公开(公告)号：CN101488459A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910077731.5

申请日：2009-02-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  李绍娟 ,  王漪 ,  孙雷 ,  关旭东 ,  韩汝琦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，先在玻璃衬底上依次形成金属源漏区、金属氧化物半导体沟道区和透明栅介质层后，在栅介质层上涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，显影并坚膜，然后带胶生长一层导电薄膜，再剥离光刻胶和导电薄膜，光刻和刻蚀形成栅电极。该方法可保证器件的栅电极和源漏区之间形成自对准，即栅电极对称位于源漏之间正上方，而且其长度由源漏之间的距离而非掩膜版上的尺寸所决定，有效避免寄生效应的产生。

公开(公告)号：CN101488459B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200910077731.5

申请日：2009-02-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  李绍娟 ,  王漪 ,  孙雷 ,  关旭东 ,  韩汝琦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，先在玻璃衬底上依次形成金属源漏区、金属氧化物半导体沟道区和透明栅介质层后，在栅介质层上涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，显影并坚膜，然后带胶生长一层导电薄膜，再剥离光刻胶和导电薄膜，光刻和刻蚀形成栅电极。该方法可保证器件的栅电极和源漏区之间形成自对准，即栅电极对称位于源漏之间正上方，而且其长度由源漏之间的距离而非掩膜版上的尺寸所决定，有效避免寄生效应的产生。

公开(公告)号：CN101478005A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910077733.4

申请日：2009-02-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  李绍娟 ,  王漪 ,  孙雷 ,  关旭东 ,  韩汝琦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。该晶体管为底栅结构，包括一栅电极，一栅介质层，一沟道区，一源区和一漏区，所述源区和漏区分别在沟道区两端并与沟道区相连，且源漏区与沟道区为同一层金属氧化物半导体薄膜，未偏置状态下，源漏区为高载流子浓度区，而沟道区为低载流子浓度区。该薄膜晶体管的源漏区与沟道区由同一次的薄膜工艺形成，在真空或氢气或氮气气氛下热处理半导体薄膜实现源漏区的高载流子浓度，在氧气气氛下热处理则获得沟道区的低载流子浓度，不需另加源漏金属层工艺步骤，简化了制备工艺。同时，器件的阈值电压由氧气氛下的退火条件所控制，可在线检测，使器件特性的可控性大为提高。

公开(公告)号：CN101478005B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910077733.4

申请日：2009-02-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  李绍娟 ,  王漪 ,  孙雷 ,  关旭东 ,  韩汝琦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。该晶体管为底栅结构，包括一栅电极，一栅介质层，一沟道区，一源区和一漏区，所述源区和漏区分别在沟道区两端并与沟道区相连，且源漏区与沟道区为同一层金属氧化物半导体薄膜，未偏置状态下，源漏区为高载流子浓度区，而沟道区为低载流子浓度区。该薄膜晶体管的源漏区与沟道区由同一次的薄膜工艺形成，在真空或氢气或氮气气氛下热处理半导体薄膜实现源漏区的高载流子浓度，在氧气气氛下热处理则获得沟道区的低载流子浓度，不需另加源漏金属层工艺步骤，简化了制备工艺。同时，器件的阈值电压由氧气氛下的退火条件所控制，可在线检测，使器件特性的可控性大为提高。