薄膜在空气气氛中退火晶化处理后在室温下具有微弱的铁磁特性；CrxTi1－xO2薄膜经过含氢气氛或者真空下二次退火后，其铁磁性得到了增强。采用本发明可制得具有良好室温铁磁性的CrxTi1－xO2薄膜。

公开(公告)号：CN101016164A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710003498.7

申请日：2007-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  孙雷 ,  韩德东 ,  刘力锋 ,  康晋锋 ,  刘晓彦 ,  张兴 ,  韩汝琦

IPC: C01G1/02 ,  C01G9/02 ,  C01G51/04 ,  H01L21/34 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种室温稀磁宽禁带半导体氧化锌掺钴材料的方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先采用固相烧结法制备ZnO中掺入Co杂质，即将高纯的ZnO粉末和钴的氧化物粉末按一定的成份配比混合后，使用行星式球磨机在玛瑙罐中混料长时间湿法球磨，球磨料经烘干、研磨，反应烧结，再特殊退火处理，即使用一定比例的惰性气体和氢气混合气体，对掺杂的氧化锌稀磁半导体材料进行退火处理。退火后的CoxZn1－xO材料具有室温铁磁性，采用本发明可制得具有室温铁磁性的掺钴氧化锌稀磁半导体材料。

公开(公告)号：CN118860191A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410909465.2

申请日：2024-07-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 周正 ,  吴嗣昊 ,  徐傲然 ,  段瑞斌 ,  张兴 ,  韩德栋 ,  刘力锋 ,  王漪

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044

Abstract: 本申请公开了一种触控器件结构，包括TFT器件以及MIM电容，所述TFT器件包括源极、漏极以及栅极，所述MIM电容包括上极板以及下极板，所述上极板与所述下极板之间通过绝缘层分隔，所述TFT器件的源极与MIM电容的下极板相连接，其中：所述TFT器件用于实现触控器件的选通及关断；所述MIM电容用于感知触控器件所处的状态。MIM电容未被触碰时，下极板与大地自然形成一系列寄生电容，共同构成触控器件的自电容；MIM电容被触碰时额外形成与自电容为并联关系的触碰电容，使得源极总电容量增加；利用TFT器件对触控器件的选通和关断作用降低触控传感器阵列中的寄生电容，实现高分辨率触控传感器阵列中信噪比的提高。

公开(公告)号：CN113013250B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202110205068.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 董俊辰 ,  李琪 ,  韩德栋 ,  王漪 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件领域。该场效应晶体管包括衬底、栅电极、金属‑绝缘层电介质、有源层和源/漏电极，栅电极位于衬底之上，金属‑绝缘层电介质位于栅电极之上，有源层位于金属‑绝缘层电介质之上,源/漏电极位于有源层之上，所述金属‑绝缘层电介质结构采用氧化铝/钛/氧化铝的三明治结构，所述氧化铝薄膜厚度分别为10‑100纳米，钛薄膜为金属钛薄膜或氧化钛薄膜，所述钛薄膜厚度为10‑100纳米。本发明提出了一种用于微电子器件的新型high‑k电介质材料，该金属‑绝缘层混合电介质采用磁控溅射和原子层淀积工艺制备，步骤简单、成本低，具有实际应用潜力。

公开(公告)号：CN110689839A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201911256425.8

申请日：2019-12-10

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京大学软件与微电子学院

Inventor： 李新国 ,  郝学光 ,  王漪

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/36 ,  G09G3/32 ,  G11C19/28

Abstract: 本发明提供一种移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置，涉及显示技术领域。移位寄存器单元包括移位寄存模块和输出模块，所述移位寄存模块在复位信号以及第一时钟信号的控制下，对输入信号进行移位寄存，以生成进位输出信号；移位输出节点的电压信号与所述进位输出信号反相；输出模块用于根据输出控制信号和第二时钟信号生成栅极驱动信号；输出控制信号为所述进位输出信号或所述移位输出节点的电压信号。本发明所述的移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置特性稳定。所述显示装置可以为有机发光二极管显示装置、液晶显示装置或聚合物发光器件显示装置。

公开(公告)号：CN105552113B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201610111860.1

申请日：2016-02-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  张晓密 ,  伦志远 ,  丛瑛瑛 ,  董俊辰 ,  赵飞龙 ,  韩德栋

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种硅衬底上的辐射敏感场效应晶体管(RadFET)及其制备方法。该器件的绝缘沟道层依次为：湿法制备的二氧化硅层、石墨烯薄膜、以及干法制备的二氧化硅层。多层石墨烯材料作为沟道层，增强了RadFET探测器的灵敏度；且湿法制备的疏松氧化硅层起到缓冲作用，可以有效减缓高能粒子辐射带来的器件损伤，同时避免了石墨烯薄膜与源漏电极直接接触带来的界面问题，提高了器件的寿命和性能。此外，对干法制备的二氧化硅进行离子注入工艺，引入较高浓度的杂质陷阱，可以有效的调整器件的阈值电压，同时减小源漏接触电阻，增强器件灵敏度。该RadFET探测器工艺简单、制备成本低，适用于辐射总剂量的探测，具有广泛的应用前景。