-
公开(公告)号：CN108529550A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810401013.8
申请日：2018-04-28
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于晶圆键合工艺的圆片级封装MEMS芯片结构及其制造方法，MEMS芯片包括衬底层、器件层、盖帽层三层结构，三层结构键合在一起，形成一个可供器件层上的梳齿微结构移动的空腔结构；衬底层上布有电极图形，并采用共面电极实现空腔结构内的器件层结构与空腔外电极焊盘的互联；在器件层与衬底的键合面上，具有阵列凹坑结构。并且在器件层的键合密封环上有贯通于密封腔内外的凹槽结构，凹槽结构在晶圆键合后将被键合介质与硅的共晶体所填充。该结构有助于提高金-硅键合强度，并能够有助于提高真空密封的真空度。在该结构的制造工艺中，使用气态HF对键合表面进行处理，去除表面的二氧化硅，保障金-硅键合强度的同时避免微结构的粘连。
-
公开(公告)号：CN108519498A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810189872.5
申请日：2018-03-08
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/097
Abstract: 本发明公开了一种谐振加速度计的自适应闭环测量系统，频率控制采用自适应控制的锁相环结构，可根据外界加速度的变化自动选择环路滤波器的控制方式，解决了现有技术中电路参数固定，无法自适应调节的问题，有效克服了锁相环路响应速度和稳态相差之间的矛盾，进而有效提升加速度计的量程、标度因数线性度和零偏稳定性。同时，实现结构简单，无需复杂算法，具有简单高效、适应性强的优点。其中的PI控制单元采用增量式算法，是对传统的位置式PI算法的改进，可获得更好的控制效果，有助于提升系统的稳定性；幅值控制模块采用交流自动增益控制方法，模块中采用简单有效的幅值解调方法，节省了硬件资源，并可在较大范围内调节驱动信号幅值。
-
公开(公告)号：CN108281349A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810093853.2
申请日：2018-01-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，涉及硅微机械加工技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、在待刻蚀晶圆上表面涂覆光刻胶；步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影，形成预先设计图形的光刻胶掩膜；步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜的外表面进行轰击处理；步骤(五)、在光刻胶掩膜的上表面，采用氧等离子体对光刻胶掩膜进行边角削除；得到最终图形成型的光刻胶掩膜；步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜，对待刻蚀晶圆进行深硅刻蚀；本发明使光刻胶掩膜具有更强的抗刻蚀能力、更高的图形符合度，有利于实现高陡直度深硅刻蚀结构。
-
公开(公告)号：CN107963609A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711140014.3
申请日：2017-11-16
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00269 , B81C1/00261 , B81C1/00325
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极键合的全硅MEMS圆片级真空封装方法，在MEMS圆片级真空封装工艺中采用2次阳极键合实现了盖板、MEMS器件结构、衬底之间的机械和电信号连接，并形成了压力可控的MEMS密封腔体，和现有的基于硅-硅焊料键合、硅-硅熔融键合等全硅键合工艺相比工艺难度低、成品率高；对盖板玻璃片进行减薄至10～50微米及对衬底玻璃片进行减薄至10～50微米，而现有的全硅键合工艺介质层厚度最大不超过3微米，由于越薄的介质层引入的寄生电容越大，因此，本发明引入的寄生电容小，使得MEMS器件输出的信噪比提高。
-
公开(公告)号：CN107543681A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710637336.2
申请日：2017-07-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01M11/00
Abstract: 本发明公开了一种高速撞击下光纤断裂响应时间的测量装置和方法，包括光源、光分路器、多芯光纤、第一多芯光纤-单芯光纤耦合单元、第二多芯光纤-单芯光纤耦合单元、多个光电探测器、信号采集单元，所述光电探测器个数与多芯光纤的纤芯数目对应；通过不同纤芯光信号的强度来判断该纤芯的断裂状态，响应速度快；利用多芯光纤不同纤芯在光纤横截面上的分布，根据不同纤芯断裂时的光信号下降沿在时间轴上的差异，计算出光纤从表面到中心纤芯的断裂时间，综合实现了宽光功率范围、高灵敏度、快速恢复的目标，实现了光纤通断状态的快速检测。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105293428A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510679727.1
申请日：2015-10-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的全硅化圆片级真空封装方法及封装器件。采用平面电极引出方案，仅采用单个密封金属环即实现了器件的真空密封。采用平面电极的电信号引出方式有效的避免了全硅圆片封装工艺中常见的引入较大寄生电容的问题。本发明采用硅引线实现电互连，因此整体封装工艺具有更高的工艺兼容温度，从而可以在引线上制备更高密度更高质量的绝缘介质层，从而提高了器件的加工成品率和长期使用的可靠性。
-
公开(公告)号：CN105258689A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510680007.7
申请日：2015-10-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5776
CPC classification number: G01C19/5776
Abstract: 本发明一种数字陀螺仪信号控制处理系统，包括驱动模块控制环路L1和检测模态控制环路L2。本发明采用的相关欠采样技术采用振动式陀螺仪驱动信号频率作为基准，采用正交的采样信号，在每个驱动信号周期里对振动式陀螺仪驱动信号和检测信号进行重采样，并通过CIC梳状滤波器输出驱动振动的幅度信号和频率失配信号以及检测振动的角速度信息和正交误差信息。本发明的相关欠采样算法无需进行乘法即能提取调制信号的幅度和相位信息，具有简单高效的特点。本发明提出的数字陀螺仪信号控制处理系统及相关欠采样技术，适合振动式哥氏陀螺仪。
-
公开(公告)号：CN112158797B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202010880769.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶片键合过程中对准检测方法，包括：在上晶片非键合面制作上晶片辅助对准标记和上晶片主对准标记；在下晶片键合面制作下晶片辅助对准标记和下晶片主对准标记；利用主对准标记进行上下晶片的对准后上下晶片错开，露出下晶片辅助对准标记，测量露出的下晶片辅助对准标记与上晶片辅助对准标记的横纵向的位置偏差，计算出对准标记偏差，合理控制对准偏差范围。本发明可以加工出对准精度高的敏感芯片，实现非透明晶片键合前对准的定量测试，本发明能确保芯片的质量和成品率。
-
公开(公告)号：CN111099555B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201911303875.8
申请日：2019-12-17
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种适用于圆片级真空封装的玻璃腔体制造方法，对玻璃片进行一次清洗；在玻璃表面刻蚀形成第一图形；对玻璃片进行二次清洗；在玻璃表面淀积金属钨薄膜；将钨薄膜在第二步中的第一图形形成的浅槽内形成第二图形；在玻璃表面淀积复合金膜；在复合金膜上涂覆光刻胶，在金膜上进行光刻，形成腔体图案；用蓝膜将玻璃片无金膜面及有金膜面的边缘进行保护；将带有镂空图形的硅片与带有玻璃片腔体的玻璃片按照第二图形进行对准，形成用于圆片级真空封装的腔体内带有吸气剂薄膜的玻璃片。本发明采用厚光刻胶和金属膜组成复合掩膜，能够消除单层掩膜表面的缺陷和针孔对腐蚀的影响，减少玻璃腐蚀过程中的表面钻蚀。
-
公开(公告)号：CN115201515A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210743282.9
申请日：2022-06-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提出一种单质量三轴MEMS加速度计敏感结构，实现三个轴向加速度的检测。通过结构对称性设计、检测差分设计、“工”字型弹性梁设计、交叉轴解耦设计显著降低交叉轴耦合。将检测梳齿锚区位置设计在结构轴线两侧附近，降低了温度变化过程中检测锚区在垂直于结构轴线方向上的位移，降低了环境温度变化时热应力对检测电容间隙变化的影响，提高加速度计输出特性的温度稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
72
records
(took 0.036 seconds)
