-
公开(公告)号：CN107299318A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710399984.9
申请日：2017-05-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
CPC classification number: C23C14/185 , C03C17/40 , C03C2217/255 , C03C2217/26 , C03C2218/156 , C03C2218/31 , C23C14/021 , C23C14/352
Abstract: 本发明涉及一种耐BOE腐蚀的金属掩膜制备方法，特别是在石英晶体上镀制耐BOE腐蚀的金属掩膜层的制备方法。本发明具体包括清洗步骤和镀膜步骤。本发明的显著效果是：①实现了用单层Cr/Au掩膜层进行耐BOE腐蚀工艺；②解决了现有Cr/Au掩膜层腐蚀后出现表面钻蚀，鼓包，甚至脱落等问题；③单层Cr/Au掩膜层转移光刻图形精度高，可以控制在1um以内；④制备工艺过程简单，易于控制，制备成本低廉，适合批量生产。
-
公开(公告)号：CN105293428A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510679727.1
申请日：2015-10-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的全硅化圆片级真空封装方法及封装器件。采用平面电极引出方案，仅采用单个密封金属环即实现了器件的真空密封。采用平面电极的电信号引出方式有效的避免了全硅圆片封装工艺中常见的引入较大寄生电容的问题。本发明采用硅引线实现电互连，因此整体封装工艺具有更高的工艺兼容温度，从而可以在引线上制备更高密度更高质量的绝缘介质层，从而提高了器件的加工成品率和长期使用的可靠性。
-
公开(公告)号：CN115078767B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210554601.1
申请日：2022-05-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125 , B81B7/02
Abstract: 本发明公开了一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，采用四周支撑结构支撑整个可动结构，并在四周支撑结构上下两侧中心和左右两侧中心放置应力释放梁和应力释放梁固定锚区。应力释放梁弯曲刚度远小于四周支撑结构的框架刚度，传感器所处温度变化时，由于材料热膨胀系数失配产生的热应力可通过应力释放梁释放，可显著降低中心敏感结构上所受的热应力，提高传感器输出特性的温度稳定性。
-
公开(公告)号：CN115201515B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210743282.9
申请日：2022-06-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提出一种单质量三轴MEMS加速度计敏感结构，实现三个轴向加速度的检测。通过结构对称性设计、检测差分设计、“工”字型弹性梁设计、交叉轴解耦设计显著降低交叉轴耦合。将检测梳齿锚区位置设计在结构轴线两侧附近，降低了温度变化过程中检测锚区在垂直于结构轴线方向上的位移，降低了环境温度变化时热应力对检测电容间隙变化的影响，提高加速度计输出特性的温度稳定性。
-
公开(公告)号：CN111908418B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010675643.1
申请日：2020-07-14
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种高均匀性的大质量块MEMS结构与制备方法，通过衬底层和结构层晶圆键合与刻蚀技术，形成由固定锚区支撑的可动质量块结构。首先在衬底层或结构层晶圆上经光刻、刻蚀形成锚区，通过晶圆键合的方式形成键合片，减薄键合片至所需厚度，刻蚀形成可动质量块结构。为满足大质量块MEMS结构厚度高均匀性加工要求，在质量块底部设计减薄支撑锚区，晶圆键合后该锚区对质量块起到支撑作用。刻蚀时将对应位置处结构层去除，释放质量块。与传统的MEMS可动质量块结构加工方式相比，该结构在质量块底部设计有支撑锚区，避免了在减薄过程中，由于晶圆内外气压差和所施加的压力造成悬空的可动质量块处减薄厚度不均匀的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113023663B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110194398.7
申请日：2021-02-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明提供了一种全硅结构MEMS微流道散热器及其加工方法，由下至上包括依次键合的第一硅结构层(1)、第二硅结构层(2)和第三硅结构层(3)；在硅结构内部加工有微流孔和微流道，形成微流道通路，液体在微流道内部循环流动，将热量从待散热元件带走。整个微流道散热器均由高热导率的单晶硅材料构成，能够实现良好的散热效果；各层之间无中间层，避免了由于各层材料热膨胀系数不匹配造成的不同温度条件下结构弯曲形变，降低结构内部应力；单晶硅具有很高的杨氏模量，三层结构通过硅‑硅直接键合结合起来，具有很高的键合强度，提高结构可靠性。采用MEMS工艺加工，能够显著降低微流道散热器尺寸，实现批量化加工，降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN111115552B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201911284371.6
申请日：2019-12-13
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器混合集成封装结构及其封装方法，包括：陶瓷管壳的内腔台阶有多个金属焊盘，底面有金属化结构；MEMS敏感结构通过粘接的方式固定在陶瓷管壳内腔底面上；PCB电路基板带有不少于一处缺口或开槽，通过标准电容作为支撑架设在MEMS敏感结构之上，电容使用导电或绝缘粘合剂粘接；金属导线穿过PCB基板的缺口或开槽将MEMS敏感结构和PCB电路基板连接；PCB电路基板通过金属导线与陶瓷管壳内腔金属焊盘相连；金属盖板通过平行封焊与陶瓷管壳侧壁相连，形成气密封装。本发明通过使用标准化管壳和PCB基板，可在较低成本下和较短时间内实现较小面积的MEMS传感器系统集成，同时具有较好的温度特性。
-
公开(公告)号：CN112048707B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202010322657.5
申请日：2020-04-22
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 一种薄膜图形化夹具工装及其应用方法，属于微电子机械加工技术领域。本发明方法包括如下步骤：制备硅基掩模；调整掩模翘曲使掩模调整为凹形；在掩模边缘制备固定切边；将掩模和基底对准，并在固定切边处将掩模和基底固定；将掩模和基底用薄膜图形化夹具工装固定，进行薄膜的沉积。通过该工装和技术方法，可不通过光刻工艺薄膜沉积的过程中即可实现薄膜图形化，同时避免了薄膜沉积过程中向图形外扩散、均匀性差等问题。
-
公开(公告)号：CN111122904B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911330733.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种三明治加速度计微结构制作方法，涉及MEMS芯片制造领域，包括以下内容：上、下电极圆片采用硅衬底上薄层玻璃的晶片，首先上下电极圆片在玻璃面进行通孔光刻，再生长铬金薄膜，光刻腐蚀制造出上下电极极板，结构采用单晶硅晶片，利用湿法腐蚀工艺制作结构层，三层晶片通过阳极键合工艺键合在一起，在上极板背面生长铬金薄膜，最后切割上电极圆片露出焊盘，切割三层圆片得到三明治加速度计芯片。本方法充分利用硅玻璃键合的特点，简单易操作，对键合表面的要求低，本发明加工出的三明治加速度计近似全硅器件，热失配问题小、寄生电容小，本发明能使芯片的质量和成品率得到很大的提高。
-
公开(公告)号：CN110926444B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201911313234.0
申请日：2019-12-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5621 , G01C19/5614 , G01C19/5628
Abstract: 一种振动非敏感硅微机电陀螺，包括四质量音叉微结构、控制电路、封装壳体和减振器组件；四质量音叉微结构是基于SOG工艺加工的双自由度运动的微结构，四个质量块在受力情况下沿平面内X和Y方向运动；控制电路由C/V变换电路、驱动轴自激回路、检测轴力平衡回路、MCU控制电路等组成；封装壳体将微结构和控制电路板封装在一起，并通过壳体四个安装孔形成外部机械接口；减振器组件是电路板与封装壳体之间的连接机构。本发明是一种高精度振动非敏感硅微机电陀螺，测量精度高、抗振动冲击，可广泛应用于制导炸弹、便携防空导弹、智能炮弹、无人机、导航设备等系统，用于测量载体绕固定轴相对惯性空间的的旋转角速率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
100
records
(took 0.034 seconds)
