公开(公告)号：CN106910681B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201510977322.6

申请日：2015-12-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  李磊 ,  侯瑞祥 ,  姚利 ,  徐万劲

IPC: H01L21/223

Abstract: 本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，是在室温环境下对砷化镓材料或砷化镓器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，激励砷化镓中的金属原子发生扩散。该方法简单快捷，在室温环境下实现，不仅可用于改善砷化镓材料的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。

公开(公告)号：CN108155297A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201611100965.3

申请日：2016-12-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  姚利 ,  谢兮兮 ,  李磊

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公布了一种利用层压法来制备石墨烯顶电极的方法，首先利用湿法或干法转移方法，将石墨烯转移到PDMS上；然后将石墨烯连同PDMS层压到半导体器件的有机功能层上，PDMS上的石墨烯通过范德瓦尔斯力紧紧粘附在有机功能层上，作为器件的顶电极。本发明通过直接层压石墨烯顶电极来制备全透明的有机发光二级管或其他以石墨烯为顶电极的半导体器件，简单便捷、成本低廉。

公开(公告)号：CN106910681A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201510977322.6

申请日：2015-12-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦国刚 ,  李磊 ,  侯瑞祥 ,  姚利 ,  徐万劲

IPC: H01L21/223

Abstract: 本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，是在室温环境下对砷化镓材料或砷化镓器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，激励砷化镓中的金属原子发生扩散。该方法简单快捷，在室温环境下实现，不仅可用于改善砷化镓材料的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。

公开(公告)号：CN106910680A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201510976237.8

申请日：2015-12-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐万劲 ,  李磊 ,  李艳平 ,  姚利 ,  侯瑞祥 ,  秦国刚

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/2215 ,  H01L21/2605

Abstract: 本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散。该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。