-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115728882A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211370464.2
申请日：2022-11-03
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及一种激光芯片与硅光芯片的光耦合结构，包括激光芯片、全内反射转接结构和硅光芯片，所述激光芯片和所述全内反射转接结构均设置在所述硅光芯片上，所述全内反射转接结构为尖劈形，所述全内反射转接结构的第一侧面覆盖所述激光芯片的出光端口，所述全内反射转接结构的第二侧面覆盖所述硅光芯片的耦合端面，所述耦合端面上设置有入射光栅和无源波导区，所述全内反射转接结构的第三侧面为全反射面；所述全内反射转接结构用于将所述激光芯片的出射光经全内反射后输入到所述硅光芯片的耦合端面。本发明采用激光芯片与硅光芯片的入射光栅进行水平耦合封装，降低了封装成本。
-
公开(公告)号：CN118159108A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410557703.8
申请日：2024-05-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种双异质结钙钛矿及其制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。本发明提供的制备方法通过在旋涂钙钛矿量子点分散液时其溶剂采用正己烷、正辛烷、甲苯和氯苯中的一种或多种，能够降低对上一层钙钛矿薄膜Ⅰ或钙钛矿薄膜Ⅱ的溶解度，避免在制备单异质结的过程中导致上一层钙钛矿薄膜被破坏，从而保证成功制备得到双异质结结构的钙钛矿；并且，本发明还通过分别制备单异质结和单层钙钛矿薄膜再使其结合的方式，或者同时制备两个单异质结再将二者结合的方式，能够进一步降低对上一层钙钛矿薄膜的破坏，保证各膜层更为平整均匀，从而使各膜层紧密贴合，不会产生空气层。
-
公开(公告)号：CN114583553B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202210192256.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜转移制备垂直腔激光器的方法，属于激光器技术领域。本发明利用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移，转移薄膜面积大、平整度高，能够增加DBR反射镜衬底间钙钛矿多晶薄膜的厚度，从而增大垂直腔激光器的腔长。本发明采用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移的方法，不会改变其表面形貌和光学性质，不额外引入光学损耗，能够解决低溶解度钙钛矿由于薄膜厚度太小不足以满足光学谐振腔长度的问题，拓展了其在激光器领域的应用。同时，本发明提供的方法操作简单，成本低，易于实现工业化批量生产。
-
公开(公告)号：CN118159108B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410557703.8
申请日：2024-05-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种双异质结钙钛矿及其制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。本发明提供的制备方法通过在旋涂钙钛矿量子点分散液时其溶剂采用正己烷、正辛烷、甲苯和氯苯中的一种或多种，能够降低对上一层钙钛矿薄膜Ⅰ或钙钛矿薄膜Ⅱ的溶解度，避免在制备单异质结的过程中导致上一层钙钛矿薄膜被破坏，从而保证成功制备得到双异质结结构的钙钛矿；并且，本发明还通过分别制备单异质结和单层钙钛矿薄膜再使其结合的方式，或者同时制备两个单异质结再将二者结合的方式，能够进一步降低对上一层钙钛矿薄膜的破坏，保证各膜层更为平整均匀，从而使各膜层紧密贴合，不会产生空气层。
-
公开(公告)号：CN114583553A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210192256.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜转移制备垂直腔激光器的方法，属于激光器技术领域。本发明利用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移，转移薄膜面积大、平整度高，能够增加DBR反射镜衬底间钙钛矿多晶薄膜的厚度，从而增大垂直腔激光器的腔长。本发明采用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移的方法，不会改变其表面形貌和光学性质，不额外引入光学损耗，能够解决低溶解度钙钛矿由于薄膜厚度太小不足以满足光学谐振腔长度的问题，拓展了其在激光器领域的应用。同时，本发明提供的方法操作简单，成本低，易于实现工业化批量生产。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.015 seconds)
