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公开(公告)号：CN112397649A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011252910.0
申请日：2020-11-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及光电材料技术领域，本发明提供了一种大面积钙钛矿半导体单晶薄膜的制备方法，利用重力的作用改变涂覆于倾斜衬底上的钙钛矿前驱体溶液的形状；随着溶剂的蒸发，钙钛矿前驱体溶液顶部边缘的溶液浓度迅速过饱和形成晶核；溶剂的蒸发引起了溶液内溶质的对流，导致与已形成的结晶接触的液面优先结晶；之后通过半密封器皿控制溶剂的蒸发速率，已经结晶的区域浓度被控制在优化生长区，使结晶继续长大；随着蒸发的进行，已经形成的结晶持续进行面内的外延生长，最终获得大面积高质量的钙钛矿单晶薄膜。本发明提供的制备方法得到的钙钛矿半导体单晶薄膜的面积可以达到100mm2～1m2，没有明显的晶界和缺陷存在，质量较高。
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公开(公告)号：CN114583553B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202210192256.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜转移制备垂直腔激光器的方法，属于激光器技术领域。本发明利用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移，转移薄膜面积大、平整度高，能够增加DBR反射镜衬底间钙钛矿多晶薄膜的厚度，从而增大垂直腔激光器的腔长。本发明采用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移的方法，不会改变其表面形貌和光学性质，不额外引入光学损耗，能够解决低溶解度钙钛矿由于薄膜厚度太小不足以满足光学谐振腔长度的问题，拓展了其在激光器领域的应用。同时，本发明提供的方法操作简单，成本低，易于实现工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN114583553A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210192256.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜转移制备垂直腔激光器的方法，属于激光器技术领域。本发明利用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移，转移薄膜面积大、平整度高，能够增加DBR反射镜衬底间钙钛矿多晶薄膜的厚度，从而增大垂直腔激光器的腔长。本发明采用亲水柔性衬底对钙钛矿多晶薄膜进行物理机械转移的方法，不会改变其表面形貌和光学性质，不额外引入光学损耗，能够解决低溶解度钙钛矿由于薄膜厚度太小不足以满足光学谐振腔长度的问题，拓展了其在激光器领域的应用。同时，本发明提供的方法操作简单，成本低，易于实现工业化批量生产。
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