公开(公告)号：CN102856188A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210277907.3

申请日：2012-08-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡金宝 ,  王金延 ,  刘洋 ,  徐哲 ,  王茂俊 ,  于民 ,  解冰 ,  吴文刚

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基器件表面淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶，并对待腐蚀区域进行光刻；刻蚀待腐蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓基器件置于腐蚀性溶液中进行腐蚀。本发明可制得槽底平整、台阶边缘光滑的腐蚀槽，并能有效减少对器件造成的损伤，适用于氮化镓基器件的隔离工艺以及其它腐蚀工艺。

公开(公告)号：CN102183333A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201010612818.0

申请日：2010-12-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱智源 ,  朱韫晖 ,  于民 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: G01L9/12 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种含有硅通孔的电容式压力传感器及其制造方法，属于微机械电子技术领域。本发明的电容式压力传感器包括含固定电极的基片，含可动电极的膜片，和与所述固定电极和可动电极电连接的测量电路；所述固定电极和所述可动电极之间存在间距，形成电容；所述可动电极位于所述膜片的梯形槽内，所述可动电极四周设有多个和所述可动电极相接的彼此间隔的经填充的通孔，所述通孔位于所述梯形槽的斜面中，将所述可动电极和部分所述斜面分隔。本发明还公开了含有硅通孔的电容式压力传感器的制造方法。本发明可用于现代工业生产、科学研究及日常生活中的多个应用领域。

公开(公告)号：CN102097521A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010523325.X

申请日：2010-10-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡璐 ,  于民 ,  羊晋 ,  王金延 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  G01T1/24 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种曲面结构的硅漂移探测器。本发明的硅漂移探测器包括N型硅片，位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极，施加于所述入射面的反向偏置电压，和位于所述N型硅片的背面的阳极，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括位于所述N型硅片的背面的P型曲面漂移电极，所述曲面从距离所述阳极设定的距离处向外围凹陷。本发明还公开了一种硅漂移探测器的制造方法，在该方法中，所需的曲面通过用腐蚀剂腐蚀基底表面而得到。本发明可用于X射线光谱分析，还可用于空间探测等技术领域。

公开(公告)号：CN1448991A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03109609.3

申请日：2003-04-09

Applicant: 北京大学 ,  富士通株式会社

Inventor： 施小康 ,  黎明 ,  石浩 ,  于民 ,  黄如 ,  张兴 ,  张进宇 ,  铃木邦广 ,  冈秀树

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66 ,  H01L21/70 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供了一种包含剂量效应的离子注入高速模拟方法，是将分裂方法和剂量效应相结合，具体是虚离子、实离子交替注入模拟，直至完成所有实离子的注入。本发明的方法一共只进行一次模拟实验，注入离子被人为地划分为实离子和虚离子，实离子模拟级联碰撞，不断产生注入过程中的缺陷分布；虚离子模拟注入的射程分布，不必跟踪级联碰撞，亦不产生注入靶材料的缺陷分布。本发明的模拟方法，离子注入的射程分布可以很好地被模拟，模拟结果很好地符合SIMS的实验结果；对离子注入的模拟不但可以保持高精度，而且还可以实现高速高效模拟；同时由于本发明的模拟方法引入了缺陷产生，得到的缺陷分布还可以应用后续的退火模拟，并最终实现完全的工艺仿真。