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公开(公告)号：CN101840999A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010131806.6
申请日：2010-03-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，属于有机电致发光器件领域。本发明通过对n型硅片进行辐照，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明主要利用低能电子或伽玛射线等对n型硅进行辐照，在n型硅中引入深能级缺陷，起到有效的产生中心的作用，从而提高其构成的有机发光二级管的发光效率，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明使n型硅为阳极的有机发光二极管应用范围得到拓展,同时，这种方法还可推广到以其他类型的n型半导体材料为阳极的有机发光二极管中去。
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公开(公告)号：CN114583553B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202210192256.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜转移制备垂直腔激光器的方法，属于激光器技术领域。本发明利用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移，转移薄膜面积大、平整度高，能够增加DBR反射镜衬底间钙钛矿多晶薄膜的厚度，从而增大垂直腔激光器的腔长。本发明采用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移的方法，不会改变其表面形貌和光学性质，不额外引入光学损耗，能够解决低溶解度钙钛矿由于薄膜厚度太小不足以满足光学谐振腔长度的问题，拓展了其在激光器领域的应用。同时，本发明提供的方法操作简单，成本低，易于实现工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN114583553A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210192256.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜转移制备垂直腔激光器的方法，属于激光器技术领域。本发明利用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移，转移薄膜面积大、平整度高，能够增加DBR反射镜衬底间钙钛矿多晶薄膜的厚度，从而增大垂直腔激光器的腔长。本发明采用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移的方法，不会改变其表面形貌和光学性质，不额外引入光学损耗，能够解决低溶解度钙钛矿由于薄膜厚度太小不足以满足光学谐振腔长度的问题，拓展了其在激光器领域的应用。同时，本发明提供的方法操作简单，成本低，易于实现工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN107611000B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201710857667.7
申请日：2017-09-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/32 , H01L21/223
Abstract: 本发明公布了一种等离子体激励的非高温扩散掺杂装置及方法。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板位于可升降支架上的恒温中空盒上；中空盒裸露的表面镀有防沾污层，但与支架通过绝缘层隔开；真空腔室和支架暴露在真空腔室中的表面覆盖双层内衬材料，内层为绝缘层，外层为防沾污层，该防沾污层连接提供正偏压的直流电压源；待掺杂半导体材料或器件置于平行板腔内。本发明装置结构简单、成本低廉，最大限度降低了非掺杂杂质对待掺半导体材料或器件造成的沾污，大大提高了掺杂的纯净度。
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公开(公告)号：CN107523798B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201710857636.1
申请日：2017-09-21
Applicant: 北京大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种等离子体浸没离子注入掺杂装置及其应用。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板连接提供负偏压的直流电压源；真空腔室的暴露内表面覆盖双层内衬材料，外层为防沾污层，内层为绝缘层，防沾污层连接提供正偏压的直流电压源；待掺杂半导体材料或器件置于平行板腔内。本发明装置结构简单、成本低廉，最大限度降低了非掺杂杂质对待掺半导体材料或器件造成的沾污，大大提高了离子注入掺杂的纯净度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107731649A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710991602.1
申请日：2017-10-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/32458 , H01J37/32522 , H01J37/32715 , H01J37/32853 , H01J37/32908
Abstract: 本发明公布了一种多功能半导体掺杂装置，兼容等离子体激励非高温扩散掺杂和等离子体浸没离子注入掺杂两种功能。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，窗口下为由上下板构成的平行板等离子体腔，其间设可移动的中板；三板的暴露表面沉积掺杂杂质层；真空腔室内表面和支架表面覆盖双层内衬材料，内层为绝缘层，外层为防沾污层，且防沾污层连接提供正偏压的直流低电压源；中板连接提供负偏压的直流高电压源，下板为地电位。进行扩散掺杂时，移出中板，待掺杂半导体置于下板上，而进行离子注入掺杂时，移入中板，待掺杂半导体置于中板上。该装置不仅最大限度降低了非掺杂杂质的沾污，还能灵活实现两种掺杂功能的互换。
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公开(公告)号：CN106910680A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510976237.8
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L21/22 , H01L21/2215 , H01L21/2605
Abstract: 本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散。该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
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公开(公告)号：CN102832111B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210328185.X
申请日：2012-09-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/268 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高太阳电池转换效率的方法。通过适度低剂量伽玛射线辐照促使太阳电池p-n结区中过渡金属杂质向p-n结附近缺陷区扩散并沉淀，且帮助那些不处于太阳电池材料晶格中代位位置的施主或受主杂质原子进入代位位置，从而获得转换效率提高的太阳电池。太阳电池转换效率的提升率取决于p-n结附近缺陷区和适度低剂量伽玛射线辐照的具体情况。由于不同太阳电池之间有很大差异，对于一些太阳电池，其p-n结附近原有的缺陷区加上适度低剂量伽玛射线辐照就可使其转换效率明显提高；而对于另一些太阳电池，必须更新p-n结附近的缺陷区，结合适度低剂量伽玛射线辐照，增加太阳电池转换效率的提升率。
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公开(公告)号：CN103794473A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410041978.2
申请日：2014-01-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/322 , H01L21/2636 , H01L21/3221
Abstract: 本发明公开了一种吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行剂量小于5000Gy低剂量电子辐照，使硅晶片待清洁区或硅器件有源区中的过渡金属杂质向附近的吸杂缺陷区扩散，从而降低硅晶片待清洁区或硅器件有源区内的过渡金属杂质浓度。相比于现有的硅材料吸杂方法，该方法在室温下进行，因而不仅可用于硅晶片还可用于硅器件吸杂，且该方法不限于单晶或多晶硅片及硅器件，也适用于其它半导体材料（如锗）和相应器件。
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公开(公告)号：CN102306709A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110284666.0
申请日：2011-09-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，属于光电技术领域。该有机电致发光器件的阳极由一个或多个p型多晶硅层和金属硅化物层组成，该阳极采用电子束蒸发沉积等方法淀积金属薄膜和p型非晶硅薄膜，利用金属诱导非晶硅晶化制得。本发明通过调节金属层厚度和沉积p型非晶硅所用硅靶的电阻率，可优化有机电致发光器件的发光效率。
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