公开(公告)号：CN118860191A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410909465.2

申请日：2024-07-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 周正 ,  吴嗣昊 ,  徐傲然 ,  段瑞斌 ,  张兴 ,  韩德栋 ,  刘力锋 ,  王漪

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044

Abstract: 本申请公开了一种触控器件结构，包括TFT器件以及MIM电容，所述TFT器件包括源极、漏极以及栅极，所述MIM电容包括上极板以及下极板，所述上极板与所述下极板之间通过绝缘层分隔，所述TFT器件的源极与MIM电容的下极板相连接，其中：所述TFT器件用于实现触控器件的选通及关断；所述MIM电容用于感知触控器件所处的状态。MIM电容未被触碰时，下极板与大地自然形成一系列寄生电容，共同构成触控器件的自电容；MIM电容被触碰时额外形成与自电容为并联关系的触碰电容，使得源极总电容量增加；利用TFT器件对触控器件的选通和关断作用降低触控传感器阵列中的寄生电容，实现高分辨率触控传感器阵列中信噪比的提高。