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公开(公告)号：CN110344013A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910763676.9
申请日：2019-08-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。
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公开(公告)号：CN104810228B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410032274.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
CPC classification number: H01J37/3405 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01J25/58 , H01J37/3408 , H01J37/3452
Abstract: 本发明涉及一种螺旋形磁控管及磁控溅射设备，螺旋形磁控管包括极性相反的分别由多条螺旋线组成的内磁极和外磁极；内磁极螺旋线的螺旋中心围绕在内磁极内部；外磁极的螺旋中心与内磁极的螺旋中心相同，外磁极螺旋线与内磁极螺旋线从螺旋中心向外周螺旋离散；外磁极逐层包围内磁极；离螺旋中心最远的内磁极螺旋线与相邻的内磁极螺旋线在末端合并，合并末端沿离所述螺旋中心最远的内磁极螺旋线的轨迹延伸；离螺旋中心最远的外磁极螺旋线包围所述合并末端，离螺旋中心最远的外磁极螺旋线的末端与相邻外磁极螺旋线之间圆弧连接；相邻内磁极螺旋线圆滑封闭连接，相邻外磁极螺旋线圆滑封闭连接；内磁极、外磁极螺旋线依方程分布，实现溅射沉积均匀。
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公开(公告)号：CN116815140A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310745558.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体、校准机构以及设于腔体之内的承载座、托架和遮蔽部件；校准机构设于腔体；遮蔽部件可随托架在第一位置与第二位置之间切换；在遮蔽部件处在第一位置的情况下，遮蔽部件与承载座错开，且校准机构可将遮蔽部件调整至托架上的预设位置处；在遮蔽部件处在托架上的预设位置处，且托架带动遮蔽部件运动至第二位置的情况下，遮蔽部件位于承载座的上方，且遮蔽部件的中心轴线与承载座的中心轴线之间的间隔距离小于或等于第一预设距离。此方案能解决相关技术涉及的工艺腔室在对遮蔽部件进行位置校准时较易产生颗粒而污染承载座的问题。本申请还公开一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN110544646A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201811020733.6
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 一种加热基座、工艺腔室及退火方法，加热基座包括基座主体，基座主体的上表面设有多个凸台，基座主体的上表面设有匀流槽，基座主体内设有气体通道，气体通道的一端与匀流槽连通。保护气体可沿环形的匀流槽扩散到基座主体的整个上表面，从而在基座主体的上表面形成气体保护层，防止有机物进入基片与基座主体之间的缝隙，避免基座主体表面污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105441876B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201410443115.8
申请日：2014-09-02
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种薄膜沉积设备，其包括传输腔室，以及围绕在传输腔室周围的多套功能腔室，且各套功能腔室均与传输腔室对接；并且，多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室和多功能腔室，该多功能腔室既用于将被加工工件在传输腔室和大气环境之间传入/传出，又用于对被加工工件进行退火工艺；或者，多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室、气锁腔室以及用于对被加工工件进行退火工艺的退火腔室。本发明提供的薄膜沉积设备，其无需在设备之外另设单设退火炉，就可以完成退火工艺，从而不仅可以缩短工艺时间，而且还可以降低热预算，进而可以降低设备的生产成本。
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公开(公告)号：CN106555159B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201510628018.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/02
Abstract: 本发明提供了一种基片的加热设备及加热方法，涉及半导体技术领域，能够缩短基片的平均加热去气时长。其中基片的加热设备包括：加热腔室及位于加热腔室内的第一承载装置、第一加热装置、第二承载装置和第二加热装置；第一承载装置承载未加热的基片，第一加热装置对未加热的基片进行预加热，第二承载装置承载预加热后的基片，第二加热装置对预加热后的基片进行再加热；或者第二承载装置承载未加热的基片，第二加热装置对未加热的基片进行预加热，第一承载装置承载预加热后的基片，第一加热装置对预加热后的基片进行再加热；当前基片的预加热与上一基片的再加热同时进行，当前基片的再加热与下一基片的预加热同时进行。
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公开(公告)号：CN108728791A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710277996.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种进气机构及其进气方法和半导体处理设备。该进气机构环绕设置在腔室内的基台周围，基台周围沿基台径向由内向外依次环绕设置有压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构，基台、压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构在腔室内围成工艺区域，进气机构包括调节结构，调节结构位于上屏蔽结构和下屏蔽结构之间，且能沿基台的轴向上下移动，以分别在工艺区域内形成不同路径的进气通道，分别满足不同的工艺要求。该进气机构通过不同路径的进气通道能够调节经其进入工艺区域的反应气体的流量不同，从而能够使不同工艺阶段沉积形成的膜层部分均能满足相应阶段的成膜工艺要求。
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公开(公告)号：CN217182136U
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202220087715.5
申请日：2022-01-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , H01L21/203
Abstract: 本申请公开一种半导体处理装置，能够降低所述机台的维护时长和维护难度，提高了所述机台的产能。本申请提供了一种半导体处理装置，包括：反应腔室；感应加热器，设置于所述反应腔室内，用于调整所述反应腔室的温度；温度调控模块，连接至所述感应加热器，用于调控所述感应加热器的加热功率，从而调整所述反应腔室内的温度；所述感应加热器包括：金属内芯；导电线，绕设于所述金属内芯的外表面，并连接至所述温度调控模块，所述温度调控模块用于控制加载到所述导电线中的电流大小；所述金属内芯在所述导电线通电时发热，通过调整所述导电线中的电流大小，调整所述金属内芯的发热功率。
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公开(公告)号：CN222729880U
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202421395142.8
申请日：2024-06-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请提供了一种上电极装置及磁控溅射设备，上电极装置包括磁控部件、冷却腔、套筒组件、空心轴以及驱动机构，冷却腔的底部固定设置有靶材组件，磁控部件设置在冷却腔中；空心轴部分穿入冷却腔中，空心轴内部设有介质通道，介质通道用于向冷却腔内输送冷却液；套筒组件套设在空心轴的外周，空心轴和套筒组件中的一者固定设置，另一者与磁控部件相连，并连接驱动机构，用于带动磁控部件绕空心轴转动。冷却液由介质通道输送入冷却腔中。磁控部件绕空心轴转动，带动冷却液流动，使冷却液在冷却腔内均匀扩散，提高冷却液的流动路径，进而提高靶材组件降温效率。另外，冷却液在冷却腔内可分布得更加均匀，提高了靶材组件降温的均匀性。
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